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<正> 聚氨酯薄膜是一种具有高强度、耐磨、弹性好,并且具有微细小孔结构的薄膜。上海光学镜头厂利用PC-1500型微处理机和软件对透镜高速抛光模具的数据进行了计算,改装了机床。采用广州冶炼厂73-9型氧化铈抛光剂进行了大量的工艺试验工作,最后在抛光过程中能采取高压、高速,达到了定时、定光圈。在抛光反光镜色片中,由原来的平均合格率65%提高到77%。平光面的合格率由65%提高到93%。还对其他八种类型的基片进行了工艺试验,平均合格率达到90%,在质量上有明显的提高。每盘抛光时间由8小时减少到3.5小时至4小时。工人看台能力,从该厂的试验记录中可以看到,在抛光 相似文献
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国产光学设备棱镜高效制造技术 总被引:2,自引:2,他引:0
棱镜制造技术采用刚性胶盘、靠体翻转加工和配以若干类特种粘接胶,在国产设备组成的高效生产线上一次性完成调整铣磨、高速精磨和高速抛光的全部加工。经过六年的实际生产检验,这项技术是成功的,经济效益是令人满意的。 相似文献
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以国产设备、固着磨料和刚性胶盘为基础的光学透镜高效生产工艺,目前在全国很多光学厂家倍受重视,并正在迅速推广。为此,本文将把高效生产工艺的内容、组成和工艺流程介绍给大家,并着重介绍高效生产工艺中成盘铣磨、高速精磨和高速抛光之间的关系。同时举例说明刚性胶盘的设计及其在高效生产工艺中的影响和作用。 相似文献
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精磨玻璃表面的破坏层由凹凸层和裂纹层组成。凹凸层和裂纹层的空间特性,直接影响其后的抛光效率。测量破坏层深度,为选用适当的方法精磨和抛光,使加工工艺最优化,提供了依据。测量精磨玻璃表面破坏层深度可以用光束扫描探测法,也可以用抛光测试法和电子显微镜观测法等。光束扫描探测法适用于实验室,抛光测试法适用于车间,而电子显微镜法仅适用于科研单位和高等院校。 相似文献
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旋转对称非球面自动加工控制算法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了计算机控制光学表面成型(CCOS) 技术的基本原理,对双旋转磨头的去除函数进行研究,研究了不同形状的磨头的去除函数特性,并在多次实验的基础上得到了最优的加工参数,在去除函数的基础上提出了模板函数的概念及算法。根据加工旋转对称非球面光学表面的特点,结合模板函数提出了一种基于同心圆磨头运动轨迹的控制算法。运用该算法对神光Ⅲ号打靶非球面透镜的一种工艺试样( Φ300m m ,F5-9 ,最大非球面度为46μm) 进行自动加工,面型精度达到1λ(RMS,λ= 632-8nm),取得了满意的结果。 相似文献
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离轴抛物面镜的单件加工技术 总被引:6,自引:1,他引:5
介绍了单件加工离轴抛物面镜的基本过程。主要是先按公式算出起始球面半径,并磨好这个球面。然后计算出最大非球面修磨量,根据其大小决定修改非球面从细磨开始还是直接用抛光修改。用刀口检验离轴抛物面时的要点是一定要用直角刀口。修磨时要先修误差最突出的地方。关键的问题是避免出现马鞍形的局部误差。 相似文献
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为提高研磨抛光加工表面质量,利用Matlab软件编制程序对不同参数下轨迹曲线曲率进行计算分析。结果表明,转速比对磨粒运动轨迹曲线曲率影响很大;相同转速比下的曲线曲率呈现周期性变化,曲率变化幅值很小;磨粒径向距离越大,曲率变化越剧烈,工件边缘处容易产生曲率突变;考虑到对磨粒径向距离的影响,偏心距不宜太大或太小。同时,磨粒初始角度对磨粒轨迹曲线曲率形状没有影响。该研究可为研磨抛光设备的设计提供理论指导。 相似文献
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超光滑表面的形成与抛光时间之间的关系研究 总被引:1,自引:1,他引:0
由于加工超光滑表面的古典法对加工者的经验要求较高,而且不同的加工者对抛光时间长短的控制也有较大的差别,因而下盘时机的准确判断将会对超光滑表面的加工质量产生严重的影响。为此,对所加工的全反射棱镜的超光滑表面抛光不同的时间,并在全反射条件下,根据全反射棱镜背向散射光斑的大小和亮暗的程度来判断所加工超光滑表面加工质量的检测方法,最终给出超光滑表面的抛光质量随抛光时间的变化。在实验结果的基础上得出了抛光质量随抛光时间交替变化的基本规律,并根据加工经验总结出了超光滑表面加工过程中的注意事项和判断下盘时机的基本方法。 相似文献
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Planarization machining of sapphire wafers with boron carbide and colloidal silica as abrasives 总被引:1,自引:0,他引:1
XiaoKai Hu Zhitang Song Zhongcai Pan Weili Liu LiangCai Wu 《Applied Surface Science》2009,255(19):8230-8234
The as-cutted sapphire wafers are planarized by the grinding and polishing two-step machining processes with micrometer B4C and nanometer silica as abrasives, respectively. The material removal rates (MRRs) of two processes are measured. During the polishing process, the MRR increases with the down-pressure increased, whereas the rotational speeds have less effect on the MRR. The alkaline colloidal silica is more favorable than the acidic to polish sapphire wafer. The ground and polished surfaces of the substrate are compared by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and X-ray rocking curves. Our results show that B4C abrasives are effective in elimination of the ununiformity in thickness within a wafer. The colloidal silica can achieve a nanoscale flatness of wafer, but the lasting polishing time seems unfavorable. The polishing process is also analyzed in terms of chemical mechanical polishing mechanism. 相似文献
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