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电子回旋共振等离子体技术 总被引:2,自引:0,他引:2
微波电子回旋共振是一种先进的低温等离子体技术,它具有优良的综合指标,提高了微电子,光电子集成电路制造工艺等应用领域中的低温等离子体加工水平,文章介绍了电子回旋共振等离子体产生原理,特点及重要的实验研究结果。 相似文献
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本文叙述了电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积(ECRPCVD)的工作原理、特点及其应用.ECRPCV D由放电室、淀积室、微波系统、磁场线圈、气路与真空系统组成.处于放电室的等离子体在磁场中做回旋运动,使电子的回旋运动频率与微波频率相同;处于回旋共振条件下的电子有效地吸收微波功率而获得高的能量,从而产生高活性和高密度的等离子体.电离度大于10%,电子密度为1013cm3.ECRPCVD可在低的气体流量、衬底不加热的情况下高速淀积高质量薄膜.以该技术淀积的Si,N4,SiO2薄膜可分别与高温CVD的Si3N4高温热氧化的SiO2相比拟.ECRPCVD淀积a-Si:H淀积速率为通常CVD的20倍,而性能与射频CVD淀积的a-Si:H相当.ECRPCVD 已成功用于淀积多种薄膜。 相似文献
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低气压、低温放电方面的一个重要的最新进展是电子回旋共振(ECR)放电。这种技术首先是在核聚变研究中发展起来的。最初,它被用于磁镜实验装置产生和加热等离子体,后来,又被发展成为托卡马克、串级磁镜等聚变装置实验中进行等离子体加热的主要手段之一,即电子回旋共振加热(ECRH)。目前,这一高技术已被移植到各种低温等离子体应用之中,显示了蓬勃的生命力。电子回旋共振微波等离子体是指:当输入的微波频率ω等于电子回旋共振频率ωce时,微波能量可以共振耦合给电子,获得能量的电子电离中性气体,产生放电。电子回旋频率为ωce=eB/m,e和m为电子电荷及其质量,B是磁场强度。 相似文献
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介绍了实验室研制的微波电子回旋共振(ECR)等离子体阴极电子束系统及初步研究结果,该系统包括微波ECR 等离子体源、电子束引出极、聚焦线圈等。通过测量水冷靶电流和靶上的束斑尺寸,实验研究了微波ECR 等离子体阴极电子束的流强、聚束性能等随电子束系统工作条件的变化。结果表明:微波输入功率越高、引出电压越高,引出电子束流强越大;工作气压对电子束流强的影响较复杂,随气压增加呈现出先降低后升高的特点;在7×10−4Pa 的极低气压下电子束流强可达75mA,引出电压9kV;能量利用率可达0.6;调整聚焦线圈的驱动电流,电子束的束斑直径从20mm 减小到13mm,电子束流强未有明显变化。 相似文献
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电子回旋共振微波等离子体技术在薄膜制备技术、材料的表面处理、离子源和等离子体刻蚀等方面得到了广泛的应用,取得了长足的进展。这些特点在ICF实验制靶过程中有重要应用,如调制靶等,而且加工精度高,能满足ICF制靶的要求。基于在未来的ICF实验中对各种有机膜制备、各种调制靶的制备需求,开展了电子回旋共振微波等离子体技术在薄膜制备和等离子体刻蚀方面的预研工作。 相似文献
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为了对GaN薄膜低温生长提供更多的活性氮,在一个腔耦合电子回旋共振(ECR)半导体加工装置上,用朗谬探针和二次微分理论,研究了氮ECR等离子体的实际电子能量分布。发现它们都是非麦克斯韦分布,含有高能电子,而且随着放电气压的下降和微波功率的增加,高能电子成分增加。 相似文献
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诊断电子回旋共振离子源等离子体的传统方法是采用传统的单探针无发射时测量伏安曲线,并根据曲线的拐点由理论公式计算出的等离子体密度。本文设计并研制了等离子体密度的测量装置。采用单根朗缪尔探针(该探针可以用来发射电子)测量等离子体的伏安特性。在探针有发射和无发射两种状态下测量得到两条伏安曲线,根据这两条曲线的"分叉点"得到等离子体电位,然后根据该电位直接由计算机计算出电子温度、电子密度。采用该新方法,测量得到的等离子体参量空间电位约为17 V,悬浮电位约为-5 V,电子温度约为4.4 eV,离子密度为1.10×1011cm-3,与传统方法计算出的等离子体1.12×1011cm-3相比,两者相差仅1.8%,但新方法效率和精度更高。 相似文献
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建立了电子回旋共振(ECR)微波放电等离子体中离子输运过程的蒙特卡罗模型,考虑了离子与中性原子的电荷交换碰撞和弹性碰撞,以及精确依赖于离子能量的电荷交换和动量转移截面,模拟了源于氩气ECR微波放电的氩离子向衬底输运的过程,得到与实验报道相符的模拟结果。 相似文献
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为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;a:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时,刻蚀速率相同;流量一定时,刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低,当用纯氩气时,几乎没刻蚀作用;刻蚀速率随工作气压的增大而降低。实验中,得到最佳刻蚀条件是:纯氧气,流量4 mL·s-1,工作气压9.9×10-2 Pa,微波源电流80 mA,偏压-90 V。 相似文献
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为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;a:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时,刻蚀速率相同;流量一定时,刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低,当用纯氩气时,几乎没刻蚀作用;刻蚀速率随工作气压的增大而降低。实验中,得到最佳刻蚀条件是:纯氧气,流量4 mL·s-1,工作气压9.9×10-2 Pa,微波源电流80 mA,偏压-90 V。 相似文献
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