缩胺基脲和缩硫代胺基脲的核磁共振研究

本文研究了十二个缩胺基脲和缩硫代胺基脲化合物的¹H,¹³C核磁共振谱。指出芳环¹³C及¹H的δ_c和δ_H分别服从δ_c(1)=δ_c(0)+∑_js_ji及δ_H=7.41-∑s公式,而且δ_c与Hammett常数σ_p,π-电子云密度ρ_x以及δ_H-5ρ_p均有良好的线性关系。缩硫代胺基脲化合物具有一定的抗结核生物活性,而缩胺基脲化合物完全无此性质。同时,缩硫代胺基脲化合物的抗结核活性及其伴生的毒性又与母体羰基化合物的结构有关,因此引起人们一定的关注,并用X光衍射,电子吸收光谱,振动光谱等方法对此两类化合物的结构与性能间的关系进行了研究。但迄今为止,此两类化合物的¹³C NMR工作尚未见诸报道,¹H NMR的研究也比较少。为此,我们对这两类化合物¹³C NMR和¹H NMR进行了较系统的研究。这不仅为测定此两类未知化合物结构提供判据,而且对深入了解波谱参数和结构,以及结构与性能之间的联系亦是有益的。     

稠苯芳杂环及其烷基质子化学位移的计算

本文提出了予测稠苯芳杂环及其烷基链上质子化学位移的计算方法。 将稠苯芳杂环化合物用凯库勒式表示,计算式为为需考虑的苯环内的乙烯基效应。σ_mi,ci为各苯环的环流效应。σ_1,Hc为各芳杂环的屏蔽效应,对杂环上质子它就是该单独芳杂环上相应质子的δ值,对苯环上质子要将它分解为各结构因素的效应,即:σ_1,He=(1/2)^d-1δ_x=y(或σ_z)+σ_c-c·σ_m,H. σ_x-y与σ_z为杂原子或其基团的屏蔽效应,σ_c=c为存在于芳杂环中的乙烯基的效应,σ_m,Hc为芳杂环的环流效应,d为对不同质子所考虑的键数。有取代基时需考虑取代基的效应。计算环上烷基质子的公式为:δ=σ_p,CH3+ασ_c,CH3+βσ_t,CH3+σ_l,G σ_l,G为稠苯芳杂环基的某级效应。     

稠苯芳环及其烷基质子化学位移的计算

本文提出了予测稠苯芳烃及其衍生物的环上和烷基链上质子化学位移的计算方法。 将稠苯芳环化合物用凯库勒式表示,用下式计算: δ=σ_j.c-c+σ_mi.ci σ_j.c-c为各种乙烯基的效应。σ_mi.ci,为各个苯环的六电子π轨道的净环流效应,其计算式为: σ_m.e=(1/2)^m×1,52 m=n-u m为净环流效应级数,等于质子到该苯环相隔的键数n减其中的顺式键数u。 在菲环和类似菲环的4,5位与9,10位质子需考虑菲环效应。蒄环上的质子需考虑蒄环效应。有取代基需考虑取代基的效应。 计算环上烷基质子的公式: δ=σ_p.CH3+ασ_2.CH3+βσ_t.CH3+σ_i.G 此公式在作者以前的文章中己经报道。σ_i,G为稠苯芳基的某级效应。     

GdBaCo2O5+δ体系的滞弹性内耗研究

GdBaCo₂O_5+δ体系的低频内耗研究表明：体系中存在一个由额外氧运动引起的弛豫内耗峰；额外氧δ对这个弛豫内耗峰的大小、峰形及峰位有较大影响，反映了额外氧状态随δ而变化.当δ=0.005，体系中额外氧含量很少而接近零时，相应的内耗峰消失；δ达到一定数量后，出现弛豫内耗峰.由δ=0.278，0.407，0.421，0.515样品的弛豫内耗峰分析可得到体系随δ不同存在着三种不同的额外氧形态.此外，δ=0.421及0.515的样品在360K附近存在一个相变内耗峰，它对应着体系中的金属—绝缘体转变. 关键词： 2O_5+δ')" href="#">GdBaCo₂O_5+δ 额外氧 内耗峰     

小白鼠肌肉组织的NMR质子自旋交换分析

本文在Zimmerman-Brittin两相质子交换核磁共振弛豫模型基础上,分析了NMR弛豫实验中检测信号与各相表现和本征弛豫多数的关系,编写了自动化处理实验数据的计算机程序,这一技术可用于复相系统中不同成分的NMR表现和本征弛豫特性研究中,本文中的样品是选用健康新鲜的小白鼠肌肉,没加任何处理,用h-h,s-h,s-s脉冲序列,反转恢复法(π-τ-π/2)在强场下(0.92T)做T₁、T₂测定实验,分析结果表明本征弛豫参数T₁=1050ms,T₂=4500μs的成分是由肌肉中的"自由水"引起的,其质子相对含量为69%;本征弛豫参数T₁=530ms,T₂=26μs的成分是由肌肉中的"束附水"引起的,其质子相对含量为9%,本征弛豫多数T₁=530ms,T₂=1250μs的成分是由肌肉中的各种大分子和有机物引起的,其质子相对含量为9%,本征弛豫参数T₁=470ms,T₂=1250μs的成分由样品中的脂肪引起的,其质子相对含量为13%,在肌肉组织中的质子与水中质子之间有强烈的交换作用,其交换率k=1000s^-1.在脂肪中的质子与其它成分之间没有交换作用。     

一个计算次甲基质子NMR化学位移的经验式

本文提出了一个计算次甲基质子NMR化学位移的经验式δ_CHXYZ=δ_(CH3)2CHZ+△_xy主要用来计算那些Bell、Bowles和Senese关系式不适用的、含有无去屏蔽作用的次甲基质子体系中次甲基质子的化学位移。     

O-(α-氰基-间-苯氧基苄基)硫代磷酸酯和磷酰胺的NMR研究

本文合成了20个题示的化合物,研究了它们的¹H和³¹P谱,找出了δ_P与取代基关系的一些规律,观察到了手性中心对δ_H的影响、及一个手性中心对另一个手性中心R、S体不等价的诱导位移,并观察了产物中R、S体的不同含量比例。     

三环已基羧酸锡的13C和119Sn NMR研究

测定了33个三环己基脂肪族和芳香族羧酸锡在非配位溶剂(CDCl₃)中的¹³C和¹¹⁹Sn NMR谱。结果表明:化学位移δ(¹¹⁹Sn)值主要由锡原子的配位数决定,结构上微小的变化。都能在δ(¹¹⁹Sn)值上明显地表现出来。讨论了不同类型化合物间NMR参数间的关系。     

块体非晶合金的黏度与玻璃形成能力的关系

基于经典结晶理论讨论了非晶合金的晶化动力学因素和晶化热力学因素对玻璃形成能力（GFA）的影响.分析表明,合金的等温转变（TTT）曲线“鼻尖”温度T_n对应的黏度与晶化阻力因子成正比;重新加热时晶化开始温度T_x对应的黏度与晶化驱动力因子成反比.由此得到了新的GFA参数ω₀=（T_g-T₀）/（T_x-T₀）-（T_g-T₀）/（T_n-T₀）,其中T_g为玻璃转变温度,T₀为理想玻璃转变温度.统计结果显示,ω₀与临界冷却速率具有较高的相关性,R²高达09626.进一步分析表明：新提出的ω₀参数可以合理地解释过冷熔体的黏度、脆性、液相稳定性、热稳定性以及T_rg、ΔT_x、γ、γ_m、ΔT_rg、α、β、δ和φ等参数与GFA的关系. 关键词： 块体非晶合金 黏度 脆性 玻璃形成能力     

Influence of ignition condition on the growth of silicon thin films using plasma enhanced chemical vapour deposition

The influences of the plasma ignition condition in plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) on the interfaces and the microstructures of hydrogenated microcrystalline Si (μc-Si:H) thin films are investigated. The plasma ignition condition is modified by varying the ratio of SiH₄ to H₂ (R_H). For plasma ignited with a constant gas ratio, the time-resolved optical emission spectroscopy presents a low value of the emission intensity ratio of Hα to SiH^* (I_Hα/I_SiH^*) at the initial stage, which leads to a thick amorphous incubation layer. For the ignition condition with a profiling R_H, the higher I_Hα/I_SiH^* values are realized. By optimizing the R_H modulation, a uniform crystallinity along the growth direction and a denser μ c-Si:H film can be obtained. However, an excessively high I_Hα/I_SiH^* may damage the interface properties, which is indicated by capacitance-voltage (C-V) measurements. Well controlling the ignition condition is critically important for the applications of Si thin films.     

几类新型含硅唑类化合物1H NMR研究

讨论了4种新型含硅唑类化合物的¹H NMR谱,它们是1-三甲基硅氧基-1-芳基(叔丁基)-2-唑基乙烷(1:1,2,4-三唑;2:咪唑;3:苯并三唑;4:苯并咪唑).芳基对Me₃SiO的化学位移影响很小,而不同唑基屏蔽作用的差异影响Me₃SiO的化学位移,其影响的次序为: 此结果得到了分子力学计算的证实. 化合物1中1位次甲基质子的化学位移(δ_H)与芳基对位取代基的取代基常数σ_p存在良好的线性关系,     

线性和环体有机硅化合物的29Si NMR研究

本文研究了聚二甲基硅氧烷(Ⅰ)(X=Cl,NEt₂;n=0,1,2,3,4,5,6)及环硅氧烷(R₂SiO)_n(Ⅱ)、环硅氨烷(R₂SiNH)_n(Ⅲ)(R=Me,Ph,n=3,4)的²⁹Si NMR谱,分别讨论了Ⅰ中n及X(X=Cl、OH、NEt₂,Me)对其末端基和中间基的δSi的影响和Ⅱ、Ⅲ、中环大小及R对其δSi的影响。     

金属核的磁共振研究*Ⅱ含磷配体铂(Ⅱ)络合物的195Pt和31P-NMR谱

本文测定了12个含苯基环戊基磷、亚磷酸、卤素等配体的铂(Ⅱ)络合物的¹⁹⁵Pt、³¹P-NMR谱,考察了溶剂、浓度、温度对¹⁹⁵Pt谱的影响,研究了¹⁹⁵Pt、³¹P化学位移、偶合常数与络合物几何构型的关系及对卤素的依赖关系。讨论1,2-丙二胺溶液中络合物³¹P谱的变化,以及各种含亚磷酸配体的铂络合物¹⁹⁵Pt和³¹P谱的变化。     

苯对N,N-二甲基甲酰胺化合物1H NMR的影响研究

本文研究了N,N-二甲基甲酰胺(DMF)在四氯化碳和苯混合溶剂中的¹H NMR。观察到N,N-二甲基甲酰胺(DMF)分子中两个甲基和混合溶剂中苯的共振吸收峰的化学位移随苯的摩尔分数增加而逐渐移向高场,而且两个甲基共振吸收峰向高场移动的程度不同,α甲基较β甲基为甚。DMF分子中两个甲基和混合溶剂中苯的化学位移可以用线性方程表示(δ=A+Bx),这里x是混合溶剂中苯的摩尔分数。相关系数R接近于-1。     

自驱动Janus微球近壁运动特性实验与数值模拟研究

自驱动Janus微球是形状规则但表面构成不同的特殊活性颗粒. 针对微米级Pt-SiO₂型Janus 微球近壁面自驱动现象, 实验测得了微球的自驱动速度V_Janus, 并观察到微球运动过程中与垂直方向存在一偏转仰角ψ, 且ψ角随H₂O₂溶液浓度的增大呈减小趋势. 在此基础上, 建立自驱动Janus微球的数值模型, 通过模拟得到了微球在不同浓度H₂O₂溶液中的偏转仰角ψ及距底面的高度δ, 模拟与实验一致. 利用这些数据进一步讨论了壁面效应对微球旋转特征时间τ_R的影响. 这一工作对于理解Janus 微球的运动机理及发展相关应用具有重要意义.     

Electrical and dielectric characterization of Au/ZnO/n-Si device depending frequency and voltage

Au/Zn O/n-type Si device is obtained using atomic layer deposition(ALD) for Zn O layer, and some main electrical parameters are investigated, such as surface/interface state(Nss), barrier height(Φb), series resistance(Rs), donor concentration(Nd), and dielectric characterization depending on frequency or voltage. These parameters are acquired by use of impedance spectroscopy measurements at frequencies ranging from 10 k Hz to 1 MHz and the direct current(DC) bias voltages in a range from-2 V to +2 V at room temperature are used. The main electrical parameters and dielectric parameters,such as dielectric constant(ε"), dielectric loss(ε"), loss tangent(tan δ), the real and imaginary parts of electric modulus(M and M), and alternating current(AC) electrical conductivity(σ) are affected by changing voltage and frequency. The characterizations show that some main electrical parameters usually decrease with increasing frequency because charge carriers at surface states have not enough time to fallow an external AC signal at high frequencies, and all dielectric parameters strongly depend on the voltage and frequency especially in the depletion and accumulation regions. Consequently, it can be concluded that interfacial polarization and interface charges can easily follow AC signal at low frequencies.     

K2NiF4型Sr2CrO4的磁电性质研究

以SrO和CrO₂为原料, 在高温高压的条件下直接反应生成纯相的K₂NiF₄结构的Sr₂CrO₄多晶样品. 结构用粉末X射线衍射及GSAS精修表征. 磁化率测试显示样品存在一个弱的反铁磁相变, 奈尔温度为T_N=95 K. 在奈尔温度以上, 磁化率随温度的变化遵循居里-外斯定律. 对样品进行了电阻测试, 结果显示了样品的绝缘特性.     

三苯膦-铂(Ⅱ)络合物的质子核磁共振研究(Ⅰ)

过渡金属离子的d-电子特性,使得它们的络合物可以在很多有机合成反应中起催化作用,含三苯磷配体的反式铂氢络合物就是一种稳定的、广泛应用的催化剂^[1.2.3.4.]。为此,本工作合成了反式-[PtHXL₂],L=PPh₃,X=Cl^-、Br^-、I^-、NO₃^-、NO₂^-、NCS^-六种铂络合物,并测定了其¹H-NMR谱。实验获得该络合物系列中,与铂(Ⅱ)相连的质子在高场具有较大的化学位移,即δ_H=-12~-24ppm和很大的铂-氢偶合常数即J_pt-H=900-1400Hz,以及磷氢偶合常数即J_p-H≈15Hz。此外,还研究了配体对铂-氢的¹H化学位移及铂-氢偶合常数;铂-氢键长对铂-氢的¹H化学位移的影响,并找出了一定的规律性。从而得到了络合物的顺反异构,键合异构及电子密度分布的有关信息。关于铂络合物的核磁共振研究,虽有过报道^[5.6],但配体为三苯膦的反式-[PtH(PPh³)₂]系列络合物NMR研究,尚未见报道。