飞兆半导体P沟道MOSFET提供业界最低RDS（ON）

飞兆半导体公司为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来-款单-P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS=4．5V时提供64mOhm之RDS（ON）值，较同类解决方案低15％，且占位面积仅为1mm×1．5mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。     

飞兆半导体推出具有业界最低RDS（ON）的20V MicroFET MOSFET

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS（ON）的20V 2mm×2mm×055mm薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、     

飞兆半导体P沟道MOSFET提供业界最低RDS（ON）

飞兆半导体公司（FARICHILD）为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ,能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。     

飞兆半导体推出新一代超级结MOSFET—SupreMOS

飞兆半导体公司（Fairchild Sereiconductor）为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SuPreMOS新一代 600V超级结MOSFET系列产品。包括具有165mΩ最大阻抗的FCP22N60N、FCPF22N60NT和FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。     

飞兆半导体推出80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件-FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16m)特性，     

飞兆半导体采用CSP封装的P沟道MOSFET提供业界最薄的尺寸

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出采用1mm×1．5mm×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench。工艺设计，结合先进的WL—CSP封装，将RDS（ON）和所需的PCB空间减至最小。     

飞兆半导体推出40VP沟道MOSFET

飞兆半导体公司近日推出40VP沟道Power Trench MOSFET产品FDD4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗,与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷达50％,可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用,以更高的速度进行切换,而不会产生过多的热量。     

飞兆半导体推出全新的40V MOSFET

飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)针对ＤＣ/ＤＣ转换推出了 5种Ｎ沟道 4 0ＶＭＯＳＦＥＴ ,分别为ＦＤＳ4 770、ＦＤＳ4 4 70、ＦＤＳ4 780、ＦＤＳ4 4 80和ＦＤＳ4 672Ａ ,为膝上型电脑、电脑ＶＲＭ、电信、数据通信 /路由器及其他便携 /手持式设备的电源设计 ,提供极佳的价格和效能优势。ＦＤＳ4 770的最大Ｒｄｓ(ｏｎ)为 7.5ｍΩ ,最高结点温度为 175°Ｃ。这些 4 0Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ具有增强的抗雪崩能力 ,能适应恶劣的操作环境 ,在存在高瞬态电压的应用或ＭＯＳＦＥＴ需要承受增强应力的工作模式中 ,可带来更…     

飞兆半导体针对电源设计需求推出全新电源工具套件

仪器 Agilent扩展其高性能信号发生器PSG的频率范围 Agilent公司近日发布对其PSG微波信号发生器的重大性能增强,把模拟信号发生器的频率范围扩展到67 GHz矢量信号发生器的频率范围扩展到44 GHz.这是专门为从事地面和卫星通信、雷达和航空电子系统开发因而需要评估射频和微波元件的工程师及系统集成者所作的频率扩展.有了这些新型号信号发生器,工程师就能在毫米波频率享受AgilentPSG信号发生器的极佳性能和灵活性所带来的好处.     

飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议

高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）和英飞凌科技Clnfineon Technologies）宣布．两家公司就采用MLP3×3（Power33）和PowerStage3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。     

飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议

<正>全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司就采用MLP3×3(Power33TM和Power Stage 3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。     

飞兆推出PowerTrench MOSFET产品FDD4141

飞兆半导体（Fairchild）推出40VP沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141。FDD4141具有低导通阻抗，与目前的M0SFET相比能降低栅极电荷（QG）达50％，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。FDD4141采用PowerTrench工艺技术制造，将N沟道MOSFET的特性运用在P沟道MOSFET中，     

飞兆实现效率高达94％的电源参考设计

飞兆半导体公司推出200WDC—DC电源参考设计，可让设计人员更轻松地开发满足严苛能效法规要求的高效率电源。RD212参考设计采用零电压开关技术，提供了高效率（高达94％）和低噪声特性。其24V电压下提供8A输出，并提供众多的保护功能，包括过压保护、过载保护、过流保护、异常过流保护和内部过热关断保护，     

采用CSP封装的P沟道MOSFET

采用1mm&#215;1．5min&#215;0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P,能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench工艺设计,结合先进的WL—CSP封装,将导通电阻和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40％,可满足下一代手机、MP3播放器和其他便携应用的要求。该器件具有低RDS（ON）（典型值74mΩ＠-4．5V VGS）,能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能（1．9W）。     

Vishay推出具有业内最低RDS（on）的P沟道MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．（威世科技）宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET——Si7157DP,扩充其TrenchFET P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay SiliconixSi7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Ω和0．0020Ω,可提高移动电子设备的效率。     

提高电源设计效率的100V MOSFET

面向隔离式DC／DC应用的100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50％的尺DS（ON）和出色的品质因数（figure of merits，FOM），可有效提高电源设计的效率。F D M S86101采用5mm&#215;6mm MLP Power56封装，使用了PowerTrench工艺技术。相比栅级电荷相同的现有解决方案，