相干涡旋和刃型位错在海洋湍流中的相互作用

类比相干光束中刃型位错概念,提出一种新的相干奇点——相干刃型位错。对高斯-谢尔模光束携带的相干涡旋和刃型位错在海洋湍流中的相互作用进行研究。基于扩展的惠更斯-菲涅耳原理,得到了该光束在海洋湍流环境下的交叉谱密度表达式,并将其用于研究相干涡旋和刃型位错的相互作用。研究发现：相干刃型位错在相干涡旋的作用下发生断裂并转化成相干涡旋。在光束传输过程中,光场中有单个或成对相干涡旋的产生或湮灭现象发生。二者之间的作用特点不仅与传输距离有关,还受光束初始参数和海洋湍流参数的影响。二者之间的作用规律与自由空间光涡旋和刃型位错的作用规律不同。     

新型InP位错腐蚀剂

<正> 贝尔实验室报导了一种新型InP腐蚀剂,它由HNO_3:HBr组成,体积比为1:3。这种腐蚀剂在(111)p面上可以得到三面对称的清晰的腐蚀坑,并且角锥形腐蚀坑在(001)面上沿一个<110>方向拉长。把这种腐蚀剂与(001)取向上的Huber腐蚀剂以及(111)取向上改     

新的InP位错腐蚀剂

报道了几种腐蚀InP(100)面位错的新的化学腐蚀剂:HBr,HCl:HBr及 H_2SO_4:HBr.腐蚀坑的形状为倒锥形.将以上几种新腐蚀剂在InP(100)面上的腐蚀坑分别与Huber腐蚀剂的位错腐蚀坑作了比较.     

线刃型位错光束在生物组织中的光学奇异性

采用推导在生物组织传输中的线刃型位错高斯谢尔模型光束的交叉谱密度函数,研究了不同线刃型位错斜率p、离轴距离d对光束奇异性的影响,讨论了归一化光强和相位随传输距离L的演变规律。研究表明,传输中,光束光强分布轮廓由非轴对称分布的中心凹陷逐渐演变为中心凹陷消失,最终呈现类椭圆高斯分布。线刃型位错离轴距离d值越大,源平面处两峰值光强差别越大,中心凹陷越不明显且偏离(0,0)越大,传输中的光强演化越快。同时,随着d值增大,传输中相干涡旋的演化由出现两次湮灭现象变为一次;当离轴距离d较小时,d值越大,发生第一次湮灭越晚,相干涡旋对再次出现越早;相干涡旋对位置的连线沿顺时针方向旋转,p越大,旋转越快;d值越大,p值越小,相干涡旋最终湮灭越早。     

无位错非掺杂 InP 晶体生长

借助于缩颈工艺用液封直拉法生长了无位错非掺杂 InP 晶体,生长时需要在固-液交界面附近有一个低的温度梯度。温度梯度为55℃/cm 时,能生长在<111>p 方向拉制的无位错晶体,其直径可达15mm。从晶体各部位切出的片子的腐蚀表面上均未观察到腐蚀坑(D 或 S 坑),这就认为晶体中不存在微缺陷。     

InP晶片位错密度分布测量

采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的InP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响.从数值看,一般掺S的材料位错密度较低,随着掺杂浓度的增加位错密度明显降低,晶片的均匀性也越好.掺Fe的材料位错密度一般,但随着...     

InP的超高分辨结构象

本文报导了InP晶体沿[110]带轴的高分辨结构象。使用JEOL-4000EX顶插式电子显微镜(点分辨1.9nm)对InP晶体沿[110]带轴进行观察,在试样厚度约为35nm,欠焦量约为46.5nm时,拍摄到超高分辨的结构象,原子间距为0.147nm,并且计算出模拟象。贫验结果和模拟象符合的较好。     

湍流大气中高斯光束波前刃位错

在Rytov近似下 ,通过引入统计平均位错的概念研究了高斯光束通过近地面湍流大气传播时波前刃位错位置与湍流大气强度和传播距离等参数的关系。分别在远大于和远小于光波位相起伏周期的两种情况下 ,研究并得出了波前刃位错位置的湍流系综统计平均理论关系     

掺Fe元素的InP晶体中扩展位错的运动

利用LEG法制备掺Fe0.03wt.%的InP晶体。样品观察在JEM-4000EX高分辨电镜上进行,电压为400kV,点分辨率为0.19nm(Cs=1mm),电镜中电子束产生的辐照为2.5×103e/cm2s。InP晶体是立方闪锌矿结构,空间群为F43m,单胞参数为a=0.5868nm。图1是InP扩展螺位错在[110]方向投影的高分辨像。图中亮点对应原子位置。很明显,一层(111)原子被抽去。图中用黑点标出了扩展位错的螺型分量。扩展位错包括两个Burgers矢量为1/6[211]和1/6[121]的Shockley不全位错,其间是内禀层错。扩展位错之间的距离为17.9nm。层错能可根据下式计算[1]:R=μb2(2-3V)/8πd…     

NpnN型InGaAsP/InP异质结晶体管和nN型InGaAs/InP异质结

在77K°的低温下NPnN型N-InGaAsP(E)/P-InGaAs(B)/n-InGaAs(C_1)-N-InP(C_2)双极型晶体管的伏安曲线族显示出一个较大的开启电压V_(on)≌0.8伏。这个开启电压起源于收集区耗尽层中n-InGaAs(C_1)/N-Inp(C_2)同型异质结导带尖峰在低温下对电子的阻挡效应。对n-InGaAs/N-InP同型异质结的测量表明在室温下nN结呈现欧姆特性,当温度降至77K时则表现为非欧姆特性,整流比为5:1。     

硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究

本文研究了硼注入绝缘ＩｎＰ和Ｎ型ＩｎＰ的电性质．硼注入是在１００ｋｅＶ能量下，剂量从１e１２到１e１６ｃｍ－２范围内进行．注入后的退火在纯氮气的保护下由１００℃到７００℃范围变化．硼注入半绝缘ＩｎＰ的结果表明，硼注入诱导形成载流子分布．硼注入Ｎ型ＩｎＰ后形成高阻绝缘层，其电阻率随退火温度变化出现两个峰值．本文还讨论了硼注入层电性能变化的机理．     

YAG中的位错

计算了YAG中的位错能,讨论了从溶液和熔体生长晶体过程中产生的和由于机械作用引起的位错的可能组态.     

湍流大气中高斯谢尔光束波前长期线刃位错

采用Rytov近似和位错位置的长期统计平均的方法,研究了高斯谢尔光束通过近地面湍流大气传播时波前刃位错位置与湍流大气强度和传播距离等参数的关系。研究并得出了长期曝光平均条件下波前刃位错位置的湍流系综统计平均理论关系,同时得出了光束短期平均刃位错位置表达式。     

InP和GaAs中的Mg~+离子注入

本文研究了Mg~+离子注入InP和GaAs中的电学性能和辐射损伤行为.范德堡霍尔方法测量和电化学C-V测量均表明,快速热退火方法优于常规热退火方法,共P~+注入结合快速热退火方法能进一步减小注入Mg杂质的再分布,使电激活率大大提高。卢瑟福沟道分析则表明,相同注入条件下,InP中的辐射损伤较GaAs中大得多,大剂量注入损伤经热退火难于完全消除.     

大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷

利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.     

金属表面与初生氧化物的原子象

在研究表面特征的衍射、质谱及显微象等诸多技术中,高分辨表面剖面象可以提供原子尺度细节的直观图象。继对Au的研究之后,我们对Ag,Cr,Cu,Pd,Pt等金属的表面与氧化初期产物结构进行了观察,本文简述初步结果。样品是将纯金属在10~(-9)托的超高真空喷镀仪上蒸发成半连续膜,在真分辨率为1.6埃的JEOL4000EX电镜中     

形变铝中位错胞壁和位错环

在ＴＥＭ中采用衍衬成像方法系统观察了在室温下形变纯铝中位错胞壁的形成与发展，以及位错环的出现，获得了胞壁的平均宽度及位错环的平均尺寸随应变的变化规律。发现位错环平均尺寸与流变应力之间满足ψ＝ｋＧｂ／σ定量关系。     

莫来石陶瓷中的位错

近五年来,莫来石陶瓷作为高温结构材料开发的一个重要目标,格外引人注目。它具有良好的抗蠕变性、绝热性和高温强度等。但是对它的显微结构研究报导很少。本文为了说明莫来石优异的高温强度,利用衍衬和理论计算的方法研究了莫来石的位错结构。莫来石陶瓷的一个重要特点是存在许多位错,这在其它陶瓷材料中很少见。它的位错衍衬象比较宽(见图1),明暗衬度有一个平滑过渡。这是因为莫来石的弹性模量比较低(140MP_a),位错应变场范围较大,扭曲晶面波及较远。这样看到的位错不像是由线组成的网(如图2),位错网的暗场像几乎全部由“三角快”组成。     

大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷

利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.     

FCC金属中位错与孪晶界交互作用的原子机制

如何同时提高FCC结构金属材料的强度、延展性等力学性能,一直是材料科学领域的重点和热点问题。研究者们发现在FCC结构金属材料中引入孪晶结构可使其在塑性变形过程中表现出优异的强度、延展性等力学性能。随后,大量的实验及计算模拟研究了孪晶能够提高材料强度并确保其具有高延展性的原子机制,取得了许多重要的成果。本文介绍了FCC结构金属材料中孪晶的结构及形核方式;综述了目前人们在位错与孪晶界交互作用原子机理研究中的主要进展;总结了孪晶界对位错的阻碍、吸收、相互反应等作用机制。为进一步深入研究位错与孪晶界交互作用的机制提供参考,为设计兼具高强度、高延展性的FCC金属材料提供思路。