受损限幅器的非线性效应对成像雷达的影响

在复杂电磁环境下,当电子学系统的关键器件遭受功能或物理损伤而发生非线性效应时,会导致电子学系统的探测性能下降,严重时可能使系统无法实现预期的功能。以一种对地成像雷达的限幅器为对象,研究了限幅器损伤后的非线性特性信号模型构建方法,较为深入地研究了它对雷达信号处理的影响。理论和仿真分析结果表明,典型电子学系统在关键器件发生非线性变化的情况下,会明显降低成像雷达的性能,如成像不能聚焦和分辨率下降等。     

多级PIN限幅器高功率微波效应研究

基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了HPM效应模拟,计算结果表明:随着注入功率的增大,脉宽增宽,前级厚I层PIN二极管结温升比后级薄I层PIN二极管结温升要高,因此厚I层PIN二极管更易受到损伤;而频率和前沿参数对结温升影响较小。     

多级PIN限幅器高功率微波效应研究

基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了HPM效应模拟,计算结果表明：随着注入功率的增大,脉宽增宽,前级厚I层PIN二极管结温升比后级薄I层PIN二极管结温升要高,因此厚I层PIN二极管更易受到损伤;而频率和前沿参数对结温升影响较小。     

被动光学限幅器的机制与研究进展

被动光学限幅器是利用介质的非线性光学性质实现对光的强度进行控制的器件,它在科研、军事和民用方面都具有广泛的应用.文章讨论了被动光学限幅器的反饱和吸收、双光子吸收、自由载流子吸收、非线性折射、光致散射和光折变机制,每种机制在光限幅器应用中的有效性及局限性;介绍了国内外研究状况及自己的工作;指出了今后被动光学限幅器研究的发展方向.     

双光栅夹有机溶液构成的宽带光限幅器

提出一种新光限幅器件并给出初步的实验验证。该器件是将非线笥有机溶液夹在两块不同的浮周型透射光栅之间构成的。     

PIN限幅器的高功率微波单脉冲效应研究

基于PIN限幅器的等效电路模型,构建了PIN限幅器HPM效应ADS等效电路仿真模型,利用HPM注入实验和等效电路仿真相结合的方法,研究了单个微波脉冲作用下PIN限幅器的响应规律,获取了HPM作用结束后限幅器限幅持续时间与注入脉冲功率、脉宽的对应关系,并对限幅器的限幅持续过程进行了分析。仿真与实验结果表明：PIN限幅器限幅持续时间随着微波脉冲功率和脉宽的增大而变大,实验和仿真结果趋势一致,该研究使用的ADS等效电路模型可以应用于PIN限幅器的高功率微波瞬态响应特性分析研究。     

聚合物共混过程在线分析ARMA（p,q）模型的建立：小角光散射能量 …

本文利用小角激光散射（ＢＳＡＬＳ）在线分析系统对聚苯乙烯（ＰＳ）与顺丁橡胶（ＰｃＢＲ）不相容体系菜混过程中光散射强度（Ｉ（ｑ）随时间的变化进行了分析,建立了自回归模型ＡＲＭＡ（ｐ,ｑ）利用ＡＩＣ、ＢＩＣ准则确定了模型的阶数ｐ和ｑ。用此模型对光散射强度进行模拟,经检验模拟结果与实验结果基本吻合。     

基于反饱和吸收和自聚焦两种效应的光限幅器

用酞菁铜金属有机染料首次演示了基于反饱和吸收和自聚焦两种效应的光限幅器．实验和理论分析表明，这种限幅器的输入阈值功率由反饱和吸收决定，而自聚焦使限幅器的最大限幅输出功率降低，限幅效果显著增强．     

检测网络变压器中限幅器焊接状态的方法

文章介绍了用高频中功率三极管和升压变压器组成的幅度达到140V的脉冲对网络变压器中限幅器焊接状态进行检测的方法。     

基于磁流体热透镜效应的阈值可调光学限幅器的理论设计

理论模拟了激光束通过磁流体样品后产生的远场光斑图样,提出了一种阈值可调光学限幅器的实现方案.计算了不同光阑孔径半径和不同光阑样品距离情况下,系统的出射光功率与入射光功率的关系.得出了系统的光学限幅阈值随光阑孔径半径的增大以及光阑样品距离的减小而向高功率方向转移的结论,且限幅阈值与光阑孔径半径之间呈线性关系.定义了描述磁流体样品特征的参量f,发现了系统的光学限幅阈值随f的绝对值增加而减小.本文的结论能为实际的磁流体基可调谐光学限幅器的设计与制作提供有益的参考.     

PIN限幅器电磁脉冲效应数值模拟与验证

基于电磁脉冲对半导体器件效应的电-热多物理场模型,利用Sentaurus-TCAD仿真器建立了PIN限幅器电磁脉冲效应数值模型,研究了不同峰值功率的电磁脉冲作用下限幅器的输入/输出特性,以及大功率电磁脉冲注入PIN器件热损伤阈值与脉冲宽度的关系。模拟与实验结果表明：基于器件热效应影响载流子输运过程的电-热多物理模场型,模拟限幅器在大功率电磁脉冲注入下输入/输出功率的结果与实验结果吻合较好;模拟大功率电磁脉冲注入PIN器件热损伤阈值与脉冲宽度的关系式,与Wunsch-Bell半经验关系式符合较好。     

PIN限幅器电磁脉冲效应数值模拟与验证

基于电磁脉冲对半导体器件效应的电-热多物理场模型,利用Sentaurus-TCAD仿真器建立了PIN限幅器电磁脉冲效应数值模型,研究了不同峰值功率的电磁脉冲作用下限幅器的输入/输出特性,以及大功率电磁脉冲注入PIN器件热损伤阈值与脉冲宽度的关系。模拟与实验结果表明:基于器件热效应影响载流子输运过程的电-热多物理模场型,模拟限幅器在大功率电磁脉冲注入下输入/输出功率的结果与实验结果吻合较好;模拟大功率电磁脉冲注入PIN器件热损伤阈值与脉冲宽度的关系式,与Wunsch-Bell半经验关系式符合较好。     

四阶带通箱的自回归滑动平均模型

建立扬声器系统的离散时间模型是对其进行数字控制的基础。研究给出了使用LR-2理论优化的四阶带通箱的自回归滑动平均模型,推导其传递函数方程组,构建其时域差分迭代式,形成离散时间形式的表述,用以描述系统的瞬态行为。实验结果表明,与基于状态空间方程的差分求解方法相比,该文给出的自回归滑动平均模型更为稳定精确,对采样率的要求更低。该方法为实现对扬声器的前馈数字控制提供了参考。     

脉冲宽度对PIN限幅器微波脉冲热效应的影响

通过数值求解半导体方程组仿真了高功率微波脉冲作用下的PIN二极管,研究了高功率微波脉冲的脉冲宽度对其烧毁的影响。发现脉冲宽度在ns至μs量级时,脉冲功率随脉冲宽度上升而下降,并且近似成反比。在此基础上,基于PIN二极管的Leenov模型和电路的戴维南定理对其机理进行了分析。在脉冲宽度由ns向μs量级变化中,器件热效应由绝热加热转为有热传导的加热;与此同时,其实际吸收功率由与入射功率成正比转为与入射功率开方成正比;此二者共同作用导致了脉冲宽度对烧毁影响。     

低压差线性稳压器电磁抗扰度测试与建模

采用直接功率注入法,在1 MHz~2 GHz频率范围的传导电磁干扰下,测试获得了低压差线性稳压器的传导电磁抗扰度。针对抗扰度仿真预测,提出了一种以Taylor级数表示的非线性系统和以线性滤波器表示的线性系统的级联模型,同时对于测试系统中分立器件采用传统集总参数方法建模,最终实现低压差线性稳压器的传导电磁干扰仿真。仿真结果表明,模型在1 MHz~2 GHz范围内预测的抗扰度和测试数据具有很好的一致性。     

脉冲宽度对PIN限幅器微波脉冲热效应的影响

通过数值求解半导体方程组仿真了高功率微波脉冲作用下的PIN二极管,研究了高功率微波脉冲的脉冲宽度对其烧毁的影响。发现脉冲宽度在ns至μs量级时,脉冲功率随脉冲宽度上升而下降,并且近似成反比。在此基础上,基于PIN二极管的Leenov模型和电路的戴维南定理对其机理进行了分析。在脉冲宽度由ns向μs量级变化中,器件热效应由绝热加热转为有热传导的加热;与此同时,其实际吸收功率由与入射功率成正比转为与入射功率开方成正比;此二者共同作用导致了脉冲宽度对烧毁影响。     

时域全波电磁计算程序JEMS-FDTD在复杂电磁环境研究中的应用

将自主研发的大规模并行三维全波电磁场时域求解程序JEMS-FDTD应用于复杂电磁环境问题,计算并分析了楼宇内电波传播特性和飞行器瞬态电磁特性。对楼宇内电波传播特性的计算获得了建筑物内任意位置的电磁场分布和电磁脉冲在建筑物内的时域传播过程,其结果可用于无线通信和电磁环境安全研究;对飞行器瞬态电磁特性的计算获得了飞行器舱内外瞬态电磁近场分布,其结果可用于飞行器强辐射场防护等研究。