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本文叙述了多孔硅的制备、多孔形态层的形成机理,以及多孔硅的光致发光现象和理论解释,并且讨论了目前存在的一些问题。 相似文献
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Labview软件控制腐蚀条件,用脉冲电化学腐蚀法制备多孔硅薄膜,其表面形貌用原子力显微镜观察并分析。用可见-紫外分光光度仪测量其反射谱,通过计算得出各种制备条件下,多孔硅薄膜的其它光学参数,即有效折射率neff,吸收系数α,有效介电常数的实部εer,和虚部εei,消光系数K,研究了入射光波长和孔隙率对这些光学常数的影响。 相似文献
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Labview软件控制腐蚀条件,用脉冲电化学腐蚀法制备多孔硅薄膜,其表面形貌用原子力显微镜观察并分析。用可见-紫外分光光度仪测量其反射谱,通过计算得出各种制备条件下,多孔硅薄膜的其它光学参数,即有效折射率neff,吸收系数α,有效介电常数的实部εer和虚部εei,消光系数K。研究了入射光波长和孔隙率对这些光学常数的影响。 相似文献
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详细讨论了两种新的多孔硅发光机制理论(无序Si网络结构和聚硅烷/氢化物发光)以及相应的实验支持。通过分析多孔硅的各种发光机制和多孔硅微结构研究,作者认为多孔硅不是仅有一种发光机制,不同的微结构和成分构成会产生不同的发光机制,其中量子限制效应和聚硅烷/氢化物发光是受到较多实验支持的,分别有微结构和成分决定的发光理论。 相似文献
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评述了多孔硅发光机制的量子限制效应理论,讨论了与此相关的一些实验和两种新的QCE理论,最后分析了QCE理论存在的一些问题。 相似文献
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本文系统地综述了多孔硅的微结构、发光特性和发光机制等方面的最新研究成果,介绍了当前多孔硅研究中的一些热点问题与学术争论情况,对多孔硅在光电器件中的应用前景作了讨论。 相似文献
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多孔硅制备工艺的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
多孔硅的发光性能与其制备工艺密切相关,本文着重讨论了阳极氧化技术、表面再处理、硅衬底的电学性质等因素对多孔硅质量的影响,给出了合适的工艺条件。 相似文献