表面凹陷对等离子体浸没离子注入均匀性的影响

利用二维流体模型和数值计算方法模拟了等离子体浸没离子注入（ＰⅢ）Ｋ ,具有圆弧凹槽的平面靶周围的鞘层扩展情况,计算了鞘层扩展过程中的电热分布、离子速度和离子密度变化获得了沿靶表面的离子入射角度和注入剂量的分布情况,为等离子体浸没离子注入处理复杂形状靶提供了理论基础。     

在等离子体源离子注入中靶周围等离子体的行为

在等离子体源离子注入中，将待处理的工件直接放在等离子体内，并在工件上按一定的占空比加脉冲连续式负偏压，我们通过计算，分析了在工件未加负偏压时等离子体对工件的作用，并给出了在工件加上负偏压时注入工件的离子能量的简化分布模型，最后计算了在负偏压脉冲持续时间内离子阵鞘层边界的扩展。     

等离子体源离子注入鞘层时空演化的研究

本文使用流体动力学模型，研究了平板、柱形和球形靶的无碰撞及碰撞等离子体鞘层的时空演化，得到了鞘层边界演化、靶表面的离子注入电流密度和离子注入平均动能等参量。     

磁阱等离子体源离子注入研究

本文描述在磁阱装置中利用旋转等离子体的概念给浸泡于等离子体中的样品施加直流高压的实验工作,工件电压高达-22kV,文中还对相关物理问题进行了定性分析。     

金刚石簿膜淀积过程中微波等离子体特性

一、引言 在金刚石薄膜的制备过程中,人们往往监测成膜过程中的宏观参量,使其工艺的重复性,优选性受到了很大限制。而随着对膜质量和结构的要求越来越高,人们开始开展对低压下合成金刚石机理的研究,但至今未见系统地研究宏观参量与等离子体参量方面的工作报道。     

等离子体源离子注入鞘层随时空演化的数值模拟

在等离子体源离子注入装置中(PSⅡ),靶被直接放入均匀等离子体源中,并在其上加负高压脉冲,从而使靶的周围形成了一个只存在离子的等离子体鞘层,离子以较高速度注入靶中。利用冷流体方程和泊松方程组成的非线性方程组对一维平面几何鞘层时空演化过程进行数值模拟,所采用的负高电势脉冲波形为方波和梯形波,得到了电子密度、离子密度、电势分布的时空演化曲线,并首次对梯形波下降沿时间内鞘层时空演化作了详细讨论。     

等离子体屏蔽效应对离子取出时间影响的实验研究

离子取出时间是原子法激光同位素分离（ＡＶＬＩＳ）过程中决定离子取出效率的关键参数之一，它主要受着等离子体屏蔽效应的影响。文中报告了这方面的实验研究结果。在阐述了等离子体屏蔽效应及存在条件的基础上，通过进行静电场（平行平板电场）收集铯（Ｃｓ）等离子体中铯离子的实验，发现在１０~９－１０~（１１）ｍ~（－３）等离子体密度范围内，离子取出时间与等离子体密度、收集场电压均是几何关系，即。     

HT-7U第一壁材料在HT-7装置中的辐照实验研究

把为HT-7U装置开发的系列碳基面对等离子体材料及其比对样品安装在样品架上，通过磁力传送机构送入HT-7装置刮削层中进行辐照实验研究。经过若干次等离子体放电实验后，取出样品进行表面形貌。表面元素成分及深度分布的X射线光电子能谱分析。结果发展，碳石墨材料的渗杂改性和抗等离子体溅射腐蚀的B4C/SiC梯度功能涂层可以有效地提高其抗待了子体轰击的能力。     

氢离子注入对La2/3Sr1/3MnO3薄膜性能影响的研究

利用脉冲激光沉积(PLD),制备了La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)薄膜.然后在120 keV的能量下,进行了不同剂量(1.0×1012 ion/cm2～1.0×1017 ion/cm2)的H2 离子对LSMO薄膜的注入研究.随着注入剂量的增加,膜的电阻逐渐变大,其Tp转变温度往低温方向变化.当剂量大于等于3.0×1016 ion/cm2时,LSMO薄膜具有了类似半导体的导电行为.X射线衍射(XRD)分析发现:特征峰的位置随着剂量的增加而往低的角度偏移,并且当剂量增加到一定程度时,出现双峰现象.最后研究了LSMO薄膜其磁阻(MR)随温度和磁场的变化关系.     

金刚石膜合成条件下的鞘层与等离子体参数分布

本文报导了在用热阴极直流放电等离子体化学气相沉积（通常也称ＥＡＣＶＤ．即电子辅助化学气相沉积）方法合成金刚石的条件下的等离子体密度、电子温度、等离子体空间电位分布及基片附近等离子体鞘结构，并讨论其对成膜的影响．     

用同电离态离子的光谱线对测量等离子体离子温度

 利用压电晶体驱动Fabry-perot干涉仪并选择合适的板距,通过测量托卡马克等离子体同电离态杂质离子光谱线对的叠加轮廓分布,给出对应的离子温度。该方法的优点是光谱分辨率高,待测谱线有更广泛的选择范围。     

微通道板防离子反馈膜运转的有效性

介绍微通道板Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜的离子透过特性试验方法及结果，给出描述离子反馈膜运转有效性的理论表达式。     

Structural, mechanical and hydrophobic properties of fluorine-doped diamond-like carbon films synthesized by plasma immersion ion implantation and deposition (PIII–D)

Fluorine-doped diamond-like carbon (a-C:F) films with different fluorine content were fabricated on Si wafer by plasma immersion ion implantation and deposition (PIII–D). Film composition and structure were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Raman scattering spectroscopy. Surface morphology and roughness were analyzed by atomic force microscopy (AFM). Hardness and scratch resistance were measured by nano-indentation and nano-scratch, respectively. Water contact angles were measured by sessile drop method. With the increase of the CF₄ flux, fluorine content was gradually increased to the film. Raman spectra indicates that these films have a diamond-like structure. The addition of fluorine to diamond-like carbon films had a critical influence on the film properties. The film surface becomes more smoother due to the etching behavior of F⁺. Hardness was significantly reduced, while the scratch resistance results show that these films have a fairly good adhesion to the substrate. Evident improvements of the hydrophobicity have been made to these films, with contact angles of double-stilled water approaching that of polytetrafluoroethylene (PTFE). Our study suggests that broad application regions of the fluorine-doped amorphous carbon films with diamond-like structure, synthesized by PIII–D, can be extended by combining the non-wetting properties and mechanical properties which are far superior to those of PTFE.     

化学气相淀积中甲烷含量变化的等离子体参数诊断

一、引言 金刚石薄膜以其优异的特性越来越受到人们的重视。人们已用各种方法制备出金刚石薄膜、并详细研究了膜质量、膜的形貌与各种宏观参量的关系。在这里,含碳物源相对于氢气的浓度比对金刚石膜的结构和形貌的影响是相当严重的。从许多报道中可知,当     

等离子体全息干涉条纹的数据处理

本文介绍了用全息干涉法诊断爆炸丝等离子体的数据处理方法。在考虑等离子体区域为轴对称的情况下,给出了由折射率计算等离子体电子密度的计算公式。在爆炸丝能量为9.6J的情况下,拍摄到了延时3μs的爆炸丝等离子体干涉图。运用计算机图象处理技术对反拍后的干涉图进行了处理,获得了较为理想的干涉图。用微机控制的线阵CCD摄像机判读了干涉条纹漂移。给出了等离子体密度随径向分布的曲线,并得到相应的等离子体密度在中心处约为10¹⁶个/cm³。     

识别TdeV托卡马克等离子体的边界和中心位置

用虚壳原理可以得到TdeV托卡马克等离子体边界、电流中心和X点,用最小二乘法可以确定Glad-Shafranov方程解中的待定参数。用探针测量极向磁场,初始时等离子体电流被看作是线电流,然后被虚壳电流代替。这个虚壳电流在等离子体内部产生负的约束磁场,在等离子体外部产生的磁场与等离子体电流产生的磁场一致,所用的叠代法充分快,可以在两次放电间给出等离子体图象,重建的位形与TV成像非常一致。     

离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响

利用质量分离的低能离子束沉积技术,得到了非晶碳膜.所用离子能量为50—200eV,衬底温度从室温到800℃.在沉积的能量范围内,衬底为室温时薄膜为类金刚石,表面非常光滑;而600℃下薄膜主要是石墨成分,表面粗糙.沉积能量大于140eV,800℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管.用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向,离子的浅注入和应力是这种优先取向的主要机理. 关键词： 非晶碳 表面形貌 质量分离低能离子束     

高温超导薄膜微波表面电阻测量标准理论精度修正

高温超导薄膜的表面电阻Rs作为应用超导器件设计和性能衡量的一个重要参数,对超导无源微波元件的设计和开发有很重要意义.准确测量超导薄膜的表面电阻Rs也就非常重要.国际通用的标准测量方案中的理论模型公式是基于高温超导膜无限大的基础上的.考虑到实际超导薄膜的总是有限大的情况,我们从理论上进行了精度分析,在此基础上对此理论模型公式进行了修正,求出基于超导膜有限大时的Rs的表达式,并对两种情况进行了一定的比较.     

由等离子体引出强流离子束的光学数值模拟

本文叙述了中性束注入器中的强流离子源引出系统离子束光学性质的数值模拟方法,并给出了典型计算结果。计算结果表明:用这种方法能反映强流离子源引出系统最本质的束光学性质,可供选取和研究强流离子束光学系统之用。     

升温Ta+N双注入对硬质合金性能的影响

利用升温离子注入技术 ,在PSII装置中实现了N +Ta双注入对硬质合金的有效表面改性 ,注入剂量为8× 10 1 7ions·cm- 2 ,注入表面温度分别为 10 0℃和 40 0℃。用显微硬度计测定硬度 ,表明试样表面显微硬度均有提高 ,其中 40 0℃试样表面显微硬度提高最大 ,高达 2 0 0 %。用俄歇电子能谱分析元素的浓度剖面 ,发现把温度从 10 0℃提高到 40 0℃ ,其注入层深度显著增加。X射线衍射测出了注入层表面形成的WN、TaN析出相。升温双元离子注入取得升温单元离子注入改性同样的效果 ,并获得比单元注入更好的复合优化强化层