硅锗射频集成电路已商品化量产

早在几年以前,ADI公司的设计人员和IBM硅锗制造厂的集成电路设计者就在国际电子器件会议(IEDM,美国加州旧金山)上公布了硅锗技术。几年来,数字电路和模拟电路的设计人员都在期待着出现商用化的、基于硅锗技术的产品。早期的研究成果中有一个8位、IGHz的模数转换器(ADC),它的硅性能可与最好的砷化镓(GaAs)水平相媲美。这也正是硅锗技术的优势:采用硅半导体工艺制造的晶体管,其截止频率(f_T)可以达到100GHz。 然而遗憾的是,早期硅锗工艺的产量很低,硅锗器件非常低的击穿电压也限制了总的功率耗散能力,另外,电     

高速硅闸流管的原理与制造方法

本文介绍高速硅闸流管简要原理制造方法。该器件可用于激光通信、引爆（信）、测距、小型雷达、模拟射击、游戏枪、车辆防碰撞等方面，也可用于各种脉冲电源及脉冲开关上。     

用于无绳电话的硅MMIC功率放大器

最近，德国西门子公司和慕尼黑微电子技术协会，成功研制出完全集成的1．3W硅MMIC。该芯片是用25GHZ的fT，0．8μm三层相互连接的硅双极生产工艺完成的，该功率放大器适用于3．4V至5V的无绳电话手机，其工作频率1．9GHz，输出功率0．4W（26dBm）至1．3W（1．1dBm），功率附加效率达到33％。     

无绳电话中射频变换方式的选择

无绳电话中射频变换方式的选择ＭＡＸＩＭ北京办事处栾成强概述近几年，由于无需申请许可的９００ＭＨｚＩＳＭ波段无绳电话的出现，迫使无绳电话的价格持续下跌。除了价格，选择收发信机结构的主要因素是复杂程度、功耗和外围器件的数量。为此，８０年代初工程师发明了很...     

常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究

介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效果进行检测与分析,证实了该设备对硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性.结果表明,该设备在常压下刻蚀硅,操作简单且不易对材料表面产生损伤.     

高速射频交换矩阵设计

提出应用于通信系统中的基于单刀多掷开关(SPNT)的高速射频矩阵设计,分析射频矩阵设计原理,给出一个L波段的高速射频矩阵详细设计方案,通过实际测试检验,设计满足了预期指标。在目前电子设备综合化发展的趋势下,可以提供良好的射频综合化功能,为电子设备的小型化综合化提供了解决思路。     

一种硅衬底镂空结构的圆形射频微电感

利用MEMS工艺以及硅的湿法刻蚀工艺制作了一种硅衬底镂空结构的圆形射频微电感，并研究了硅衬底背面减薄对射频微电感性能的影响，结果表明：微电感硅衬底经过局部刻蚀减薄后其自谐振频率上升，电感量的频率稳定性提高，而其最大Q值下降。     

硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势

从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。     

硅集成技术对通信工业的巨大影响

日益精细的光刻技术和迅速增长的半导体预算将促进更多的通信系统置于具有最佳性能价格比的单片或多片硅芯片上。未来单片xDSL会成为商业市场和消费市场的主流。     

新型硅铜工艺提升手持设备中射频电子系统性能

安森美半导体公司（ON Semiconductor）近日宣布了一项新的集成无源元件（IPD）工艺技术——IPD2。这项新工艺是该公司增强既有的HighQ硅铜（copper on silicon）IPD技术,第二层的铜层厚度仅为5μm,增强了电感性能,提高了灵活性,配合设计高精度、高性价比的集成无源元件,可用于便携电子设备中的射频（RF）系统级封装应用。     

用于射频集成的高Q硅基电感的优化设计

采用理论分析与电磁仿真结合的方法,对硅上多层金属构成的螺旋电感进行电性能研究,优化并获得一种适用于射频电路集成的硅基射频高Q电感。对于影响电感Q值的多种损耗机制,重点研究了趋肤效应对电感的影响。并通过结构参数及金属层叠优化后,硅上电感的Q值可以达到60以上,自谐振频率可以达到10 GHz以上,可以较好地应用于射频系统中的滤波选频及匹配等网络。     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

基于硅表面加工工艺的射频体声波滤波器研究

计算并讨论了由电极－压电薄膜－电极的三明治结构组成的体声波谐振器在有衬底情况下的阻抗，特别说明了厚的支撑膜对滤波器性能的严重影响。同时比较了在制作体声波滤波器时硅的体加工工艺和表面加工工艺的优劣，给出了利用硅的表面加工工艺制作的射频体声波滤波器的设计。     

适用于高品质射频集成电感的多孔硅新型衬底制备技术

提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构.ASITIC模拟证明,该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子.采用此工艺,在固定腐蚀液配比的条件下,变化电流密度和阳极氧化时间,制备出了高质量的厚膜多孔硅,并测量了多孔硅的生长厚度、孔径大小和表面形貌,得出了多孔硅生长速率随阳极氧化时间和电流密度的变化关系,为背向选区腐蚀工艺制备高品质硅基集成电感奠定了理论和实验基础.     

适用于高品质射频集成电感的多孔硅新型衬底制备技术

提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构．ASITIC模拟证明，该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子．采用此工艺，在固定腐蚀液配比的条件下，变化电流密度和阳极氧化时间,制备出了高质量的厚膜多孔硅，并测量了多孔硅的生长厚度、孔径大小和表面形貌，得出了多孔硅生长速率随阳极氧化时间和电流密度的变化关系，为背向选区腐蚀工艺制备高品质硅基集成电感奠定了理论和实验基础．     

四通道高速数据采集系统设计

为满足合成孔径雷达中对宽带I,Q基带信号数据采集存储的迫切需求,介绍了一种基于高速AD器件,以大容量FPGA为核心的高速数据采集系统设计方法。利用高速ADC器件实现对宽带I,Q信号采样,FPGA完成AD的参数配置、高速数据缓存及各种时序控制,实现了四通道500MSPS的高速数据同步采集与传输。测试结果显示：系统动态范围大,信噪比高。系统为标准6U插件,电路实现简单、使用灵活,已成功应用于多个雷达系统中完成各项实验。     

基于微纳结构的硅基高速探测器研究进展

传统平面入射型硅基探测器由于近红外吸收系数低,存在响应速度和探测效率的冲突,被认为不适用于短距离光纤通信领域。微纳结构可有效提高等效光程,使入射光被吸收层充分吸收,提高光电器件的量子效率,广泛应用于太阳电池、近红外增强探测器等领域。近期,研究者基于陷光微结构,实现了数据传输速率达20Gb/s以上、与CMOS工艺兼容的硅基高速探测器,展现出了广阔的发展前景。文章对微纳结构的优化设计、制备方法、基于微纳结构的硅基高速探测器的研究进展进行了综述和分析。     

用于2.4GHz射频识别的硅基集成小环天线的仿真与设计

以应用于2.4GHz频段的射频识别标签为背景,对硅基集成小环天线的阻抗特性和辐射特性进行了理论计算和仿真,并以仿真结果为依据,设计了一个用于2.4GHz频段射频识别标签的硅基集成天线。文中同时给出了天线设计时的一些调节和优化方法。测试结果表明,利用1.8mm×1.8mm的硅基集成天线,在等效发射功率为25dBm时,通过整流电路可以输出1.2V电压、15μA负载电流。