静电除尘演示器

用1mm厚的有机玻璃粘一个长方体盒子,尺寸为80×60×30mm~3.以最小面为底面竖放,在80×60mm~2两面外壁用与该面等大金属板作电极,内壁贴几层打字蜡纸下面     

显影终点的观察

在使用发射光谱方法测定微量金时,常常会出现这样的情况:用Au267.6nm线和用Au312.2nm线计算的结果不一样,例如,综-1号样,用267.6nm线计算的结果是2.7×10~(-9),而用312.2nm线计算的结果是3.4×10~(-9);综-2号样,用267.6nm线计算的结果是74×10~(-9),而用312.2nm线计算的结果则是63×10~(-9)。也就是说,在较低浓度时,用267.6nm线计算的结果偏低,用312.2nm线计算结果偏高;而在较高浓度时,用267.6nm线计算的结果偏高,用312.2nm线计算的结果偏低。如图1所示,与显影最佳谱板的黑度比较可知,这种情况属于显影不足。     

电场测绘实验中器材选用原则的研讨

利用稳恒电流场模拟静电场完成《电场中等势线的描绘》是中学新加的一个好实验,目前,对本实验中器材如何选用,还未见到较为系统的理论资料,使得完成实验处于被动和盲目状态。实验的主要器材有:导电纸、测量电表、电源、电极等,而这些器材本身各有不同规格,应该怎样选择是本文讨论的中心。测绘实验要求测绘误差不大于0.1×10~(-3)m,本实验就要求能把沿电力(流)线方向上相距0.1×10~(-3)m间电势差反映在电表上,以满足要求。为此我们选取导电纸上电势梯度最小的中部两个相距为△d=0.1×10~(-3)m的等势线a、b(a,b接近平行)间的导电纸为研究对象(如图1所示)。     

Adsorption geometry of glycine on Cu（001） determined with low—energy electron diffraction and scanning tunnelling microscopy

Using low-energy electron diffraction (LEED) and scanning tunnelling microscopy (STM) it has been found that glycine molecules adsorbed on Cu(001) can form but only the (2×4) and c(2×4) superstructures. On the basis of the missing LEED spots of the surface, it has been concluded that: each (2×4) unit cell consists of two molecules, one being the mirror image of the other; the C－C axis of both molecules lies in the mirror plane of the Cu substrate without a significant shift and twist from the plane; and the two O atoms of the carboxylate group of both molecules locate at the same height level without significant buckling. According to these conclusions, a structural model has been proposed for the (2×4) superstructure (a model for the c(2×4) superstructure already exists). We argue that the (2×4) and c(2×4) superstructures must have similar specific surface free energy, that their hydrogen bonds must be of N-H-O_II type, and that their local adsorption geometry must be similar or even the same. The advantage of combining STM with LEED to determine surface structures is clearly demonstrated.     

用低能电子衍射研究氢在Si(100)表面吸附引起的相变

描述了用低能电子衍射(LEED)研究不同温度下在Si(100)-c(8×8)表面吸氢引起的一系列相变过程。实验发现:在液氮温度下,在Si(100)-c(8×8)表面连续吸氢将引起表面经Si(100)-(4×1)-H向(2×1)-H最终向(1×1)-H转变;而在从700℃到室温间的不同温度下饱和吸氢,实验中观察到:Si(100)-c(8×8)表面将先转变至Si(100)-c(4×4)-H,然后至(2×1)-最终至(1×1)-H。     

电子秤原型

用电阻应变片、电阻箱和光点反射式检流计搭成桥路.Rx1、Rx2、是同规格的电阻应变片,分别贴在40×3×1mm的钢片两面作温度补偿,钢片的一端固定成悬臂梁,一端挂砝码盘,用来加载. 1.测量电桥灵敏度和指示器灵敏度的乘积决定 通过测量,让学生总结出电桥灵敏度与桥路所加电压、检流计灵敏度、桥臂电阻之间的关系. 2.测量应变 电阻应变片的结构如图2.敏感栅是应变片中把应变量转换成电阻变化量的传感部分,它是用金属丝或半导体材料制成的单丝或栅状体.当应变片所受应力沿应变片的主轴(即栅丝)方向时,应变片的电阻变化率和应变片的应变成正比,即…     

PT-PEK-c电光聚合物薄膜的厚度和介电性质

研制了新的PT-PEK-c电光聚合物薄膜材料,用准波导耦合m线方法测量了PT-PEK-c电光聚合物薄膜的厚度,并测量了该聚合物薄膜在1×10²Hz到1×10⁷Hz频率范围内的室温介电常数.测量结果为:厚度d=2.328±0.315μm,在10KHz下,介电常数ε_r＝4023±0.063,介电损耗tanδ＝0.003.     

电感耦合等离子体发射光谱法测定有机染料油溶红中八个杂质元素

本文提出用电感耦合等离子体发射光谱法 (ICP- AES)同时测定有机染料油溶红产品中 Fe、Al、Cu、Pb、 Zn、 Cr、 Mn、 Ti等八个杂质元素的分析方法。试样前处理采用 H2 SO4、 HNO3分步炭化 ,5 0 0℃灰化 ,灰分用 HCl+ H2 O2 预溶解 ,再用 VHCl∶ VHNO3 =1∶ 1混酸提取。该法检出限 :0 .15 (mg· L- 1 ) Fe;1.7×10 - 2 (mg· L- 1 ) Al;5 .0× 10 - 3 (m g·L- 1 ) Cu;0 .2 0 (mg· L- 1 ) Pb;2 .7× 10 - 2 (mg· L- 1 ) Zn;5 .7×10 - 3 (m g· L- 1 ) Cr;1.3× 10 - 3 (m g·L- 1 ) Mn;2 .1× 10 - 3 (mg· L- 1 ) Ti。精密度 RSD(n =5 ) 0 .8%～ 2 1.5 %。加标回收率 84.6 %～ 118.6 %。     

一道内涵丰富的习题

各种版本的中专物理教材里，都有一道内涵丰富的习题：如图1，在磁感应强度为0．1T的匀强磁场中，有一竖直金属框ABCD(电阻不计)，上面接一长度为0．1m，m=0．2g，电阻为0．2Ω的金属丝ab，金属丝由于重力作用而下落(不计摩擦，金属框很长)，问：     

Structure distortion, optical and electrical properties of ZnO thin films co-doped with Al and Sb by so--gel spin coating

ZnO thin films co-doped with Al and Sb with different concentrations and a fixed molar ratio of AlCl₃ to SbCl₃ at 1:2, are prepared by a sol--gel spin-coating method on glass annealed at 550 ℃ for 2 h in air. The x-ray diffraction results confirm that the ZnO thin films co-doped with Al and Sb are of wurtzite hexagonal ZnO with a very small distortion, and the biaxial stresses are 1.03×10⁸, 3.26×10⁸, 5.23×10⁸, and 6.97×10⁸ Pa, corresponding to those of the ZnO thin films co-doped with Al and Sb in concentrations of 1.5, 3.0, 4.5, 6.0 at% respectively. The optical properties reveal that the ZnO thin films co-doped with Al and Sb have obviously enhanced transmittance in the visible region. The electrical properties show that ZnO thin film co-doped with Al and Sb in a concentration of 1.5 at% has a lowest resistivity of 2.5Ω·cm.     

Rb（5PJ）＋Rb（5PJ）→Rb（5JS）＋Rb（nl=5D，7S）碰撞能量合并

研究了Rb(5PJ)+Rb(5PJ)→Rb(nlJ')+Rb(5S)碰撞能量合并过程,利用单模半导体激光器分别共振激发Rb原子的5P1/2或5P3/2态,利用另一与泵浦激光束反向平行的单模激光束作为吸收线探测激发态原子密度及其空间分布,吸收线分别调至5P1/2→5D3/2和5P3/2→7S1/2跃迁.由激发态原子密度和谱线荧光比得到碰撞能量合并过程的截面,对5P3/2激发,碰撞转移得到5D5/2,5D3/2和7S1/2的截面分别是(1.32士0.59)×10-14,(1.18士0.53)×10-14和(3.21士1.44)×10-15cm2;对5P1/2激发,碰撞转移到5D5/2和5D3/2的截面分别是(6.57士2.96)×10-15和(5.90士2.66)×10-15cm2.与其他的实验结果进行了比较.     

高Tc超导GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜双晶晶界结及双晶结光探测器

在晶界夹角分别为 2 4°,3 2°的 YSZ双晶基片上 ,制备了高 Tc Gd Ba2 Cu3O7-δ双晶超导薄膜 ,采用光刻技术在晶界上刻出了两种不同尺寸的双晶晶界结 ,在液氮温度下观测了结的直流 I-V特性 ,用 1 0 GHz微波辐照双晶结结区 ,观察到了结临界电流的压缩和 Shapiro台阶 ,表明双晶结具有约瑟夫逊弱连接行为。用上述双晶结进行光探测 ,用波长为 0 .63 2 8μm的 He-Ne激光器辐照结区 ,系统的观测了其光响应特性 ,结果如下 :噪声等效功率 NEP =1 .9× 1 0 - 1 3W,归一化探测率 D*=5.3× 1 0 9cm Hz12 W- 1 ,响应率 Rv =4 .2× 1 0 7V/W,响应时间 τ<6.3 5× 1 0 - 7s     

Effects of Proton Irradiation on a CMOS Image Sensor

We perform 9 MeV proton irradiation of a complementary metal oxide semiconductor （CMOS） image sensor at doses from 1 × 10^9 to 4 × 10^10 cm^-2. In general, the average brightness of dark output images increases with an increasing dose, and reaches the maximum at 1 × 10^10 cm^-2. The captured colour images become very blurry at 4 × 10^10 cm^-2. These can be explained by change of concentrations of irradiation-induced electron-hole pairs and vacancies in the various layers of CMOS image sensor calculated by the TRIM simulation programme with dose.     

不同直径金属丝框对测定液体表面张力系数的影响

用拉脱法测定液体表面张力系数的实验中,实验室只提供唯一直径的金属丝框,且将液膜看成一规则长方体进行数据处理,在此我们进行了修正并用不同直径的金属丝框测定纯净水的表面张力系数,以期给出适合于普通物理实验室使用的金属丝框直径的合理性建议。     

被损坏教学用弹簧的修复

测定液体表面张力系数用的弹簧（焦利民秤附件）因学生使用多年而被损坏，我们采用以下步骤加以修复，取得了良好的效果．一、修复过程1．修复前的测量修复前光测量破损坏弹簧的平放自然长度和悬挂自然下垂长度，再测量弹簧的地强系数（见表1），以便与修复后的弹簧进行比较．2．拉伸金属丝顺着原弹簧弯曲的方向拆开废旧弹簧，用适当的力量拉直金属丝，尤其要把小弯拉直．金属丝拉直与否，是本修复过程是否成功的关键所在．3．绕制用早已铣好的模具（锥形、柱形各一套）缠绕弹簧．在绕制过程中，让金属丝一端固定，用适当力量拉紧金属丝与模…     

Ag+-Li+离子交换制作Er3+/Yb3+共掺磷酸盐玻璃平面光波导

制备了化学稳定的Er3+/Yb3+共掺的磷酸盐玻璃,并在其中制作了用于光放大器和激光器的平面光波导.这种磷酸盐玻璃的失重速率为4.7×10－5g·cm－2·hr－1,小于Kigre公司商业化的磷酸盐玻璃QX/Er的失重速率.采用Ag+-Li+交换技术制作了平面光波导并用m-线光谱在632.8 nm测量了平面光波导的有效折射率.根据反WKB法得到折射率形貌,计算了离子交换参数如:离子交换深度、表面折射率,折射率改变和扩散系数等.     

绳子被剪断以后

问题:如图1所示,质量为m的小球,用两根轻绳悬挂起来而静止.AB线跟竖直方向成θ角,BC线水平,若BC线被剪断,求小球的合力方向及AB绳的张力(AB长为ι). 分析:绳子剪断前,小球受重力G、AB绳的张力T和BC绳的张力T1.将重力G按图2分解,由平衡力的     

静电场一章物理量符号的确定

我们先看一例题 ,一个电子在一匀强电场中的点 A受到 8× 10 -1 3 N的电场力作用 ,问该电场的场强是多少 ?如果电子在电场力的作用下沿电场力方向运动到 1cm远的点 B,问它的电势能有多大的变化 ?A、 B两点的电压是多少 ?题解需列出以下等式 :E=F/q=8× 10 -1 3 /1.6× 10 -1 9=     

小议安培力

编辑同志 :本人在学习文献 [1 ]的过程中感到§ 1 1 -8“磁场对载流导线的作用”中对安培力起源的解释有值得商榷之处 .文中说 :“这些正离子所受霍耳 (应为霍尔———编者注 )电场的合力的宏观效果便是电流元在磁场中所受的安培力ｄＦ =ｄＮＦ+=-ｄＮｅｖ×Ｂ =-ｎＳｅｖｄＬ×Ｂ =ＩｄＬ×Ｂ (1 1 -3 9)式中ＩｄＬ =-ｎｅｓｖｄＬ ,……”以上这段文字对安培力来源的说法并不确切 .因为正离子所受到霍尔电场的合力也有其反作用力 ,这个反作用力便作用在导线上、下两侧面上 ,而正离子与导线上、下两侧面同属于导线这个系统 .正离子受到的霍…     

Design and development of compact readout electronics with silicon photomultiplier array for a compact imaging detector

This work aims at developing compact readout electronics for a compact imaging detector module with silicon photomultiplier (SPM) array. The detector module consists of a LYSO crystal array coupling with a SensL's 4×4 SPM array. A compact multiplexed readout based on a discretized positioning circuit (DPC) was developed to reduce the readout channels from 16 to 4 outputs. Different LYSO crystal arrays of 4×4, 8×8 and 12×12 with pixel sizes of 3.2, 1.6 and 1.0 mm respectively, have been tested with the compact readout board using a ¹³⁷Cs source. The initial results show that the compact imaging detector module with the compact multiplexed readout could clearly resolve 1 mm× 1 mm× 10 mm LYSO scintillation crystal array except those at the edges. The detector's intrinsic spatial resolution up to 1 mm can be achieved with the 3 mm×3 mm size SPMArray4 through light sharing and compact multiplexed readout. Our results indicate that this detector module is feasible for the development of high-resolution compact PET.