S25光电阴极与景物反射光谱的光谱匹配系数Ⅰ.暗绿色涂层和绿色草木

从光电器件对光源的响应率出发,引伸出光电极与景物之间的光谱匹配纱数表达式,计算了Ｓ２５光电阴极与暗绿色涂层和绿色草木的光谱匹配系数。Ｓ２５１光电阴极在满月光下,对暗绿色涂层的光谱匹配系数为０．５５１２,对绿色草木为０．２７８３;在晴朗星光下,则分别为０．２６６２和０．１２５５;对Ｓ２５２光电阴极,前者分别为０．７１７４和０．６８２０,后者分别为０．５７４１和０．４８４０。计算结果对夜视系统视距估算     

激活台内透射式GaAs光电阴极的光谱响应特性研究

利用在线光谱响应技术,对透射式GaAs光电阴极在高温激活和低温激活后的光谱响应特性进行了测试,计算并比较了高温激活和低温激活后阴极的积分灵敏度和光谱响应特性参数.结果发现,与高温激活相比,低温激活后GaAs光电阴极的积分灵敏度提高了13％,低温激活后阴极的截止波长和峰值波长均向长波有微小偏移.将已获得的测试曲线与铟封后的三代像增强器的光谱响应曲线进行了比较,结果发现铟封前后的光谱响应曲线存在明显差异.     

Super S_(25)与New S_(25)光电阴极的光谱响应特性的数值模拟

根据多碱光电阴极的光谱响应理论表达式 ,对荷兰DEP公司和日本Hamamatsu公司美国分公司开发的两种SuperS2 5阴极的光谱响应曲线进行了理论模拟 ,得到了这些阴极的有关特性参量 ,并通过对模拟结果的分析以及与美国夜视实验室研制的NewS2 5光电阴极特性的比较 ,揭示了两种SuperS2 5光电阴极内在机理和可能采用的工艺处理方法 ,对多碱光电阴极的理论研究和实际操作具有指导意义     

“超Ⅱ代像增强器”光电阴极成分控制原理研究

本文研究了用光电阴极反射率预测和确定多碱阴极的厚度和成分,并用反射率和光谱响应对其进行控制。如果用５２０ｎｍ单色光源来测量反射率和光谱响应,则“超Ⅱ代像增强器”的光电阴极的厚度应在１２０ｎｍ左右,即峰值ＲＭ３出现后,Ｓ／Ｓｍａｘ约为６０％时。根据（ＲＭ１,ＲＭ）和（ＲＭ,ＲＭ２）确定ｎ、ｋ值以及光电流在光谱响应峰值前的稳定上升和峰值后的近似线性下降规律通过调节锑、钾、钠源蒸发速率控制阴极成分。     

Super S25与New S25光电阴极的光谱响应特性的数值模拟

根据多碱光电阴极的光谱响应理论表达式,对荷兰DEP公司和日本Hamamatsu公司美国分公司开发的两种Super S₂₅阴极的光谱响应曲线进行了理论模拟,得到了这些阴极的有关特性参量,并通过对模拟结果的分析以及与美国夜视实验室研制的New S₂₅光电阴极特性的比较,揭示了两种Super S₂₅光电阴极内在机理和可能采用的工艺处理方法,对多碱光电阴极的理论研究和实际操作具有指导意义.     

Φ25／25像增强器的厚三碱光电阴极制备

本文讨论２５／２５像增强器的厚三碱光电阴极制备工艺和改进要点。     

对三代微光管光谱响应的测试分析

利用自行研制的光谱响应测试仪对国产三代微光管进行了光谱响应测试,给出了三代微光管的光谱响应特性,利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极材料的性能参数。结果显示该三代微光管的积分灵敏度约800μA/lm左右,所选GaAs材料的电子扩散长度为2.0μm,与1.6μm的阴极厚度相当,电子表面逸出几率为0.38,后界面复合速率为106cm/s。发现GaAs材料的扩散长度偏低,以及阴极的后界面复合速率太大是限制三代微光管光电发射性能进一步提高的重要原因。     

多碱光电阴极光谱响应峰值位置移动技术研究

研究字多碱光电阴极光谱响应峰值位置移动技术。利用多碱光电阴极多信民测控技术，可以控制光电阴极光谱响应峰值位置，以满足不同性能光电管光谱匹配的需要，对夜天光辐射以及一些材料的光谱反射，利用多信息量测控技术，可以将多碱光电阴极的光谱响应峰值移至０．８μｍ处。     

砷化镓光电阴极光谱响应与吸收率关系分析

为了研究砷化镓(GaAs)光电阴极光谱响应与吸收率曲线间的关系,采用分子束外延法(MBE)和金属有机化合物化学气相沉积法(MOCVD)制备了两类GaAs光电阴极,并测试得到了样品吸收率和光谱响应实验曲线.对每个样品的这两条曲线在同一坐标系中做最大值归一化处理,将归一的光谱响应曲线与归一的吸收率曲线做除法,得到了类似光电阴极表面势垒的形状.结果表明,两种方法制备的光电阴极光谱响应曲线相比吸收率曲线都发生了红移,MBE样品偏移量稍大于MOCVD样品.短波吸收率不截止,光谱响应截止于500 nm左右;可见光波段上,光谱响应曲线的峰值位置相比吸收率曲线红移了几百meV;近红外区域,光谱响应曲线的截止位置相比吸收率曲线红移了几个meV.MOCVD样品中杂质对带隙的影响更小,光谱响应相比吸收率发生的能量偏移更小.这些结论对提高GaAs光电阴极光电发射性能有指导意义.     

反射式NEA光电阴极Cs-O层厚度的在线测试

提出了对NEA光电阴极的Cs-O层厚度进行在线测试方法,介绍了NEA光电阴极评估系统的结构,随后介绍了在NEA光电阴极制备过程中的光谱响应的变化,得到了响应曲线。通过对响应曲线的在线测试,以获得NEA光电阴极Cs—O层的最佳厚度,根据实验结果提出了结论。     

S-25与地NewS-25光阴极光谱响应特性的研究

本文研究了S-25与NewS-25光阴极的光谱响应特性.在850～1000nm范围光谱响应的提高主要归因于阴极层较厚,具有较大的阴极结构参量和截止波长.这既体现了NewS-25光阴极的优越性,也代这表了多碱阴极的发展方向.     

The effect of Be-doping structure in negative electron affinity GaAs photocathodes on integrated photosensitivity

A new structure of GaAs photocathode was introduced. The Be-doping concentration is variable in the new structure compared with the constant concentration of Be in the normal photocathode. Negative electron affinity GaAs photocathodes were fabricated by alternate input of Cs and O. The spectral response results measured by the on-line spectral response measurement system show that the integrated photosensitivity of the photocathodes with the new structure is enhanced by at least 50% as compared to those with the monolayer structure. Accordingly, two main factors leading to the enhanced photosensitivity of the photocathodes were discussed.     

软X射线条纹相机光阴极能谱响应灵敏度

通过对条纹相机光阴极在光电转换过程中光电子产生过程的分析,推导了光阴极在软X射线波段的能谱响应灵敏度计算公式,并运用该公式探讨了阴极厚度、掠入射角度等参数对能谱响应灵敏度的影响,计算并分析了Au,CsI在0.1~10keV范围内的能谱响应曲线和特性,并利用标定试验数据对共识和模型的可靠性进行了验证。结果表明,CsI阴极的最佳厚度在60nm左右,Au阴极的最佳厚度在10nm左右;CsI阴极的能谱响应灵敏度比Au阴极高1~2量级。     

指数掺杂反射式GaAlAs和GaAs光电阴极比较研究

采用指数掺杂技术, 通过金属有机化学气相沉积法外延生长了反射式GaAlAs和GaAs光电阴极, GaAlAs发射层的Al组分设计为0.63. 在超高真空系统中分别对两种阴极进行激活实验, 得到激活后的光谱响应曲线. 利用指数掺杂反射式光电阴极量子效率公式对实验曲线进行拟合并分析了电子漂移扩散长度、后界面复合速率、表面电子逸出几率等性能参数对光电发射性能的影响. 结果表明, 与GaAs光电阴极相比, GaAlAs光电阴极的Al组分虽然在一定程度上不利于光电发射, 但是解决了GaAs光电阴极由于响应波段宽而不能很好地用于窄波段可见光探测领域的问题, 制备出只对蓝绿光响应的反射式GaAlAs光电阴极.     

GaAs光电阴极与景物反射光谱的光谱匹配系数

本文根据光谱匹配系数的表达式,计算了GaAs光电阴极与暗绿色涂层、粗糙混凝土和绿色草木的光谱匹配系数.在满月光下,其结果分别为0.4519、0.5184 和0.6927;在晴朗星光下,分别为0.5866、0.6125和0.6513并分析比较了GaAs和两种S₂₅光电阴极与景物反射光谱的光谱匹配系数,说明具有良好观测效果的三代夜视仪是与光电阴极与景物反射光谱之间良好的匹配程度分不开的.     

GaAs光电阴极光谱响应曲线形状的变化

利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响应曲线,测试结果显示在这两个过程中光谱响应曲线形状都在不断发生变化。在激活过程中随着GaAs表面双偶极层的形成,阴极表面有效电子亲和势不断降低,光谱响应则不断提高,但长波响应提高得更快。在激活结束后,位于激活室中受白光照射的GaAs光电阴极由于Cs的脱附影响了双偶极层结构,阴极表面有效电子亲和势不断升高,光谱响应则不断下降,但长波响应下降得更快。上述现象无法用常用的反射式阴极量子效率公式进行解释,它们与阴极高能光电子的逸出有关。由于反射式阴极发射电子能量分布随着入射光子能量的升高而向高能端偏移,同时阴极表面势垒形状的变化对低能电子比对高能电子的影响更大,从而导致了光谱响应曲线形状的变化。     

近紫外波段NEA GaN阴极响应特性的研究

为了深入理解近紫外波段NEA GaN阴极的光谱响应特性, 在超高真空系统中对MOCVD生长的不同发射层厚度和掺杂浓度的三个样品进行激活实验, 并在线测试样品光谱响应. 利用反射式GaN阴极量子效率公式和最小二乘法对入射光波长为0.25—0.35 μ之间的 阴极响应量子效率实验数据进行拟合, 分别得到后界面复合速率和拟合直线L的斜率, 并使用量子效率公式对入射光波长为0.35 μ时的反射式GaN阴极光谱响应量子效率进行仿真. 结果表明, 后界面复合速率和直线v的斜率都能很好地反映GaN阴极的响应性能, 当GaN阴极后界面复合速率小于10⁵ cm/s, 发射层的厚度取0.174—0.212 μ时, 阴极光谱响应性能最好. 关键词： 反射式GaN 势垒 最小二乘法 后界面缺陷     

负电子亲和势GaN光电阴极光谱响应特性研究

针对负电子亲和势（NEA） GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEA GaN光电阴极的光谱响应,给出了230—400 nm波段内反射模式NEA GaN光电阴极的量子效率曲线.测试结果表明：反射模式下NEA GaN光电阴极在230nm具有高达37.4%的量子效率,在GaN光电阴极阈值365 nm处仍有3.75%的量子效率,230 nm和400 nm之间的抑制比率超过2个数量级.文中还结合国外的研究结果,综合分析了影响量子效率的因素. 关键词： 负电子亲和势 GaN光电阴极 光谱响应 反射模式