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在理论分析设计的基础上,进行了GaAs/GaAlAs定向耦合器型波调制器试验,建立了器件行波电极微波特性的测试系统,由此系统进行实验确定器件最佳结构参数,完成器件的制作,器件采用共平面波电极,击穿电压28V。用1.06μmYAG激光器进行测试,开关电压8.5V。由微波网络分析仪测试器件行波电极的微波特性,测得电极中微波与波导中光波间的速率失配小于3%,且在30GHz下,微波传输损耗小于30dB表明 相似文献
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GaAs非对称X结波导混合耦合器的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本文报道了GaAs非对称X结波导耦合器的工作原理。该器件制作在n^-/n^+GaAs外延材料上。文中采用有效折射率法分析了这个耦合器的分离角、波导脊高及其两个非对称波导传播常数差之间的关系。器件在λ=1.15μm下测量,得到了小于-2.9dB的分光性能和小于-20dB的串音比。 相似文献
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GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器:1.设计 总被引:1,自引:0,他引:1
从理论上重点分析和研究了器件行波电极的微波特性,在半绝缘GaAs衬底上设计了具有n^+重掺杂外延层和共平面电极的GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器,针对实验中发现的行波电极上微波的高传输损耗问题。分析了起因并提出了器件的改进设计方案,从而设计出可达到35GHz带宽的高速调制效应的光波导调制器。 相似文献
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用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi ̄+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al_(0.3)G_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和Al_xGa_(1-x)As中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。 相似文献
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由于GaAs与AlAs晶格常数相近,GaAs晶格常数为0.56535nm,AlAs的晶格常数为0.56605nm,当固熔体中Al组份x值从0变到1时,晶格常数变化约为0.15%.因此,在GaAs衬底上生长Ga1-xAlxAs时,在界面处的失配位错少,... 相似文献
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MA Chunsheng 《Chinese Journal of Lasers》1994,3(4):331-337
Birefringenceof(Al)GaAs/AlGaAsmultiplequantumwellopticalwaveguides¥MAChunsheng(DepartmentofElectronicEngineering,NationalInte... 相似文献
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采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阶(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10dB。所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10fJ/(μm) ̄2,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作。 相似文献
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设计了一种新型半导体集成光源--AlGaAs短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,采用直接耦合方式将超辐射发光与光放器集成在一起,在脉冲条件下获得了输出功率为57mW的超辐射,谱线宽度FWHM为20nm,放大器的增益为21dB。 相似文献
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通过对描述半导体激光器基本光波导方程的数值求解,分析了AlGaAs/GaAs分别限制量子阱激光器的光学限制特性,比较了不同缓变结构及多量子阱结构的光学限制因子。 相似文献
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用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al0.3G0.7As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和AlxGa1-xAs中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。
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GaAs中的离子注入技术 总被引:1,自引:0,他引:1
在GaAs集成电路和器件研制中,离子注入是关键技术之一.介绍了用离子注入GaAs形成n型和p型区,以及离子注入p型和n型GaAs形成绝缘层、形成n+GaAs深埋层等重要技术.对有关物理机制进行了讨论并提出了一些新见解;该离子注入新工艺已经应用于GaAs器件和集成电路的研制,获得了多种新型器件. Optical and electrical properties of Si GaAs wafers implanted with Si+, S+, Be+, Mg+, B+, O+ have been investigated in this paper. 相似文献
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报导了InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs垂直耦合量子结在注入式激光器的制备工艺及其光致荧光谱,量热吸收谱和电致荧光谱的特性,该激光器的连续波波发光功率在室温下可达1W。 相似文献
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High Performance AlGaAs Quantum Well Lasers with Low Beam Divergence Grown by Molecular Beam Epitaxy
YANG Guowen XIAO Jianwei XU Zuntu XU Junying ZHANG Jingming CHEN Lianghui WANG Qiming 《Chinese Journal of Lasers》1995,4(4):289-294
HighPerformanceAlGaAsQuantumWellLaserswithLowBeamDivergenceGrownbyMolecularBeamEpitaxy¥YANGGuowen;XIAOJianwei;XUZuntu;XUJunyi... 相似文献
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研究了退火条件和 In 组份对分子束外延生长的 In Ga As 量子点(分别以 Ga As或 Al Ga As 为基体)光学特性的影响。表明:量子点中 In 含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的 Al Ga As 基体可增强材料的热稳定性。以 Al Ga As 为基体的 In Ga As 量子点,高温后退火工艺 ( T= 830℃)可改善低温生长的 Al Ga As 层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量。 相似文献