离子注入掺杂热再分布的分析计算

本文对离子注入杂质的熟再分布过程提出了两种分析手段，其一是已知热再分布的工艺条件，求解扩散方程得到最终杂质分布的解析结果；其二是已知再分布后杂质分布的边界条件，采用牛顿—拉夫逊。蒙特卡罗计算方法，求得最终杂质浓度分布；并给出了CMOS集成电路中离子注入p阱的计算结果。     

硅中离子注入掺杂原子的增强扩散系数的分布

本文利用离子注入掺杂原子在热退火过程中的浓度分布SIMS数据计算了增强扩散系数的深度分布.这种增强扩散系数的分布反映了离子注入产生的损伤和缺陷分布及热运动特性     

用离子注入方法实现P型掺杂

讨论用B^ 离子注入实现P型掺杂的原理及方法。     

热迁移掺杂浓度分布的测量

本文介绍了一种热迁移掺杂后形成的片状掺杂区纵向浓度分布的测量方法，并实际测量了约１０００微米范围内的浓度分布。对计量公式和测量误差也给了较为详细的推导和分析。实测发现热迁移掺杂后反型层的杂质浓度基本上是一恒量。     

GaN的离子注入掺杂和隔离

在ＧａＮ中注入Ｓｉ＾－和Ｍｇ＾＋／Ｐ＾＋之后，在约１１００℃下退火，分别形成ｎ区和ｐ区。每种元素的注入剂量为５×１０＾１４ｃｍ＾－２时，Ｓｉ的截流子激活率为９３％，Ｍｇ的是６２％。相反，在原ｎ型或ｐ型ＧａＮ中注入Ｎ＾＋，然后在约７５０℃下退火，能形成高阻区（＞５×１０＾９Ω／□）。控制这些注入隔离材料电阻率的深能态激活能在０．８－０．９ｅＶ范围内，这些工艺参数适用于各种不同的ＧａＮ基电子和光器件。     

φ3英寸GaAs离子注入掺杂材料研究

详细介绍了φ３英寸ＧａＡｓ离子注入掺杂材料的制备结果。     

国外离子注入机发展动态

国外离子注入机发展动态随着超大规模集成电路的迅速发展，为适应中００、０．５μｍ工艺的需求，国外出现了多种新型的中束流、大束流、高能离子注入机，现将其现状介绍如下：新型中束流离子注入机大多采用平行束扫描方式、束的平行度优于０．５度。２００ｍｍ晶片内注入...     

氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂

通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂;随着注入剂量的增加,氮化硼薄膜的电阻率降低.真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高.在离子注入剂量为1×1016cm-2时,在600℃的温度下退火60min后,氮化硼薄膜的电阻率为2.20×105 Ω·cm,比离子注入前下降了6个数量级.     

氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂

通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂，采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法，文中则采用S离子注入方法. 氮化硼薄膜用射频溅射法制得. 实验结果表明，在氮化硼薄膜中注入S，可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂；随着注入剂量的增加，氮化硼薄膜的电阻率降低. 真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高. 在离子注入剂量为1E16cm-2时，在600℃的温度下退火60min后，氮化硼薄膜的电阻率为2.20E5Ω·cm，比离子注入前下降了6个数量级.     

氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂

通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂;随着注入剂量的增加,氮化硼薄膜的电阻率降低.真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高.在离子注入剂量为1×1016cm-2时,在600℃的温度下退火60min后,氮化硼薄膜的电阻率为2.20×105 Ω·cm,比离子注入前下降了6个数量级.     

CCD多晶硅离子注入掺杂工艺研究

研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比研究,发现离子注入掺杂制作的多晶硅栅质量优于扩散掺杂制作的多晶硅栅,这有利于CCD输出均匀性的提高.对两种多晶硅掺杂方式的工艺集成条件进行对比,多晶硅掺杂采用离子注入方式其工艺步骤更简单,工艺集成度更高.     

氮生长掺杂和离子注入掺杂CVD金刚石薄膜的场电子发射

本文研究了氮生长掺杂和离子注入掺杂金刚石薄膜的场电子发射性能．测试结果表明,两类样品均显示良好的发射性能,即开启电压低（５０～１５０Ｖ）、发射电流大（６～３０ｍＡ）,但它们有不同的发射行为：注入掺杂样品存在发射电流的饱和与滞后、开启电压的前移现象,而生长掺杂样品的发射符合Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ理论．实验还得到了用于生长场发射阴极薄膜的最佳掺杂氮碳流量比为～４２％．     

GaAs超高速门阵列集成电路Se离子注入技术研究

采用室温下Ｓｅ＾＋离子注入半绝缘ＧａＡｓ衬底，通过优化注入能量，剂量，注入角度及快速热退火温度，时间，获得了高剂量下杂质激活率大于７４％，注入层平均载流子浓度为（５－６）×１０＾１６－ｃｍ＾－２，平均载流子迁移率为３０１０ｃｍ＾２／ｖ．ｓ，载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层，成功地研制出３０００门ＧａＡｓ超高速门阵列集成电路。     

多晶硅膜离子注入和扩散掺杂制备浅结的研究

本文对多晶硅膜离子注入掺杂和扩散掺杂制备浅发射结进行了实验研究。针对新型薄发射极晶闸管特性改善对薄发射极参数的要求,重点研究了采用不同方法时退火条件对薄发射区掺杂剖面、结深以及杂质总量的影响。管芯研究结果表明,在适当的退火条件下,离子注入掺杂制备浅结是改善器件特性较为理想的方法。     

双电荷离子注入技术

一、概述离子注入技术作为半导体集成电路制作工艺中的新型掺杂技术，具有均匀性好、重复往高、分布随意、掺杂精度准确等优点，已被广泛地运用于集成电路制作工艺中。特别是当今集成电路向着大规模、小尺寸方向的迅速发展，更加突出了离子注入技术在电路制作过程中的重要作用。与此同时，离子注入技术自身也在此过程中经历着不断的发展，离子注入技术的各种新应用层出不穷。特别是高能离子束、聚焦离子束技术在集成电路领域的运用已是日趋成熟。国内由于受注入设备局限，这些方面的工作开展较少。我们基于工艺发展需要并结合我们已有的中能…     

中束流高能离子注入机Extrion500

这种由美国Varian公司研制的Extrion 500注入机能量高达750keV,打破了原来中束流离子注入能量不超过200keV的界限。这种机器可用作高能离子注入,能满足更多的工艺需求,是一种提高下一代设备投资效率的新途径。     

离子注入层少子寿命空间分布的测量

本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了饱和电容法测量非均匀掺杂MOS电容少子产生寿命空间分布的方法.该方法的优点是测量与计算简单.     

C掺杂对离子注入合成β-FeSi2薄膜的影响

采用离子注入方法制备β-FeSi2薄膜，选择C作为掺杂元素，得到了β-FeSi2硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜。经透射电镜分析可知，引入C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展，晶粒得到细化，β-FeSi2层稳定性提高。从微结构角度考虑，引入C离子对于提高β-FeSi2薄膜的质量是很有益处的。进一步进行光这吸收表征，发现C离子的引入对β-FeSi2层的E^dg值没有产生不良影响，讨论了E^dg值的影响因素，如制备方法、工艺参数、基体取向、掺杂离子种类、掺杂离子数量、退炎温度等等，解释了文献报道的不同E^dg值。     

离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器

采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探测器。