第19届国际半导体物理会议概况

<正> 一、概况 第19届国际半导体物理会议于1988年8月15日至19日在波兰华沙举行。由于这次会议选在华沙,所以苏联及东欧国家参加的人数占了总人数的49％,而美国的人数减少,在一定程度上影响了这次会议的学术水平。参加会议的人数据统计为33国853人,其中波兰231人,波兰以外国家共622人。我国从国内来的代表为13人,台湾省1人,加上在国外的学者、留学生共有20余人。送交会议的论文摘要共约900篇,其中约400篇被接受作为口头或张贴报告。会议安排了4篇全体会议报告,27篇邀请报告,144篇口头报告和245篇张贴报告。我国在会上     

高功率半导体激光器和二极管抽运固体激光器

1　引言1 .1　二极管激光器转换效率的基础总效率是所有高功率器件的重要问题。半导体激光器的高效率极其重要 ,因为其主要参数 (首先是阈电流和微分量子效率 )对温度非常敏感。简单激光二极管的输出功率为Pop =ηiln( R1 R2 ) - 1 / 2 [αi L ln( R1 R2 ) - 1 / 2 ]- 1( hω/e) ( I - Ith)其中 hω为光子能量 ,ηi为内部效率 ,αi为光损耗系数 ,L为腔长 ,R1 、R2 为反射系数 ,I为抽运电流 ,Ith 为阈值电流。总效率通常由下式决定ηt=Pop/Pel =Pop/[I( Vj IRs) ]其中 Vj为结电压 ,Rs为串联 (残余 )二极管电阻。对于高总效率的激…     

高功率半导体二极管阵列激光器

半导体二极管阵列激光器是高效、小型、全固态源.本文论述高功率二极管阵列激光器的性能和关键技术,并给出了它最新的进展和未来的应用.     

2006年国际化合物半导体制造技术会议简介

2006年国际化合物半导体制造技术会议（International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology）于4月24日至27日在加拿大美丽的海滨城市温哥华举行，来自世界各地的297名代表参加了这次年会。会议共有71篇报告，涉及到世界各地的超过50个企业、政府和高校，另外会议还收到约80篇学生论文，其中有12篇被录用，显示出化合物半导体事业正健康地发展。     

第52届国际固态电路会议即将召开

第52届国际固态电路会议（ISSCC2005）将于2005年2月6日-10日在美国旧金山举行。ISSCC (Intemational Solid-State Circuit Conference:国际固态电路会议)开始于1953年，每年一届，是由IEEE固态电路协会(SSCS)主办的著名半导体集成电路技术国际会议。它也是世界上规模最大、水平最高的固态电路国际会议．     

半导体激光器与新材料

介绍了半导体激光器和半导体光电材料研究的新进展。