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By means of the relation of ionicity and the ionization energies of hydrogenlike atoms, the soft X-ray spectra are calculated for the hydrogenlike sodium, magnesium and aluminium atoms. The calculated results are in good agreement with the experiments. 相似文献
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1感光溶胶-凝胶法制备光波导研究 总被引:3,自引:3,他引:0
采用溶胶-凝胶技术与化学修饰相结合的方法,制备了具有紫外感光特性的SiO2/Al2O3溶胶及其凝胶薄膜,并通过在溶胶中加入聚乙二醇使其形成有机-无机复合结构,经一次提拉制膜就可获得18 μm厚的感光性凝胶薄膜.利用薄膜自身的感光性,使紫外光通过掩模照射薄膜,再经过溶洗和200℃、1 h的热处理,就可获得厚度达到15 μm、线宽约为100 μm的波导阵列.对这种波导薄膜的折射率和的透射率进行了研究. 相似文献
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溶胶-凝胶法制备氧化锌薄膜的压电行为 总被引:1,自引:0,他引:1
"采用溶胶-凝胶技术在单晶硅Si(111)上制备了ZnO压电薄膜,并以扫描电镜、X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)进行了表征.XRD衍射实验表明ZnO薄膜随着膜厚的增大,其(002)取向逐渐增强;AFM研究了薄膜的表面形貌、粗糙度与晶粒大小的结果表明,ZnO压电薄膜的粗糙度与晶粒寸随着薄膜厚度的增大而减小.粗糙度为2.188~0.914 nm.利用PFM研究压电系数,发现随着薄膜厚度的增加,(002)生长方向增强,压电系数逐渐增大;当力参数小于薄膜的表面粗糙度时,压电系数测量不准确且在较大幅度 相似文献
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溶胶凝胶合成锰掺杂ZnO的室温磁性行为 总被引:2,自引:0,他引:2
通过溶胶凝胶自燃法合成锰掺杂氧化锌纳米晶体, 研究了Mn掺杂ZnO稀磁半导体(简称DMS)的性质.X射线衍射光谱表明,锰掺杂氧化锌保留纤锌矿型状氧化锌六角晶体结构.采用能量色散X射线能谱和扫描电子显微镜分别对成分和形态进行研究.温度依赖的电阻率显示了DMS的半导体材料行为.振动样品磁强计测定的室温磁性行为,揭示了锰掺杂氧化锌的铁磁性和反磁性特性. 相似文献
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溶胶-凝胶法制备光波导薄膜及性质的研究 总被引:8,自引:7,他引:1
采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶-凝胶,并在凝胶中加入四丙氧基锆作为调节折射率的材料;用该凝胶在硅片上提拉成膜.为了增加薄膜与硅片的粘附性,成膜前先用干氧热氧化法在硅片上生长了一层厚度约为1500的二氧化硅;样品的原子力相片表明薄膜的表面非常平整,在5×5 μm2的范围内最大表面起伏只有0.657 nm.利用波导阵列掩膜版, 对制备的薄膜在紫外光波段下曝光,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列.研究发现:紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大.通过对样品红外吸收谱的分析,从微观机理上解释了折射率随工艺条件变化的原因. 相似文献
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The time-resoved photoluminescence spectra of C60 have been studied from toluence solution at room temperature and from thin film at both room temperature and 77K. A photoluminescence peak at about 730nm was detected from solution at room temperature and film at 77K, in which lifetimes waz determined to be 1.1 and 0.9ns, respectively. At room temperature, the photoluminescence peak of thin film shifted to 740 nm with fast decay behavior which was fitted well to a double-exponential lifetimes with τ1 = 0.087ns, τ2= 0.68 ns. Two relaxation mechanisms are given tentatively in explaining this phenomenon. 相似文献
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TIME DECAY BEHAVIOR OF FULLERENE-C60 STUDIED BY TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE 总被引:1,自引:0,他引:1
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The time-resoved photoluminescence spectra of C60 have been studied from toluence solution at room temperature and from thin film at both room temperature and 77K. A photoluminescence peak at about 730nm was detected from solution at room temperature and film at 77K, in which lifetimes waz determined to be 1.1 and 0.9ns, respectively. At room temperature, the photoluminescence peak of thin film shifted to 740 nm with fast decay behavior which was fitted well to a double-exponential lifetimes with τ1 = 0.087ns, τ2= 0.68 ns. Two relaxation mechanisms are given tentatively in explaining this phenomenon. 相似文献
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本文采用溶胶 凝胶法合成了紫外波段有机染料DMT掺杂SiO2 薄膜和块体材料 薄膜中掺杂浓度高达 1 2 4× 1 0 - 2 mol/L ,块体材料浓度掺至 1 5× 1 0 - 3mol/L 由于SiO2“笼”的束缚作用 ,在荧光光谱中未观察到荧光猝灭现象 ;由于SiO2 “笼”的极化作用 ,370nm的发射峰较其在环己烷中发生了 34~ 44nm左右的红移 ;580~ 590nm的发射峰的量子效率比 370nm的发射峰略高 相似文献
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嵌入多孔硅中的C60分子的发光行为 总被引:1,自引:0,他引:1
1990年团簇C60分子分离的成功[1],立即引起了科学界的极大重视,有关C60分子的超导电性、光谱特性以及电子能级结构的研究报道与日俱增,由于单个C60分子是直径为7.1Å的球形分子,因而在某种程度上对于由C60分子聚集而成的具有几个纳米尺寸的CBO微晶的体系应该也具有类似于半导体超微粒低维量子限域的物理特性. 相似文献
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溶胶-凝胶TiO2和SiO2光学膜的结构 总被引:10,自引:4,他引:6
本文研究了TiO2和SiO2溶胶-凝胶光学膜在低温热处理下的组分、形貌特征、光散射特性.AES分析结果表明,在TiO2膜和SiO2膜的交界面处,Ti和Si相互扩散,从而证实了在多层膜中,膜层之间、膜层和基底之间有Ti-O-Si(或Si-O-Ti,或Si-O-Si)化学键形成.AES和ESCA分析结果显示溶胶-凝胶膜经过低温处理后C的含量较高,这归结为溶胶—凝胶膜的工艺特点.AFM测试结果显示,溶胶—凝胶TiO2光学膜的表面形貌具有显著的柱状结构,薄膜表面起伏大约是7.5nm.TiO2,SiO2单层膜的表面散射率随着热处理温度的提高而变大,对于不同陈化时间的溶液镀制的膜有不同的表面散率. 相似文献
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CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究 总被引:4,自引:2,他引:2
CdS半导体微晶作为代表性介观材料(mesoscopic material)其光学吸收和发光与量子尺寸效应的关系已经得到广泛研究[1-4],发现随着CdS微晶尺寸减小,CdS本征吸收和发射带呈现显著蓝移.Rossetti等人[3]和Y.Wang等人[4]分别通过对溶胶、沸石、聚合物和玻璃中CdS纳米晶体的光致发光测量研究了发光来源以及发光与尺寸的关系,确定了两个宽带发光分别属于带隙发光(350-500nm)和表面态或缺陷发光(500-700nm).本文首次报道了利用溶胶凝胶方法制备的钠硼硅中纳米尺寸CdS晶体高激发功率条件下的发光光谱测量结果,观察到随激发功率增加发光光谱兰移和线宽明显宽化,讨论了其物理机制. 相似文献
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实验研究表明,SnO2薄膜经过退火处理后其光致发光谱有明显的变化。在氧和氮两种不同气氛中进行热处理,其变化也有差异。这种变化主要是由于SnO2膜中氧空位和自由载流于浓度变化所致。 相似文献