共查询到20条相似文献，搜索用时 15 毫秒
2.
3.
4.
5.
集成电路IC半导体产业的制造流程被分为芯片制作前工序和芯片封装测试后工序两大生产系统。封装起到保护芯片、重新分布输入／输出I／O获得更易于装配处理的引脚节距．为芯片提供良好散热通路．便于测试和老化试验等极其重要作用。IC封装有许多种板结构尺寸、外形和引脚数量．以满足各类IC发展和系统的不同要求。IC封装两个主要基本结构类别为引线框架式封装和基式封装，前是一类十分重要而技术悠久的封装，采用引线框架的产品类型仍在半导体产业中占据主导地位。 相似文献
6.
7.
《现代表面贴装资讯》2005,4(1):28-29
Dai Nippon Printing和瑞萨科技公司在无引线焊料兼容引线框架的制造和销售方面进行合作，专为绿色环保的半导体封装而优化设计。 相似文献
8.
李天生 《电子产品可靠性与环境试验》2001,(4):31-33
引线框架电镀层的质量直接影响着钽电容器的可焊性 ,所以引线框架电镀层质量的测定方法至关重要。通过对比试验认为对框架切片后使用电子探针仪探测和拍照的测定方法能够全面准确地测定出引线框架镀层的质量。 相似文献
9.
综述了近年来在光电测厚、测速、测距、测浓度、测表面质量等方面应用半导体激光管的新进展。这些成就展示了采用半导体激光管后对仪器小型化、仪器进入生产线监控过程的前景。 相似文献
10.
11.
12.
13.
铜基引线框架氧化的产物、机理及控制措施 总被引：1，自引：0，他引：1
铜基引线框架氧化时先后分别生成Cu2O和CuO,形成结构为CuO/Cu2O/Cu的氧化产物。通过称重法估算氧化膜的厚度,通过电桥法测量电阻值评估引线框架的氧化程度。在引线框架的氧化初期,氧化速率由化学反应速率控制;在氧化中期,氧化速率由化学反应速率和扩散速率共同控制;在氧化后期,氧化速率由扩散速率控制。其中扩散过程包括Cu离子的向外扩散和氧原子的向内扩散。为了控制铜基引线框架的氧化,一方面可以优化封装工艺参数,降低封装过程对框架的氧化;另一方面,可以提高铜合金冶金技术,提高铜合金材料本身的抗氧化能力。 相似文献
14.
15.
16.
17.
王茂森 《固体电子学研究与进展》1991,11(1):79-81
<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第六届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术年会,于1990年10月29日至11月3日在湖南省大庸市科技中心召开.参加这次学术年会的有来自全国71个单位的304人.本届会议共收到论文368篇,录用286篇,其中特邀报告29篇.会上宣读219篇,大会特邀报告5篇.它们是自然科学基金委员会许振嘉研究员的“GaAs表面能谱研究”;中国科学院半导体研究所副所长郑东研究员的“第三届国际亚太微波会情况”;河北半导体研究所副所长梁春广高级工程师的“GaAs HEMT 相似文献
18.
多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究 总被引：1，自引：0，他引：1
本文利用辐射强度指数衰减率和多碱阴极光吸收系数公式，首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。研究结果表明：当Ｉａ／Ｉ。大于０．４时，阴极厚度应在１００ｎｍ以上，并且Ｄ随Ｉａ／Ｉ。上升而增加，高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。并首次从理论上预测了对红外敏感的在可见光范围具有很高响应的三碱阴极的最佳厚度为１２０ｎｍ左右，这与实验结果非常一致。 相似文献
19.
隧道电流和R0A乘积主要取决于掺杂浓度.图5表示77 K温度工作、一面突变的HgCdTe、PbSnTe、PbSnSe光电二极管(Eg=0.1 eV)的R0A乘积与掺杂浓度的关系.对于HgCdTe和铅盐探测器来说,要想产生高数值的RoA乘积,就分别需要1016 cm-3和1017 cm-3(或略少些)的掺杂浓度.由于要避免产生隧道效应而所能获得的最大掺杂浓度是Ⅳ族光电二极管比HgCdTe光电二极管要高一个数量级[11].这是由于前者的介电常数εs很高,因为隧道效应对RoA乘积的贡献包含着exp[常数m*εs/N)1/2Egl因子,亦即呈现指数增加的关系. 相似文献
20.