金属膜场发射特性研究

结合真空电子束气相沉积（electron beam evaporation deposition, EBVD）和磁控溅射（magnetron sputtering deposition, MSD）技术,分别在Al₂O₃陶瓷衬底上制备以Cu膜为发射层的单一Cu膜和Mo/Cu复合膜及Mo/Ni/Cu复合膜3种结构阴极薄膜。基于二极管场发射器件结构,研究了各样品的场发射特性。利用场发射扫描电子显微镜 （field emission scanning electron microscopy, FE-SEM）和能谱仪（energy dispersive spectrometry, EDS）对样品表面形貌和成分进行分析。结果表明：Mo/Ni/Cu复合膜的阈值电场为3.3 V·μm^-1;最大电流密度为63.0 μA·cm^-2;比在相同条件下制备的单一Cu膜和Mo/Cu复合膜具有更好的场发射特性,表明金属复合膜结构有效的改善了单一Cu膜的场发射性能。     

黄芩素与La(Ⅲ)、Nd(Ⅲ)、Sm(Ⅲ)、Yb(Ⅲ)及Y(Ⅲ)相互作用的研究

在37℃离子强度为0.15mol/LNaCl的乙醇水混合溶剂中(V∶V=57∶43)研究了黄芩素与La(Ⅲ)、Nd(Ⅲ)、Sm(Ⅲ)、Yb(Ⅲ)及Y(Ⅲ)之间的相互作用。对配体金属离子比为4∶1,3∶1,2∶1及1∶1有关体系进行pH滴定,并将计算机程序SCOGS2应用于处理pH4.12～10.14的实验数据。结果表明,黄芩素通过分子内的6,7—二羟基氧原子与稀土离子配位,体系中主要形成R_EHB,R_E(HB)_2(其中H_3B为配体)。logβ值比较表明H_3B与R_E的作用强度次序为La相似文献   

席夫碱配合物的研究(Ⅲ)——Fe(Ⅲ)配合物的循环伏安特性

用循环伏安法研究 Schiff 碱铁(Ⅲ)配合物的氧化—还原特性。结果表明,铁配合物的自旋态与反铁磁性相互作用对 Fe~(3+)的还原影响十分显著。对于 Fe(Ⅲ)—O—Fe(Ⅲ)体系,还原时因有电子进入反键轨道,故伴随 Fe—O 键的离解,显示出明显的不可逆还原特征。     

HBED与铝(Ⅲ)结合的光谱特性

在 p H 7.4、0 .1mol· L- 1 N- 2 -羟乙基哌嗪 - N' - 2 -乙磺酸 ( Hepes)及室温条件下 ,使用紫外吸收差光谱和荧光光谱进行了铝 ( )对 N,N′-二 ( 2 -羟苄基 )乙二胺 - N ,N′-二乙酸 ( HBED)的滴定 .结果表明铝 ( )与 HBED形成1∶ 1的配合物 .铝 ( )与 HBED结合后其紫外差光谱在 2 3 5 nm和 2 88nm处出现吸收峰 ;配合物在 2 3 5 nm的摩尔吸光系数是 1.0 9× 10 4cm- 1 · mol- 1 · L ;条件稳定常数是 lg K=13 .70± 0 .74;铝 ( )的结合使 HBED在 3 18nm处的最大荧光峰增强约 6.4倍 .根据游离配体分子内氢键形式讨论了荧光增强的原因     

钒(Ⅴ)催化偶氮胂(Ⅲ)褪色反应特性的研究

研究了在磷酸介质中,钒(Ⅴ)对KIO4氧化偶氮胂(Ⅲ)褪色反应的催化作用及柠檬酸的活化作用,测定了体系的动力学性质,确定了反应的最佳条件,建立了测定痕量钒的新方法.实验表明,无柠檬酸时体系为准一级反应,表观速率常量为3.7×10-4s-1,表观活化能为99.4kJ·mol-1,钒的量在0～9.0×10-5g·L-1范围内与log(A0/A)呈线性关系,检出限为1.3×10-7g·L-1.有柠檬酸时为准零级反应,表观速率常量为1.6×10-3s-1,表观活化能为82.9kJ·mol-1,钒的量在0～5.0×10-5g·L-1范围内与ΔA呈线性关系,检出限为7.8×10-8g·L-1.本法简单快速,灵敏度较高,用于钢样中痕量钒的测定,结果较满意.     

Ⅲ型扩展裂纹的尖端场

以位移、应力函数为基本未知量,采用Mises屈服条件,对理想塑性材料中准静态扩展的Ⅲ型裂纹进行了分析. 裂尖场分为三个区,即扇形区、弹性卸载区和均匀应力区,推导了渐近方程,并求得数学封闭解,由数值计算得到了各分区的角度值.结果表明应变具有(ln(1/r))     

场发射显示器环境下不同置向碳纳米管的尖端电场强度计算

针对碳纳米管场发射显示器的实际工作环境,计算给出了碳纳米管在垂直、与垂直碳纳米管等长倾斜45°和与垂直碳纳米管等高倾斜45°放置3种情况下的空间电势分布和电场分布,数值计算表明在上述3种情况下的碳纳米管尖端表面附近的电场强度比值约为13:10:12。进一步分析说明在垂直和倾斜碳纳米管同时存在的情况下,要提高电子发射的均匀性,就必须提高倾斜碳纳米管的高度。     

碳纳米管场发射器件放气特性分析及其对场发射性能的影响

为了研究场发射冷阴极电流跌落机制,采用四极质谱仪实时分析的方法研究了碳纳米管阴极场发射器件的放气特性及工作状态下器件内残余气体对阴极场发射性能的影响.结果表明:碳纳米管阴极场发射器件工作时,放出气体的主要成份是H_2,CO_2,CO;随着阴极发射电流密度的增加,气体成份的分压也随着增加.碳纳米管阴极的场发射性能,例如开启场强、阈值场强和场发射电流密度都与放出气体压强密切相关.碳纳米管阴极在压强为2.1×10~(-3)Pa的残余气体环境下工作1.5 h后,开启场强和阈值场强相应增加了29.4%和50.0%.阴极受残余气体影响,一方面阴极发射材料表面功函数增加;另一方面阴极发射体场增强因子减小.增大的功函数和减小的场增强因子降低了阴极的场发射性能.因此,场发射器件放气是阴极电流跌落的重要原因.     

场发射电子枪(FEG)亮度测量的研究,

亮度是FEG的重要参数之一,目前测定电子枪亮度方法很多,如电磁扫描法、探针法、双缝法和多端靶法等。尽管测量的方法很多,但对W[111]尖端三极场发射电子枪而言,因在枪内已装有各种加速和聚焦极,结构尺寸较大;为获得3×10~(-7)Pa以上的超高真空,整个装置必须进行长时间(48h)高温(250℃)烘烤。亮度测量难度较大,到目前为止,尚未有既简单又有成效的方法。作者提出了一种新的场发射电子枪的亮度测量方法,即场电子显微镜(FEM)法,并对该法的原理和可行性作了严格的论证,进行了大量实验,把实验结果与一些严格的理论分析方法,如球模型、球-锥模型等作了比较。结果表明,这种方法在理论上是正确的,在实际应用中,至少对FEG的亮度能给出较准确的数量级。该测量方法将有较大的实用价值。     

碳化硅薄膜制备及其场发射特性

采用热丝化学气相沉积法在Si（111）、Ti（101）衬底上制备了SiC薄膜,并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析．XRD结果表明,制备的SiC薄膜呈现3C-SiC结晶相,有很好的择优取向性．HIR谱显示,薄膜的吸收特性主要为Si-C键的吸收,其吸收峰为804．95cm^-1．从原子力显微镜对SiC薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密．此外,在高真空系统中（6．0×10^-4Pa）对生长的SiC薄膜进行场敛发射特性测试,结果表明生长的SiC薄膜具有场致发射特性：样品的开启电压为82．1V／μm,最大电流密度为631．5μA／cm^2．     

Al(Ⅲ)-Fe(Ⅲ)共存体系的水溶液化学特征

通过铝铁混合溶液及其加碱后的聚合氯化铝铁溶液的ＰＨ驰豫以及碱滴定实验,揭示了铝铁共存体系的水溶液化学特性,确定了铝铁混合溶液及 聚合氯化铝铁能稳定存在的浓度及经度范围,Ｘ射线衍射分析结果表明,铝铁共存水解聚合趋于生成无定型结构的沉淀物。     

不锈钢衬底碳纳米管薄膜的场发射特性

不需要添加任何催化剂,直接在含有少量Ni和Cr成分的不锈钢衬底上,用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法沉积碳纳米管薄膜.在SEM下观察,生成的碳纳米管取向无序,但浓度大、杂质含量少、直径小且分布均匀,其直径在50～60 nm,为多壁碳纳米管.Raman光谱实验证实了此碳纳米管中存在大量缺陷.场发射实验表明,本样品的开启电压低,电子发射均匀,发射电流大.当用ITO玻璃作阳极且场强为11 V/μm时,电流密度可达到31 mA/cm2;当用荧光粉包覆的ITO玻璃作阳极且场强为6 V/μm时,电流密度可达到1.25 mA/cm2,这时的电子可稳定发射,使该样品变成良好的电子发射体.     

PVA-Sm(Ⅲ)、Eu(Ⅲ)的合成及荧光性质

以聚乙烯醇(PVA)为高分子配体,分别与SmCl3、EuCl3在水溶液中进行配位反应,合成PVA-Sm(Ⅲ),PVA-Eu(Ⅲ)配合物.用电导率法研究PVA-Sm(Ⅲ),PVA-Eu(Ⅲ)配合物最佳反应条件,并通过荧光光谱及红外光谱对产物进行分析.实验结果表明,最佳物料投放比为PVA:Sm3+=4:1,PVA:Eu3+=6:1,该反应在非碱性溶液中搅拌2 h为最佳.荧光光谱显示:PVA-Sm(Ⅲ),PVA-Eu(Ⅲ)配合物具有荧光特性,都在286 nm左右产生荧光,其荧光主要表现为配体的特征荧光,金属离子对其起增强作用.     

混合脂肪酸萃取E_u(Ⅱ)S_m(Ⅲ)和G_d(Ⅲ)研究

本文研究了用混合脂肪酸(C_7—C_9)从氯化物溶液中萃取Eu(Ⅱ)的过程中 水相PH,水相En(Ⅱ)浓度以及有机相中萃取剂浓度对分配比的影响。以煤油为稀释剂,确定有机相中萃合物的组成为EuA_2·4HA。萃取过程发生阳离予交换反应: Eu~(2+)+3(HA)_(2(O))=EuA_2·4HA_((O))=2H_((a))~+在(18±2)℃时的萃取平衡常数K_Eu(Ⅱ)等于6.64×10~(-10)本文还测定了Sm(Ⅲ)/Eu(Ⅱ)、Gd(Ⅲ)/Eu(Ⅱ)的分离因数,发现它们均与平衡水相氢离予浓度的一次方成反比。分离因数及单级萃取的结果表明,用混合脂肪酸做为萃取剂通过还原萃取从Sm—Eu—Gd富集物中分离锗是可能的。     

内蒙古的黑粉菌(Ⅲ)

报道内蒙古黑粉菌2个新记录属、13个新记录种和2个已知种.叶黑粉菌属Entyloma和瘤黑粉菌属Melanopsichium为内蒙古新记录属;新记录种分别是薹炭黑粉菌Anthracoidea caricis、石竹叶薹炭黑粉菌A.caryophylleae、小孢炭黑粉菌A.microspora、毛茛叶黑粉菌Entyloma ranunculi-repentis、宾地瘤黑粉菌Melanopsichium pennsylvanicum、尼泊尔微球黑粉菌Microbotryum nepalense、粒孢堆黑粉菌Sporisorium anthistiriae、特氏孢堆黑粉菌S.tranzschelianum、蚊子草条黑粉菌Urocystis filipendulae、泽地早熟禾条黑粉菌U.poae-palustris、毛茛条黑粉菌U.ranunculi、野豌豆楔孢黑粉菌Thecaphora viciae和马唐黑粉菌Ustilago syntherismae;已知种是冰草大孢条黑粉菌Urocystis agropyri-campestris和蜂窝状黑粉菌Ustilago scrobiculata.研究标本保存在赤峰学院菌物标本室(CFSZ).     

钢筋混凝土构件有限元弹塑性分析(Ⅲ) 剪力墙数值模拟分析

通过计算机执行的数值分析模拟构件实际受力全过程反应,结合少量实测资料对不同参变量作系统分析,是改进复杂结构设计理论的有效方法。高层建筑中,带边框开洞剪力墙的设计是尚未妥善解决的课题。本文采用非线性分析方法,把作者在前文提出的裂缝开展随机数学模型扩充用于此类复杂结构的数值分析中,并对各种情况进行系列分析。     

准一维纳米材料场发射模拟软件的研制

 研制了准一维纳米材料场致电子发射模拟软件,该软件基于一个纳米材料场致电子发射的双电流模型,自洽地计算电势、电荷密度、费米能级的分布和发射电流。最后给出了一个算例,计算了单根硼纳米线的场致电子发射,得到的结果与文献一致。     

钪(Ⅲ)、钇(Ⅲ)硝酸盐的含氮大环络合物

在无水乙腈溶剂中,我们以Sc~(3+)和Y~(3+)离子作为模板试剂,用2,6一二乙酰吡啶和邻苯二胺作为起始物质,缩合得到了新的含氮大环络合物Sc(NO_3)_3·L·2H_2O和Y(NO_3)_3·L·2H_2O(L=18元六氮大环,C_30H_26N_6),并对络合物进行了元素分析,红外及紫外光谱分析,差热热重分析,并对络合物的摩尔电导及溶解度进行了测定。     

Ⅲ型界面裂纹尖端变形场研究

用激光全息干涉法对增韧结构陶瓷－铝合金试件Ⅲ型界面裂纹尖端变形场进行了实验研究，还导出了Ⅲ型界面裂纹尖端变形场的局部解。通过产验数据处理得到了局部解的控制参量ＫⅢ，Ｊ和适用区域。最后还对连接界面的连续条件进行了分析。