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本文讨论了SO5 SU2 SU2 U1 U1及SO5 U1 U1的VCS表示.计算了SO5 U2 U2的约化矩阵元,并利用K矩阵技术确定了SO5权的多重度. 相似文献
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采用脉冲激光沉积(PLD)镀膜技术在倾斜10°的LaAlO3(100)单晶衬底上制备了(SrTiO3)n/(SrTi0.8Nb0.2O3)m系列超晶格.在超晶格薄膜的XRD图谱中清楚地观察到周期调制的卫星峰结构.从卫星峰的分布计算了超周期,进而得到了在生长SrTiO3和SrTi0.8Nb0.2<
关键词:
3)n/(SrTi0.8Nb0.2O3)m]20/LAO(100)超晶格')" href="#">[(SrTiO3)n/(SrTi0.8Nb0.2O3)m]20/LAO(100)超晶格
激光感生热电电压
各项异性Seebeck系数
原子层热电堆 相似文献
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通过x射线衍射及磁测量手段研究了Y2(Fe1-y-x,Coy,C rx)17化合物的结 构及居里温度.研究结果表明Y2(Fe1-y-x,Coy,Crx)17化合物具有六 角相的Th2Ni17型结构.随着x的增加,Y2(Fe
关键词:
2(Fe1-y-x')" href="#">Y2(Fe1-y-x
y')" href="#">Coy
x)1 7化合物')" href="#">Crx)1 7化合物
x射线衍射
居里温度 相似文献
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在CH4/H2和CH4/He和CH4/He两种系统中,利用光学发射谱技术对螺旋波放电产生低压甲烷等离子体内活性粒子的光学发射特征进行了原位诊断。在实验中,两种体系下同时都测得的主要荷电粒子为CH,Ha,Hb,Hg以及H2等。研究了各实验参数对这些活性粒子CH, Ha,Hb以及Hg的发射光谱强度的影响。结果表明:在CH4/H2体系下,随着射频功率的增大,Ha,Hb,Hg以及CH基团的相对强度都随着增加,而当放电气压变化时它们都呈现先增大而后减小的趋势。在CH4/He体系下,随射频功率的增加,Ha,Hb,Hg以及CH相对强度变化的总体趋势也都是先增加而后减小,当工作气压增加时,Ha,Hb以及Hg的相对强度变化也是呈现先增大而后减小,但CH基团的相对强度却是逐渐减小的;这些结果为等离子体沉积各种薄膜过程的理解及制备工艺参数的调整提供了参考。 相似文献
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测量了碱土金属正磷酸盐Ba3(PO4)2和Sr3(PO4)2常温及高温拉曼光谱, 对拉曼振动模式进行指认, 并分析了晶体拉曼振动光谱及晶体结构在高温下的变化. 在温度升高的过程中, 拉曼振动频率向低频移动且振动峰宽度展宽, 晶体中的P-O平均键长随温度升高而变长, 但O-P-O的键角并未发生变化. 晶体在900 ℃以下无结构相变发生.
关键词:
3(PO4)2和Sr3(PO4)2')" href="#">Ba3(PO4)2和Sr3(PO4)2
高温拉曼光谱
振动模式
高温结构 相似文献
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V. N. Bocharov A. P. Burtsev E. V. Dubrovskaya T. D. Kolomiitsova D. N. Shchepkin 《Optics and Spectroscopy》2010,108(4):533-543
IR spectra of the solution of SF6 molecules in liquid NF3 at 84 K have been recorded. In a solvent transmission window of 1500–1750 cm−1, two wide absorption bands with pronounced peaks in the high-frequency part are observed. The profile of these bands is explained
by the influence of the resonance dipole-dipole (RDD) interaction of the states of the simultaneous transition ν1(SF6) + ν3(NF3) and ν2(SF6) + ν3(NF3) with the states (ν1 + ν3) and (ν2 + ν3) of the SF6 molecules, respectively. The use of three isotopic modifications 32SF6, 33SF6, and 34SF6 has allowed us to vary the resonance detuning and thus to change the strength of the RDD interaction. With the liquid near
the melting point being represented as a close-packed cubic crystal, the profile was calculated and its spectral characteristics
were determined. The frequencies of the main peaks coincide with the experimental values accurate to the error. 相似文献
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R. S. Iskhakov E. A. Denisova S. V. Komogortsev L. A. Chekanova Yu. E. Kalinin A. V. Sitnikov 《Physics of the Solid State》2010,52(11):2263-2266
This paper reports on the results of the investigation of the relation between the magnetic microstructure and ferromagnetic
resonance (FMR) in ferromagnetic metal-insulator composites by using granular alloys (Co41Fe39B20)
x
(SiO2)1 − x
and Co
x
(SiO2)1 − x
as an example. A comparative analysis of the properties of FMR spectra and parameters of random magnetic anisotropy leads
to correlations between these quantities. It has been found that the main mechanism that determines the FMR line width in
the films under investigation is the exchange narrowing mechanism. 相似文献
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本文用X射线粉末法测定了Li2K(IO3)3与Li2NH4(IO3)3的晶体结构和原子参数。发现Li3K(IO3)3,Li2NH4(IO3)3与Li2Rb(IO3)3同晶型,属单斜晶系,空间群为P21/α,每个单胞含有四个化合式量。室温的点阵常数分别为α=11.198?,b=11.046?,c=8.254?,β=111.53°,及α=11.327?,b=11.078?,c=8.341?,β=111.87°。讨论了二元化合物的形成与离子半径的关系。
关键词: 相似文献
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本文讨论了U3的矢量相干态表示.利用K矩阵技术得到了SU3 U1 U1的正交基矢,从而确定了权的多重度. 相似文献
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应用磁控溅射法以Ni-Al同时作为Cu与SiO2/Si,Cu与SRO薄膜之间的阻挡层材料,将Cu与SiO2/Si衬底和氧化物薄膜电极隔离,避免它们在高温氧气氛中发生化学反应和互扩散,实现了Cu薄膜与氧化物铁电电容器的集成.采用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了不同温度下快速退火的SrRuO3(SRO)/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO2/Si含Cu异质结的微结构和表面形貌,结果发现SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO2/Si含Cu多层异质结薄膜在高达750 ℃仍然具有较强的Cu衍射峰和比较平整的表面,显示出了很好的高温热稳定性.研究了"室温长高温退"和"低温长高温退"两种工艺手段,发现在制备含Cu多层氧化物薄膜异质结时,低温长高温后退火的方式要优于常规的室温长高温后退火方式,通过低温长高温退工艺可以缓解应力、削弱界面粗化和避免高温生长对阻挡层和Cu薄膜结构的破坏.最后结合sol-gel法将Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)生长在该含Cu异质结上,制备得SRO/PZT/SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO2/Si含Cu铁电电容器,研究了电容器的薄膜结构、铁电性能和漏电特性等,发现制备的含Cu铁电电容器具有很好的铁电性能,如电滞回线趋势饱和,剩余极化强度高达~42 μC/cm2,矫顽电压为~1.0 V,介电常数~1600,漏电流~1.83×10-4 A/cm2,以及良好的抗疲劳特性和保持特性等,表明导电性优良的Cu薄膜可以应用于高密度高性能铁电电容器.对其漏电机理研究表明,SRO/PZT/SRO含Cu铁电电容器满足空间电荷限制传导机理.
关键词:
Cu
PZT
铁电电容器
Ni-Al 相似文献
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利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用.
关键词: 相似文献
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利用射频磁控溅射的方法在SrTiO3(001) 基片上制备了(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格结构.对所制备的超晶格结构进行了50—150℃温度范围内的电流-电压测试分析.结果表明,随着BiFeO3薄膜的厚度减小,温度的升高,(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格结构的电流变大.进一步根据介质导电模型对(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格结构的导电特性做了分析.在温度较低或者电场较弱时,所制备的(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格结构表现为欧姆导电,而在高温,高电场的情况下,其导电行为由空间电荷限制电流机理主导.
关键词:
超晶格薄膜
多铁
空间电荷限制电流 相似文献