On long-time limit behavior of the solution of atom's master equation

We study long-time limit behavior of the solution of atom's master equation, for the first time we derive that the probability of the atom being in the α-th (α =j+1-j_z, j is the angular momentum quantum number, j_z is the z-component of angular momentum) state is {(1-K/G)/[1-(K/G)^2j+1]}(K/G)^α-1 as t→+∞, which coincides with the fact that when K/G > 1, the larger the α is, the larger probability of the atom being in the α-th state (the lower excited state). We also consider the case for some possible generalizations of the atomic master equation.     

薄膜型超导红外(光)探测器

在高Tc GdBaCuO超导薄膜上,采用光刻技术分别制成两种不同结构的辐射、热测量器件及2×4集成阵列式微桥器件红外(光)探测器.探测器芯片安装在STD-3型红外探测器杜瓦冷指上.用黑体及波长为0.6328μm的He-Ne激光器辐照器件,系统观测各种器件的特性,其中最好的结果:在10Hz时的噪音等效功率NEP(500,10,1)=3.6×10^-12 WH_z^1/2;探测率D^*(500,10,1)=1.6×10¹⁰ cmH_z^1/2W^-1;响应率R_v=8.2×103VW^-1.另外,多元串接微桥器件出现的多台阶式的特性,可望在红外探测计量及高频方面获得重要应用.     

z切LiTaO3单晶的冲击相变研究

利用二级轻气炮加载下的冲击Hugoniot线(冲击波速度D-粒子速度u关系)和粒子速度剖面测量，结合基于密度泛函理论的平面波赝势计算研究了z切LiTaO₃单晶的高压相变.实验发现，D-u关系在u=0.95km/s附近出现明显拐折；实测波剖面中25.9 GPa和32.6 GPa时观测到弹-塑性双波结构，而终态压力为42.7 GPa和53.0 GPa时则为三波结构.上述结果都清楚地表明z切LiTaO₃单晶冲击相变的发生，相变起始压力约为37.9 GPa.同时，理论计算的菱形相(R3c对称群)压缩线与低压实验数据符合较好，而正交相(Pbnm对称群)压缩线则与扣除热压贡献的高压实验数据相符，由此推断z-切LiTaO₃的高压相为正交结构.从实验和理论上澄清了z切LiTaO₃的相变起始压力和高压相晶体结构的认识，研究工作亦对类似单晶材料的冲击相变研究有参考价值.     

原子核电荷分布半径及结合能

从分析各方面实验结果(高能电子被核散射,μ—介原子的X谱)表明原子核电荷分布半径R_p很接近于和z^1/3成正比(R_p=r_opz^1/3。按照这看法修改了原子核结合能半经验公式(Bethe-Weizs?cker公式),把原来公式中库仑能项3/5 (z²e²)/r_pA^1/3)=a₃z²/A^1/3换成3/5 (z²e²)/r_opz^1/3) =a′₃z^5/3,结果改进了公式与实验符合的程度,并且按照新公式可以很正确地计算各元素中对β衰变最稳定的同位素的质量数。     

Maximal and total skew information for a two-qubit system using nonlinear interaction models

Maximal and total skew information is studied. For symmetric pure states of two-qubit, they are closely related to the linear entropy, the concurrence, and the spin squeezing parameter. For a two-qubit system implemented in three nonlinear interaction models with an external field, we give the exact state vectors and the expectation value 〈S_z〉 at any time t. Based on 〈S_z〉², we give the maximal and the total skew information and a condition in which the maximal and the total skew information can reach 1 and 2, respectively.     

基质发光材料Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的制备和发光

本文研究了化学计量的基质发光材料Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2.它们都属于四方晶系,空间群为I41/α .NaEu(Mo04)2属于白钨矿(scheelite)结构,一个晶胞中有2个分子式NaEu(MoO4)2(z=2);而Na5Eu(Mo4O)4属于类自钨矿(scheelite-like)结构,一个晶胞中有4个分子式Na5Eu(MoO4)4(z=4).X射线衍射确定的晶胞常数,对Na5Eu(MoO4)4,α=1.1439nm和c=1.1486nm(密度d计算=4.01g/cm3,z=4);对NaEu(MoO4)2,α=0.5236nm和c=1.1439nm(密度d计算=5.24g/cm3,z=2).由差热法和X射线衍射法确定了Na2MoO4-Eu2(MoO4)3的相图.Na5Eu(MoO4)4分解为NaEu(MoO4)2的温度是700℃.本文确定了制备纯 Na5Eu(MoO4)和NaEu(MoO4)2的方法,并研究了上述两种材料的激发光谱和发光光谱.确定了用X射线粉末衍射谱和发光光谱鉴别Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的方法.在365nm紫外光激发下,Na5Eu(MoO4)4的发光比Na5Eu(WO4)4的强得多,在室温下,Na5Eu(MoO4)4,NaEu(MoO4)2和Na5Eu(WO4)4的相对发光积分亮度比为3.8:3.2:1.0.     

YH,YD,YT分子基态的结构与势能函数

在Y的有效核势近似下, 对H分别选6-311++G(3df,2pd), AUG-cc-PVTZ, AUG-cc-PVQZ基组, 应用密度泛函理论的B3LYP方法, 优化计算了YH(D,T)分子基态的能量, 平衡结构, 和谐振频率.根据原子分子反应静力学原理, 导出了YH(D,T)分子基态的合理离解极限. 通过优化计算结果和已有的实验和理论数据对比, 得出LANL2TZ/AUG-cc-PVQZ混合基组为对体系进行计算的最优基组. 基于此, 在B3LYP/LANL2TZ/AUG-cc-PVQZ水平对YH(D,T)分子基态的势能面进行了单点能扫描. 并采用最小二乘法拟合得到了相应的Murrell-Sorbie势能函数. 计算出了这些分子的力常数(f₂, f₃, f₄)和光谱常数(B_e, α_e, ω_e, ω_eχ_e, D_e).结果与已有的实验数据符合得很好.     

多晶硅表面陷阱坑形貌的光学性能模拟

采用COMSOL Multiphysics 3.5a有限元分析软件中的RF模块对3种硅片绒面的陷阱坑形貌(轻度腐蚀、正常腐蚀和过度腐蚀)的光学性能进行了数值模拟.通过求解麦克斯韦方程组和材料本构方程,获得了3种陷阱坑的表面电场z分量、表面磁场y分量和反射率的变化规律.结果表明:当波长为600 nm时,轻度腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量的数值最小,反射率最高(约为35%);正常腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量其次,反射率约为17%;过度腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量的数值最大,反射率最低(约为10%).通过实验和模拟结果对比可知,模拟值和试验值的反射率变化趋势基本一致,两者吻合较好,可为实际生产和试验提供理论参考.     

ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF WURTZITE GaN:——A THEORETICAL APPROACH

The band structures of wurtzite GaN(α-GaN) are studied using the nearest and second-nearest neighbour semi-empirical tight-hinding method in sp³ s^* model. The calculated direct fundamental gap of α-GaN is 3.45 eV, which is in good agreement with the experimental data. The density of states and the imaginary pert of dielectric function (ε₂ (ω)) are evaluated to he in the regions - 10.0 - 12 eV and (1.0 - 10.0 eV, respectively. There are mainly three peaks at 6,4, 7,5, 8.4 eV, dominating the ε₂(ω) spectrum. The two components of the ε₂(ω) (i. e. ε_2xy(ω) and ε_2z(ω) ) are also calculated; and the real prat of dielectric function, reflectivity, absorption coefficient, and refractive index are all studied.     

基于宽度抛物线型和渐变孔径的超高Q低V 一维光子晶体纳米梁腔的设计

设计了基于宽度抛物线型和孔径渐变的一维(1-D)光子晶体 (PhC)纳米梁腔.通过FDTD的计算模拟, 设计的这种纳米梁腔可以实现超高Q值1.8× 10⁷, 同时拥有超小模体积V～ 0.04(λ/n)³, 在继承抛物线型和渐变孔径型纳米梁腔高Q的基础上,进一步降低了模体积V. 我们设计的这种腔具有紧凑, 低制造工艺要求以及高Q/V 值等优点,在未来应有广泛应用.