国际功率半导体器件与功率集成电路会议（ISPSD）介绍

国际功率半导体器件与功率集成电路会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs．，缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如，2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23％，北美25％，亚洲14％，日本38％。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行，每年依序更换，     

移动电子产品继续推动功率半导体器件发展

按美国市场调查公司通信工作调查(CIR，Charlottesville，Va)的最新报告得知，今后几年用于移动产品，诸如笔记本电脑、电池电话、个人数字助理(PDA)和手提DVD唱机等，仍将强劲地推动市场增长。预计，在这些移动电子设备中用作功率管理的功率集成电路和相关的分立器件     

新颖的功率半导体器件RSD及其应用

反向开通可控硅二极管是一种近年来发展起来的新型半导体功率开关器件，具有很强的导流能力，在大功率固态化电源应用中，具有很大的优势。本文分析了这种器件的构造及工作机理，并说明其应用。     

功率半导体器件综述

过去卅年间,电力电子器件的发展同功率半导体器件的进展是分不开的,因为几乎在电力电子器件的每个应用中,功率半导体器件都是关键性的。当人们把集成电路的硅片加工方法运用于功率器件的设计和制造之后,功率器件的设计便出现了一个新的分支,这就是用MOS门控结构来制作各种新型的传统器件。本文考查了功率器件的某些基本特性,并研究了它们对不久前采用的硅片加工技术可能造成的影响。     

功率半导体器件热管理

功率半导体器件也称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换电路的核心器件。功率半导体器件几乎用于所有的电子产品、电子设备制造业。功率半导体器件对于高温、低温或温度交变较为敏感,由于该类器件在电路中承担着主要功率的调节功能,并承担着大部分功率调节电应力。所以必须对功率半导体器件的热管理高度关注,提升电路的可靠性。本文主要针对功率半导体器件的应用开展热管理分析。     

半导体器件模拟技术的研究

主要介绍了半导体器件模拟中常用的HD模型与DD模型和三角网格划分的常用算法。以泊松方程为例，简要说明了如何在三角网络上离散化方程。同时，介绍了几种求解非线形方程组常用的数值方法。     

新型功率半导体器件——Light MOS晶体管

基于非穿通NPT／沟槽工艺的Light MOS，是一种内置续流二极管的新型IGBT。Light MOS组合了MOSFET和IGBT的优点，栅极电容较MOSFET小10倍．具有低功耗损耗特征．最适台于在电子镇流器谐振半桥拓井中作为开关使用．并与3A／600V／1.5—3欧姆的MOSFET等效。     

功率半导体器件迅速发展

功率半导体器件,虽然已被大量用于工业控制系统、消费类电子装备以及新信息技术产品上,但其性能仍在不断提高,需求在不断增长。 MOSFET 1998年,中国台湾MOSPEC半导体公司功率MOSFET产量估计增长15％,其IN3773系列输出功率150W,直流电流增益16h_(FE),电大电压140V,印度Greaver公司现已     

功率半导体器件的发展和市场

功率半导体器件的全球销售额每年以约１５％的速率增长,而传统器件如ＳＣＲ和ＧＴＲ等的年增长率远小于新型器件。以Ｓｍａｒｔ Ｐｏｗｅｒ为代表的新型功率器件集功率、控制和信息于一体,是今后发展的重点。     

纳米半导体器件及其应用

本文介绍了纳米半导体器件及其应用，如纳米二极管、纳米晶体管和纳米集成电路等。     

功率半导体器件芯片背面多层金属层技术

本文阐述了功率半导体器件芯片背面需要多层金属层,才能满足芯片和底座间电学和散热的要求。讨论了多层金属层分布的选择原则和制备中的注意事项。表明该技术具有重大的经济效益。     

控制电路中的功率半导体器件

电驱动电路是工业运输工具的重要组成部分。它们是由功率电子器件来控制的。本文将要说明的是，用适合的功率半导体可以生产出高效、可靠且经济的驱动系统。     

高频功率半导体器件的新进展

材料、工艺和封装的改进使半导体晶体管取得令人注目的成果,表现为单个器件的高频输出功率超过1KW,在小功率下频率超过50GHz,兼顾到频率和功率时可在10GHz下输出10W。几年前,Si和GaAs材料各有侧重,Si主要用作射频功率器件,而GaAs用于微波功率器件,现在SiGe、SiC等新材料大有前途。过去Si双极晶体管在功率领先,GaAs MESFET晶体管(金属半导体场效应管)在频率占有优势,现在Si的DMOS(扩散金属氧化物半导体管)和LDMOS(横向扩散金属     

双极——MOS功率半导体器件的发展动态

比较了双极－－ＭＯＳ功率半导体器件的五种基本构成方式;然后介绍该类器件发展的最新动态,着重阐述几种最新器件;最后分析预测了这类器件发展的方向。     

智能功率集成电路中功率半导体器件的研究

随着我国经济的不断发展和电子信息技术的推广普及,电力电子技术受到社会各界的广泛关注,智能功率集成电路和功率半导体器件的完美组合,形成了有鲜明时代特征的电力电子技术,这一技术能够高效地将电能从一种方便传输的形式变为另一种符合应用需求的形式,具有应用的高度适应能力和能源利用的高效性等显著特点,是一种符合绿色经济发展模式的智能技术。