首个晶体管发明经纬探析

考察世界首个晶体管在贝尔电话实验室的诞生渊源,具体地显示J.Bardeen,W.H.Brattain,W.B.Shockley三位诺贝尔物理学奖获得者及管理者在晶体管发明过程中各自所发挥的作用,使我们从中再汲取有益的启示与思考.     

晶体管发明60年

回顾了晶体管的发明,对最早3种晶体管在原理、性能上作了比较,谈了3位发明者肖克莱、巴丁、布拉顿的重大贡献和一些性格特点;并对晶体管诞生后60年来的后续发展如集成电路等作了回顾;总结了这一发明对我们的启示和教训.     

晶体管发明70周年纪念

<正>1947年12月23日,美国贝尔实验室正式地成功演示了第一个基于锗半导体的具有放大功能的点接触式晶体管,标志着现代半导体产业的诞生和信息时代的开启。晶体管可以说是20世纪最重要的发明,到今天已经整整70年了。严格地说,晶体管泛指一切的单个半导体元件,经常用来指代半导体材料制成的三极管、场效应管,等等。它的英文名字是transistor,来自于     

单电子晶体管

介绍了单电子晶体管是一种每当在栅压作用下在沟道内加进一个电子，晶体管就可以导通和截止一次的奇妙的器件。阐述了单电子晶体管的发现过程，工作原理以及它的一些可能的应用。     

抗辐射双极n-p-n晶体管的研究

根据发射极周长与面积比(P/A)最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20 V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1 kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%-15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%-20%. 关键词： 双极n-p-n晶体管 辐射效应 电流增益 抗辐射     

不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应,且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现,发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔI_B/I_B0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索. 关键词： 发射极面积 国产npn晶体管 剂量率 辐射损伤     

单晶体管高密度存贮器

西德西门子公司试制了一种密度为1600毕特/毫米~2的单晶体管存贮元件。过去的动态半导体存贮器要用三个晶体管,象电容器中存贮电荷那样存贮信息。那种存贮器以一般光刻技术做成,存贮密度是900毕特/毫米~2。     

自旋晶体管——未来新型器件

 传统的半导体三极管(又称晶体三极管或晶体管)由两个PN结和三个电极构成,从结构上看有NPN和PNP两种基本类型.其工作原理是大家所熟知的.晶体管的成功研制极大的带动了半导体工业的发展.晶体管的应用已渗入到国民经济的各个领域.     

异质结光晶体管

本文介绍了异质结光晶体管的工作原理,概述了GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP两种系列异质结光晶体管的研制现状.     

纳米技术新秀:单原子晶体管

 美国康奈尔大学的一个科学家小组研制成由一个钴原子构成的晶体管,钴原子包裹有一层复杂有机化合物,直径仅为10纳米的黄金导线被放置在硅片上,并用这种有机化合物覆盖住。然后在导线上钻一个直径约为1纳米的小孔,制成电源电极和电流电极,再将带有钴原子的有机化合物放置在小孔上,用二氧化硅作绝缘体。哈佛大学另一组科学家也用类似方法研制成单原子晶体管,他们是在黄金电极上放置钒分子,而用氧化铝作绝缘体。单原子或单分子晶体管研究表明,只有在加上一定电压时电流才会通过这类晶体管。此外,将它们放置在磁场中时,通过电流中的电子数量会增加。     

硅基单片式复合晶体管的结构参数对高功率微波损伤效应的影响

建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明,当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化,得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现,三种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近,随着T2和T1晶体管面积比的增大,电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外,在发射极处增加外接电阻R_e,研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论,适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。     

柔性有机场效应晶体管研究进展

柔性有机场效应晶体管具有可折叠、质量轻、低成本等优点,在柔性显示、柔性传感器、柔性射频标签和柔性集成电路等方面显示了广阔的应用前景.本文在介绍柔性有机场效应 晶体管最新研究进展的基础上, 总结了柔性有机场效应晶体管的器件结构和柔性有机场效应晶体管所使用的衬底材料、 栅绝缘层材料、有源层材料及电极材料, 阐述了柔性有机场效应晶体管的制备工艺, 并讨论了不同的弯曲方式对柔性有机场效应晶体管性能的影响, 最后总结和展望了柔性有机场效应晶体管的应用领域. 关键词： 柔性 晶体管 有机/聚合物 溶液加工     

晶体管制作进展

引言自从1948年第一个晶体管出现以后,它就引起了人们广泛的注意,使它得到了极为迅速的发展.假如与电子管的发展速度相比,晶体管的发展速度是非常惊人的.图1表示电子管和晶体管的年产量增加情况.不仅在数量上,就是在品种及性能的提高方面,晶体管的发展速度也是非常快的.     

晶体管施密特电路的开关过程

本文研究了施密特电路的开关过程。推导出了开关过程的具体解析表达式。根据这个表达式对两种常见的晶体管施密特电路进行了数值计算。最后用实验方法验证了计算结果。实验结果与计算值总的来说相当吻合。从这个研究中得到了挑选晶体管和电路的一些原则。计算结果可以作为设计施密特电路时估计开关速度的一个依据。     

双极型晶体管高功率微波的损伤机理

在模拟集成电路的抗高功率微波加固研究中,对电路中的单个晶体管进行高功率微波损伤机理研究。对晶体管进行洲入微波损伤效应实验和失效分析,得到了双极型晶体管损伤的基本规律。损伤效应实验采用注入法,分别从晶体管的三极注入微波,得到了损伤结果。对样品进行的失效分析探明了器件的损伤部位和失效机理。结果表明,高功率微波注入主要造成B-E结的退化和损伤;从基极注入微波最易损伤晶体管,而从集电极注入则相反。     

两种全晶体管超声波清洗器鉴定投产

上海超声波仪器厂,近来研制成功CQ50和CQ250两种全晶体管化超声波清洗器.经一些科研和工厂单位试用,效果良好;噪声小,效率高,耗电省.在上海市电子仪器设备公司支持下,于1982年12月通过鉴定,并批量投入生产. CQ50和CQ250超声波清洗器,采用两个功率晶体管作为超声频电源,转换效率高.和电子管式的     

平面天线在场效应晶体管太赫兹探测器中的应用

为了提高场效应晶体管太赫兹探测器的响应度并降低噪声等效功率,需要对探测器集成平面天线的结构进行合理设计与优化,本文对集成平面天线结构的场效应晶体管太赫兹探测器的研究进行了深入调研。首先,对场效应晶体管太赫兹探测器的工作原理进行了分析,介绍了集成平面天线如何解决耦合太赫兹波效率低的问题。然后,介绍了一些常用的平面天线结构,包括偶极子天线、贴片天线、缝隙天线、grating-gate和其他类型的结构,比较了各种天线的性能以及引入后对太赫兹探测器响应度的影响。通过对比不同天线结构的探测器响应度和噪声等效功率等参数指标,发现:采用平面天线结构之后,场效应晶体管太赫兹探测器的响应度有了大幅度的提升,各种类型的天线对探测器响应度都有不同程度的提升。本文着重介绍了几种集成于场效应晶体管的平面天线结构,包括各种天线的性能和研究进展,最后分析了场效应晶体管太赫兹探测器存在的问题和发展趋势。     

开发塑料晶体管

塑料晶体管的结构类似于传统的硅晶体管的三明治结构,在衬底和栅格之上是绝缘层和塑料半导体层。IBM沃森研究中心的研究人员用钛酸锆氧钡取代原有塑料晶体管中的二氧化     

铁电负电容场效应晶体管研究进展

铁电负电容场效应晶体管可以突破传统金属氧化物半导体场效应晶体管中的玻尔兹曼限制,将亚阈值摆幅降低到60 m V/dec以下,极大地改善了晶体管的开关电流比和短沟道效应,有效地降低了器件的功耗,为实现晶体管特征尺寸的减小和摩尔定律的延续提供了选择.本文分析总结了国内外近年来关于铁电负电容场效应晶体管代表性的研究进展,为进一步研究提供参考.首先介绍了铁电负电容场效应晶体管的研究背景及其意义;然后总结了铁电材料的基本性质和种类,并对铁电材料负电容的物理机制和铁电负电容场效应晶体管的工作原理进行了讨论;接下来从器件沟道材料维度的角度,分别总结了最近几年基于三维沟道材料和二维沟道材料且与氧化铪基铁电体结合的铁电负电容场效应晶体管的研究成果,并对器件的亚阈值摆幅、开关电流比、回滞电压和漏电流等性能的改善进行了分析概述;最后对铁电负电容场效应晶体管目前存在的问题和未来的发展方向作了总结与展望.     

硅基单片式复合晶体管的结构参数对高功率微波损伤效应的影响（英文）

建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明,当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化,得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现,三种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近,随着T2和T1晶体管面积比的增大,电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外,在发射极处增加外接电阻Re,研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论,适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。