高压集成电路中高压功率MOSFET的设计

本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路.     

功率电路电流检测方法及其应用

在功率电路设计中，经常涉及电流检测的问题。结合不同电路的设计特点，介绍了三种常用电流检测方法、检测传感器的物理实现及相关电路设计的特点，并对不同检测方法的优缺点进行了比较。     

新型电力电子器件与功率集成电路最新进展

综述了新型电力电子器件与功率集成电路的最新进展，指出ＳｉＣ和金刚石是优于Ｓｉ和ＧａＡｓｄ的制造电力电子器件的理想材料。功率集成电路已进入实用化阶段。     

理解功率MOSFET的电流

通常,在功率MOSFET的数据表中的第一页,列出了连续漏极电流ID,脉冲漏极电流IDM,雪崩电流IAV的额定值,然后对于许多电子工程师来说,他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中,它们如何影响系统以及如何选取这些电流值,常常感到困惑不解,本文将系统的阐述这些问题,并说明了在实际的应用过程中如何考虑这些因素,最后给出了选取它们的原则。     

基于功率MOSFET的磁流变阻尼器控制器的研究

根据磁流变阻尼器的阻尼力与控制电流之间的关系,采用功率MOSFET和脉位调制器设计出磁流变阻尼器的电流控制器.实验测试表明,控制器电流可在0～2A范围连续可调,响应速度快,输出的电流精度高,线性度好,输出电流稳定,能够满足磁流变阻尼器的需要.     

智能功率集成电路中功率半导体器件的研究

随着我国经济的不断发展和电子信息技术的推广普及,电力电子技术受到社会各界的广泛关注,智能功率集成电路和功率半导体器件的完美组合,形成了有鲜明时代特征的电力电子技术,这一技术能够高效地将电能从一种方便传输的形式变为另一种符合应用需求的形式,具有应用的高度适应能力和能源利用的高效性等显著特点,是一种符合绿色经济发展模式的智能技术。     

用于功率MOSFET的新型栅电荷测试电路

栅电荷是用于衡量功率MOSFET开关性能的重要参数,通常采用在栅极输入电流阶跃信号的方法来测量。一种新型的栅电荷测试电路被提出,该测试电路使控制信号从MOSFET的源极输入,从而消除了控制信号对栅极输入电流的影响。因为输入电流太小不能直接测量,测试时采用测量电压阶跃信号的方法来衡量电流阶跃信号的性能。与以往的测试电路对比结果表明,该电路可以使MOSFET栅极输入的电流更接近于理想的电流阶跃信号,该信号上升时间小于100 ns,并且上升后稳定,因此提高了栅电荷测量的准确度。     

基于功率MOSFET的超磁致伸缩执行器驱动电源

在分析超磁致伸缩材料的驱动特性及超磁伸缩执行器驱动电源特点的基础上,采用连续调整型恒流源的原理,并选用功率MOSFET作为功率放大元件,研制出－3－＋3A连续可调的高精度超微致伸缩执行器驱动电源。实际测试的结果表明其性能良好,可以满足驱动超微致伸缩材料的要求。     

一种启动电流为0的CMOS低功耗低成本电流源

根据传统电流源结构,设计了一种启动电流为0的CMOS低功耗电流源。电流源的启动电路仅采用一个耗尽型MOS管,电路正常工作后启动电路会自动关断。仿真结果显示电路正常工作后启动部分消耗的电流基本降为0,整个电路功耗24．9μW。这种结构降低了整个电路的功耗,大大节省了芯片面积。电路基于TSMC0．18μm CMOS工艺,电源电压1．8V,仿真软件为Hspice。     

Dynamic Current Sharing in Paraleling Power MOSFET

ＤｙｎａｍｉｃＣｕｒｒｅｎｔＳｈａｒｉｎｇｉｎＰａｒａｌｅｌｉｎｇＰｏｗｅｒＭＯＳＦＥＴ①ＷＡＮＧＢａｏｃｈｅｎｇ，ＷＵＷｅｉｙａｎｇ，ＺＨＡＮＧＣｈｕｎｊｉａｎｇ（ＹａｎｓｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｑｉｎｈｕａｎｇｄａｏ０６６００４，ＣＨＮ）Ａｂ...     

Dynamic Current Sharing in Paralleling Power MOSFET

By combining the theory with the practice,the dynamic current shar-ing in paralleling power MOSFET is analysed.The principles of choosing parameters in-fluencing dynamic current sharing are described,and some experiment results are given on the basis of these steps.     

高精度低功耗电流采样电路设计

为了实现低功耗高精度电流检测,文中设计了一种基于运算放大器的具有对称结构的电阻采样结构,该结构不仅实现采样电压和采样电流的高线性度,而且能实现对微弱采样信号的可靠检测。设计的电路架构中包含5个电流-电压转换阶段,基于Hspice仿真,设计电路内部匹配电阻网络,以减小输入失调电压对采样的影响,拓展共模输入范围。该采样电路架构通过某0.35μm BCD工艺实现,版图面积仅为0.12 mm2,实测结果证明其工作电流小于1μA,采样电压检测精度高达5 mV,且具有高速响应能力。     

MOSFET的驱动保护电路的设计与应用

率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOS-FET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。     

低压条形栅功率场效应晶体管的研制

介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS. 通过与传统的元胞型结构比较，发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点. 还对条形栅VDMOS的工艺做了介绍，其工艺过程简单，实用性强.     

一种应用MOSFET的微功耗电路

本文介绍一种应用ＭＯＳＦＥＴ作为开关的本安电源微功耗电路,分析了其工作原理,提供了实验结果。