用MO-CVD技术制备金属氧化物薄膜及其光电化学行为

有机金属化学汽相沉积(MO-CVD)技术是一种新型薄膜材料制备技术,它优于目前通常采用的一般CVD和物理方法^[1]。主要优点:采用金属有机化合物为物质源,选择的范围比较大,其中含有易断裂的M-C键,易发生气相热分解氧化反应,成膜温度比较低,反应副产物仅有易挥发的碳氢化合物,使成膜环境无污染,易获得优质膜。因该技术是化学成膜,排除了物理方法中固有的不易控制化学计量的问题,易获得优质膜层。     

磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能

采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂Cu的氧化钒薄膜. X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)观察表明, 无掺杂的薄膜为多晶V2O5, 掺杂Cu的薄膜为非晶态. X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明, 掺杂Cu的薄膜为铜钒氧化物膜, 其中Cu离子表现为+2价, V离子为+4与+5价的混合价态. 随着Cu掺杂量的增大, +4价V的含量增加. 电化学测试结果表明, V2O5薄膜在掺杂Cu以后其放电容量有显著的提高, 其中Cu2.1VO4.4薄膜在100次循环后容量还保持为83.4 μA·h·cm-2·μm-1, 表现出较高的放电容量和较好的循环性能.     

半导体氧化物光催化裂解水制氢

本文综述了半导体氧化物光催化裂解水制氢的反应机理,以及近年来半导体光催化裂解水制氢的研究进展.讨论了各种因素对材料光催化性能的影响以及改性方法,并对今后的研究方向提出了一些建议.     

半导体氧化物光催化裂解水制氢

本文综述了半导体氧化物光催化裂解水制氢的反应机理,以及近年来半导体光催化裂解水制氢的研究进展。讨论了各种因素对材料光催化性能的影响以及改性方法,并对今后的研究方向提出了一些建议。     

半导体氧化物光催化裂解水制氢

本文综述了半导体氧化物光催化裂解水制氢的反应机理,以及近年来半导体光催化裂解水制氢的研究进展。讨论了各种因素对材料光催化性能的影响以及改性方法,并对今后的研究方向提出了一些建议。     

碳纳米管/半导体纳米复合材料的光电化学特性及其应用

光电化学过程是在光作用下的电化学过程,它是光伏电池,光电催化等实际应用的基础,是当前十分活跃的研究领域。碳纳米管具有很高的热稳定性,良好的导电能力,大的比表面积,被认为是半导体纳米粒子的有效载体,其独特的一维结构可以为电子提供有效的传输路径。碳纳米管与半导体材料复合,能实现碳纳米管和半导体在结构和性能上的协同,近年来在光电化学领域受到了广泛的关注。本文基于国内外最新研究进展,结合本课题组的研究成果,综述了碳纳米管/半导体复合材料的光电协同作用机理及其在太阳能电池、光电催化降解污染物、光电协同分解水制氢领域中的应用。     

半导体的表面修饰与其光电化学应用

半导体经表面修饰能提高其光电化学过程的量子效率，扩展其光激光发响应范围至可见区，为利用太阳能提供了一个有价值的途径，举例介绍了一些半导体表面修饰方法，机理，光电化学性质和应用。     

CdS和CdSe薄膜的制备及其光电化学性质

本文采用简易的化学水浴沉积法和自牺牲模板法制备CdS、CdSe薄膜,对两种薄膜进行了XRD表征,比较了两种薄膜的紫外吸收光谱并研究了CdS、CdSe薄膜作为太阳能电池中的光阳极时所产生的光电流和光电压,对两种薄膜的电化学性能进行了比较.     

金属—半导体氧化物催化剂

本文重点研究了TiO2、ZnO、SnO2等半导体氧化物以及以此为担体的担载型金属－半导体组合催化材料；采用电导、TPD、TPSR等方法考察了这类材料和典型的电子受体和电子给体反应分子间的电子和物种和交换，并研究了金属－半导体组合界面上的电子传递特性。根据测试结果及催化反应的例证说明，在金属－半导体氧化物组合材料中金属可以活化反应分子，沟通电荷物种的交换渠道，而氧化物类似于“电子储库”。二者协同作用使组合体系具有良好的氧化还原化学感应和催化作用。     

半导体复合氧化物气敏材料研究进展

综述了近几年半导体复合氧化物的发展,包括分类、气敏机理、制备方法等,对其发展趋势提出了一些看法。引用文献33篇。     

氧化铁薄膜的水热合成及其光电转换性能

通过水热方法在掺杂氟的SnO2(FTO)导电玻璃上制备了不同形貌的氧化铁薄膜。利用无机铁盐浸渍法在FTO玻璃上进行氧化铁晶种的预处理使得所制备的氧化铁薄膜更致密且均一。研究了表面活性剂对氧化铁晶体形貌的影响。使用十二烷基苯磺酸钠(SDBS)和三嵌段聚合物P123做为形貌导向剂分别得到棒状和四方体形貌的氧化铁薄膜。氧化铁薄膜可调的形貌可能是由于表面活性剂和铁氧团簇的组装或者某些晶面吸附了阴离子而改变了生长速率引起的。同时,研究了其光电性能,具有四面体形貌的氧化铁薄膜可以产生较大的光电流,这是由于其缩短了光生空穴的扩散距离。     

半导体硅上电沉积Ni-Pd-P薄膜及其结构

采用控电位的沉积方式在半导体硅上制备出ＮｉＰｄＰ薄膜,结果表明镀液中Ｈ３ＰＯ３含量的增加对Ｐ、Ｎｉ的析出有促进作用,对Ｐｄ的析出有抑制作用．随ｐＨ值的升高,镍含量不断升高,Ｐｄ、Ｐ含量不断下降．Ｐ含量对薄膜内应力有很大影响,含Ｐ质量分数为１４９％的ＮｉＰｄＰ镀层表面上有许多裂缝,当Ｐ含量增加到２６１％时,镀层表面的裂缝已基本消失,继续增加Ｐ含量到３５０％时,裂缝完全消失．ＮｉＰｄＰ镀层的结构与其组成密切相关,Ｐ含量小于２００％的ＮｉＰｄＰ镀层形成的是面心立方结构的固溶体．Ｐ含量大于４００％的薄膜为非晶态结构．     

光电化学型半导体生物传感器

光电化学型半导体生物传感器是一种利用半导体的光电特性来检测与光生电流或光生电压相关的待测物质浓度及生化过程参数的分析新技术。随着新兴半导体功能材料及相关加工技术的不断涌现,光电化学型半导体生物传感器已在微型化、集成化、多点及多参数测量方面显现出优势、有望在复杂体系中实现在线高灵敏、快速测定,在生物、医药、环境监测、食品等领域显示出广阔的应用前景。本文主要介绍了光电化学型半导体传感器的基本原理、特点及近几年的研究进展,并对其发展前景做了展望。     

锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究

用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解，锑化镓电极在一定电势下生成的氧化膜，用俄歇能谱证明，其主要成分为难溶的氧化锑，此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀，同时亦使锑化镓的半导体光电化学性能大为减弱，通过激光微刻蚀及电子显微镜的观察，在刻蚀剂中添加酒石酸，柠檬酸和氢氟酸等试剂，可使刻蚀形得改善，实验研究了锑化镓的平带电势的测定。     

金属和半导体纳米微粒薄膜的制备

由于金属、半导体纳米微粒在光物理、光化学、光催化等方面具有突出的性能,因此如何将金属、半导体纳米微粒通过某些方式构建成某些薄膜材料,对实现纳米微粒在分子器件和光电器件方面的应用具有重要的意义.本文以制备方法为主线,介绍了几种构建金属、半导体纳米微粒薄膜的基本方法,对其中一些重要的问题进行了比较详细的讨论.     

CdSe_xTe_(1-x)薄膜的光电化学研究

用涂敷法制备了Cdse_xTe_(1-x)薄膜电极0.8>x>0.4,其组成和结构用X射线衍射及X射线荧光光谱进行分析。对薄膜电极的光电化学性能,转换效率,能隙与x的依赖关系进行了研究。通过烧结工艺的改进,获得光电转换效率高于12％的薄膜电极。     

半导体光催化

用半导体粒子作光催化剂早已有报道,但在Fujishima用半导体作光电极分解水及Bard将光电化学理论扩展到半导体微粒光催化剂的报道发表之后,半导体光催化才有很大的发展。从太阳能利用的观点来看,半导体光催化有着重大的应用前景。     

半导体纳米粒子的基本性质及光电化学特性

半导体纳米材料因受尺寸量子效应和介电限域效应等特性的影响，往往具有不同于块体材料和原子或分子的介观性质，在材料学，物理学，化学，催化和环保等方面具有广泛的用途，本文介绍了半导体超微粒的基本性质和光电化学特性以及在光能利用方面的应用前景。     

电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜

本文报道恒电位法在pH为1.35的Cu₂SO₄、SeO₂、In₂(SO₄)₃溶液中,在Ti电极上电化学沉积制备CuInSe₂纳米薄膜.研究络合剂柠檬酸和酒石酸对制备CuInSe₂纳米薄膜的影响.扫描电子显微镜(SEM)结果表明,加入络合剂后,电化学沉积的薄膜表面颗粒分布更均匀、致密.X射线衍射(XRD)分析显示,制备的CuInSe₂薄膜是黄铜矿和闪锌矿相的混和物,添加柠檬酸和酒石酸后,衍射峰增强,晶形变好.制备的薄膜颗粒尺寸大小在250nm左右,造成粒度增大的原因是由于颗粒的团聚作用.     

TiO2薄膜光电极能带结构和催化活性的初探

以阳极氧化法制得的TiO₂薄膜光电极为工作电极,铂环为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,组成光电催化降解苯酚体系.运用电化学阻抗图谱(EIS),测得光电催化过程中TiO₂薄膜光电极的空间电荷层电容,计算出半导体能带结构参数——空间电荷层宽度W.结果证明:当空间电荷层宽度W随阳极偏压增加而增大时,TiO₂薄膜电极光催化活性提高;当其等于薄膜厚度时,光催化活性最好,此时出现最佳偏压值;继续增加偏压,活性反而有所下降.