Zn：Eu：LiNBO3晶体光折变效应的研究

本文报导了Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体的１１生长，测试了晶体抗光致散射能力。研究Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体的二波耦合效应和四波混频效应。结果表明，Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体具有较高的的抗光致散射能力和响应速度。     

γ射线辐照Ce：LiNbO3晶体光折变增强的研究

通过吸收光谱的研究，确诊γ射线辐照引起民的ＬｉＮｂＯ３晶体内出现Ｖｏ等缺陷。经过γ射线辐照处理后的Ｃｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体型人二波耦合指数增益系数比处理前有所提高，我们认为这各光折变增强的原因是晶体现内缺陷浓度增大，使载流子的电离和迁移运动更为有利。     

光折变Zn：Fe：LiNbO3晶体用于图象边缘增强的研究

用双掺杂Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作全息记录介质，另一块Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ晶体作自泵浦位相共轭反射镜，同全光学实时图象边增强。本文以Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作作全息记录介质的性能进行了分析讨论。     

掺杂LN晶体光折变效应及图象光存储特性

利用514.5nm和632.8nm波长的激光,研究了单掺杂Fe和双掺杂Ce∶Fe离子铌酸锂晶体的光折变二波耦合及光折变全息存储特性.实验结果表明生长态双掺杂Ce∶Fe与单掺杂Fe的LiNbO3晶体的光折变波耦合增益差异不明显,但双掺杂Ce∶Fe的LiNbO3晶体的图象存储和擦除特性明显得到改善.氧化态样品具有较大的透过率光谱范围和较好的图象存储质量;还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性.     

Ce：Fe：LiNbO3晶体的生长与其四波混频效应的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯｅ晶体的生长，采用简并四波混频光路测试晶体相位共轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应，在６３２．８ｎｍ和４８８．０ｎｍ波长的非简并四波混频中，获得了变频相位共轭光，具有温度增强效应。     

铌酸锂晶体的光折变效应

铌酸锂(LiNbO₃, LN)是一种多功能多用途的人工晶体,被称为“光学硅”。近期以铌酸锂薄膜(LNOI)为平台的集成光子学发展迅速,有将“光学硅”变为现实的趋势。高集成意味着高局域高光强密度,使铌酸锂晶体的光折变效应变得不容忽视。光折变效应是光致折射率变化的简称,是非线性光学的重要组成部分。本文回顾了铌酸锂晶体光折变效应的发现和机理、不同掺杂及掺杂组合对光折变效应的调控,重点介绍了铋镁双掺铌酸锂晶体的光折变性能及相关理论和实验结果,概述了铌酸锂光折变波导和孤子,及基于LNOI的集成光子学器件中的光折变效应,并对未来的研究趋势进行了展望。期待我国发挥铌酸锂光折变研究及LNOI产业化的优势,在光子学芯片的竞争中占据主导地位。     

优良全息光折变存储材料-双掺铌酸锂晶体

我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体,通过光折变存储性能的测试,在这些晶体中,我们发现了三种双掺晶体:LN:Fe,Mg;LN∶Fe,In;LN∶Fe,Zn,它们具有优良的光折变存储性能,即高衍射效率(高达60～80;)、快光折变响应(比LN∶Fe 晶体缩短了一个数量级)、和强抗光散射能力(比LN∶Fe提高近两个数量级).我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值,从而提出了最佳写入光强的概念.另外,全息光栅热固定研究还显示,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质:快固定时间、高固定效率、长固定寿命等.     

Ce：Pr：LiNbO3晶体的生长及其光折变特性的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｐｒ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长。测试了晶体的指数增益系数、衍射效率、位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ：Ｐｒ：ＬｉＮｂＯ３晶体作存储元件，实现全息关联存储，图象清晰完整。     

不同Li／NbZr：Fe：LiNbO3晶体的生长及光折变效应的研究

采用Czochralski技术生长不同Li/Nb双掺杂Zr:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光学均匀性和抗光折变能力.Zr:Fe:LiNbO3晶体双折射梯度比Fe:LiNbO3晶体降低一个数量级,抗光折变能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,发现Zr4 在LiNbO3中具有抗光折变能力.采用二波耦合光路测试不同Li/Nb的Zr:Fe:LiNbO3晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间并计算了动态范围和灵敏度,Zr:Fe:LiNbO3晶体的响应速度,灵敏度和动态范围都比Fe:LiNbO3晶体高,它的全息存储性能优于Fe:LiNbO3晶体.     

TGS：Cr^6＋晶体的热释电性质及光折变效应

采用降温法生长出了ＴＧＳ：Ｃｒ＾６＋单晶。测定了晶体结构、光谱特性和热释电性质。研究表明，该晶体存在高的内偏压场和光折变效应。     

双掺杂铌酸锂晶体的生长及其光折变性质

采用提拉法以固液同成分配比(Li2CO3/Nb2O5＝48.6/51.4)生长了Fe掺杂及(Zn,Fe)、(Mg,Fe)和(Ce,Fe)双掺杂LiNbO3(LN)单晶.Ce:Fe:LiNbO3晶体的质量,指数增益系数和衍射效率皆高于Fe:LiNbO3晶体.所测得(Zn,Fe):LN、(Ce,Fe):LN、(Mg,Fe):LN和Fe:LiNbO3晶体的抗光致散射能力分别为8.2×103,3.2×102,8.3×102和1.2×102W/cm3;在488nm光进行的光折变实验中还原处理后的(Ce,Fe):LiNbO3晶体具有最高的二波耦合增益系数,为40.2cm-1,其全息衍射效率可达82.2%;实验结果表明(Zn,Fe):LiNbO3和(Mg,Fe):LiNbO3具有抗光散射能力强,响应时间短的特点,而(Ce,Fe):LiNbO3的增益系数和衍射效率均为最高,明显优于Fe:LiNbO3晶体.     

掺钼铌酸锂晶体的光折变性能研究

生长了掺入不同浓度六价钼元素的铌酸锂晶体(LN∶Mo),并研究了它们在351 nm、488 nm、532 nm和671 nm处的光折变性能.实验结果表明0.5mol;为最佳掺杂量,此时LN∶Mo在各波段具有最快的响应速度和较好的饱和衍射效率.增加极化电流可以提高光折变性能,尤其当极化电流为145 mA时,掺杂量为0.5mol;的LN∶Mo晶体紫外光折变响应时间缩短至0.35 s.这些优异的全息存储性能归因于Mo6+占据了正常的Nb位.LN∶Mo晶体是实现全色全息存储的潜力材料.     

光折变Ce：Nd：LiNbO3晶体用于实时光学图象处理

Ｃｅ：Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体具有优良的光折变性能，它作为全息记录介质，用于实现了光学图象微分和全息关联存储。