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相似文献
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LHPG法中熔区形状的研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
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铽铌酸锶钡晶体的生长和基本性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
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铌酸锂(LN)晶体生长素元与结晶形貌   总被引:4,自引:2,他引:2  
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准相位匹配(QPM)理论上能够充分利用晶体的非线性光学系数、无走离效应,在光学频率转换中具有非常大的优势。铌酸锂晶体(LiNbO3, LN)具有高非线性光学系数、宽通光范围和低生长成本,因此基于铌酸锂铁电畴结构设计获得的周期极化铌酸锂晶体(PPLN)成为准相位匹配技术的理想选择。目前制备PPLN晶体最常用的方法是外加电场极化法,制备过程中,电极结构的参数对极化过程至关重要。本研究基于实时监测下的电场极化过程,结合有限元分析,对不同电极结构的空间电场分布进行分析,发现电极边缘出现电场极大值,而电极内部的电场分布相对均匀。基于这一现象,本文提出了一种多通道电极结构的设计方案,以实现极化空间内部电场的均匀分布。本研究采用十通道电极进行极化实验,通过表征每个通道的占空比,发现内部八个通道的占空比大小均匀且在50%±5%范围,通过晶体的倍频实验验证发现十通道周期极化样品中中间通道相对边缘通道的非线性转换效率明显提升并分布均匀,证明其中间通道具有占空比可控的均匀极化结构,为极化空间电场均匀化设计提供了一种高效合理的设计方案。  相似文献   

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采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响.实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降低陶瓷的烧结温度,改善材料的压电介电性能.当MsO掺杂量为0.25;质量分数,1130℃烧结的样品性能参数为:d33=310 pC/N,Qm=1008,kp=0.61,tan δ=0.34;,ε33T/ε0=1494,是一种中温烧结功率型压电陶瓷材料,适用于多层压电变压器,超声马达等器件.  相似文献   

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铌酸锂晶体组分的精确测量   总被引:3,自引:1,他引:2  
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关于钨青铜结构铌酸盐晶体的通式及其阳离子占位探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论了钨青铜结构铌酸盐晶体的化学通式,晶体结构中的阳离子占位及其配位数。同时探讨了晶体结构中阳离子的种类及占位;掺杂离子的种类、占位及价态对晶体生长及性能的影响。  相似文献   

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掺镁富锂LiNbO4晶体的生长及其抗光折变效应   总被引:2,自引:2,他引:0  
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本文报道了Ce:Pr:LiNbO3晶体的生长。测试了晶体的指数增益系数、衍射效率、位相共轭反射率和响应时间。以Ce:Pr:LiNbO3晶体作存储元件,实现全息关联存储,图象清晰完整。  相似文献   

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Eu:Ce:LiNbO3晶体的光折变效应及其应用研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
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