KADP晶体生长研究

采用水溶液降温在法在以ＡＤＰ为主的溶液中生长了不同组成的ＫＡＤＰ晶体。测定了相应溶液的准稳定区，较系统地研究了溶液中ＫＤＰ含量对晶体形态的影响，初步探讨了晶体开裂的机理，提出了以ＡＤＰ晶体作籽晶时，ＫＡＤＰ晶体生长溶液中ＫＤＰ的最高浓度，以及进一步提高ＫＤＰ浓度的可能途径。所生长的ＫＡＤＰ晶体的波长３００－９００ｎｍ范围内的透过率均在７０％以上。     

工业晶体生长

本文考察了一些典型的晶体材料及其工业生长技术,如提拉法生长硅单晶,水热法生长水晶,VGF法生长GaAs,下降法生长锗酸铋,壳熔法生长锆石等,探讨了工业晶体生长的特点和发展方向.     

大截面KDP晶体生长研究动态

介绍大截面ＫＤＰ晶体的应用背景及惯性来约束核聚变对ＫＤＰ晶体的需要，评述ＫＤＰ晶体快速生长方法。     

电离对晶体生长的作用

为什么有的晶体材料容易生长,而有的则很难.本文通过分析溶液或熔体的电离状态对晶体生长的影响,认为晶体生长的难易程度主要决定于该晶体材料在液相状态下电离度的大小,电离是所有化学键晶体生长的必要条件.通过比较各类晶体生长难易程度与价键结构及其化学元素组成的关系,认为:以偏离子性键、金属键结合的材料,在熔体状态下的电离度大,容易形成晶相;以偏共价键结合的化合物电离度小,难于生长单晶体,但容易制作非晶或纳米材料.