激光正反射法测定硒镓银晶体的取向

本文提供一种测定硒镓银晶体取向的方法。它是基于用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长的ＡｇＧａＳｅ２晶体表面气泡内的显露面对激光的反射来测量其取向。实验发现，这些显露面均属于｛１１２｝单形，而法形共有四个方向。因此，可以很方便地确定ｃ轴。     

Yb∶YAl3(BO3)4晶体形貌与生长速度的关系

观察测量了不同生长速度(相应于不同降温速度)自发成核生长的Yb∶YAl3(BO3)4晶体形貌。粒度较大(>2mm)的晶体不管降温速度快慢形态都很简单,只发育六方柱｛1120｝和菱面体｛1011｝;粒度较小(<2mm)的晶体形态随降温速度增快而变复杂,发育一些罕见的高指数晶面。说明在生长速度较快的条件下,在晶体生长早期,一些高能面发育,在晶体生长后期已尖灭了,晶体生长的大部分时间是在低能面｛1120｝和｛1011｝上进行的。对比了不同生长条件下晶面的粗糙度,随着降温速度的增快,六方柱面｛1120｝和菱面体面｛1011｝由光滑变粗糙,顶面｛0001｝永远是粗糙的。从晶体结构上定性地探讨了3种晶面的杰克逊因子α及生长机理     

锆石腐蚀像立体模型的建立及与晶体对称的关系

对锆石晶体四方柱｛100｝面和{110｝面、四方双锥{101｝面、以及介于上述晶面之间的切面进行了腐蚀像的观察研究,建立了锆石晶体腐蚀像在三维空间分布的立体模型.锆石晶体上属于同种单形的晶面(切面)其腐蚀坑形态相同,不同单形的晶面(切面)腐蚀坑形态则不同;腐蚀坑形态体现了晶体的对称性.锆石晶体各晶面(切面)的腐蚀坑形态在三维空间分布的立体模型和投影图可用来进行锆石晶体的定向,揭示锆石不同晶面的溶蚀现象,并可为锆石的裂变径迹测年研究提供晶体定向理论依据.     

Co、Sn共掺杂ZnO晶体的制备及其磁性

采用6 mol/L KOH作为矿化剂,SnO2、CoCl2和ZnO按物质的量比为0.02∶0.5∶1的比例混合作为前驱物,填充度70;,温度430℃,时间24h,采用水热法制备出Co、Sn元素掺杂的ZnO晶体.Sn元素掺杂明显改变了晶体的极性生长特征,较大面积的显露正极面c｛0001｝面,还显露柱面m{l0l0｝、正锥面p{1011｝、负锥面｛1011｝和负极面｛0001｝以及正锥面{1012｝和负锥面{1012｝,晶体长度约为50 μm.经过EDS测量表征,发现制备的ZnO单晶中Co元素的含量达到10.89at;,生成物中出现少量Co氧化物,SQUID测量表明样品主要表现为顺磁性.     

燃烧火焰法沉积金刚石的晶体形貌

本文研究了在大气中用燃烧火焰法沉积出的金刚石的结晶形态。结果发现，所沉积出的金刚石除了同体和十四面体单晶外，还有尖晶石型、伪五角型、二十面体型及球型等多重孪晶颗粒（ＭＴＰＳ），并与实验模型进行了对比观察。所有ＭＴＰＳ大多是以｛１１１｝面为孪晶面。在｛１１１｝面上还有大量层错和显微孪晶。本文还对产生上述晶体形貌的原因进行了理论分析。     

定向金刚石薄膜的“分送”热丝法生长

本文采用分离送入反应气体的热丝法，制备｛１１０｝晶面占优的定向金刚石薄膜；研究了沉积几何对定向形貌的影响。实验表明，若要得到定向形貌，沉积几何需有严格的限制。     

晶体形态一些基本概念的实际意义分析

本文对晶体学中关于晶体形态一些古老的基本概念(单形的正形与负形、左形与右形、一般形与特殊形)进行了深入思考,并从实际晶体形态上发育这些单形的角度,分析了它们的本质区别与内在含义:单形的正形与负形是属于同一几何单形、同一对称型(点群)的两个结晶单形,它们可以相聚;单形的左形与右形也是属于同一几何单形、同一对称型(点群)的两个结晶单形,但它们却具有不同的内部结构,所以它们不能够相聚;单形的一般形与特殊形只有结晶单形意义,无几何单形意义.这些认识阐明了过去我们多年来并没有足够重视的一些理论与实际问题,这有助于晶体形态对称理论的发展,也有助于晶体学教学思路的明确.     

KAl(SO4)2·12H2O晶体聚集体形貌及结晶学规律

采用双玻片凝胶法得到了等轴晶系水溶性晶体KAl(So4)2·12H2O(钾明矾)的晶体聚集体形貌.通过光学显微镜和扫描电镜下的形貌观察和分析,根据结晶学和晶体形貌学的基本原理,探讨了该晶体聚集体形貌中蕴含的结晶学规律.钾明矾晶体发育单形{111},以{100}贴在载玻片上生长,形成聚集体形貌时,晶粒{111}以平行连生的方式形成“十字形”枝晶或柱状枝晶,以(320)或(230)为共格晶界形成“Z”形枝状形貌.     

m-NBA*DEA和3.5-DNBA*DEA分子晶体形貌的分析

本文应用周期键链理论(Periodic Bond Chain;简称PBC),结合晶体的结构数据,采用文献[1]给出的计算接触能(Eatt)的公式,通过微机对间硝基苯甲酸(m-NBA)和3.5-二硝基苯甲酸(3.5-DNBA)分别与二乙醇胺(DEA)形成超分子化合物(分别简称为m-NBA*DEA和3.5-DNBA*DEA)的晶体形貌及生长习性进行了推断.其结果是:m-NBA*DEA晶体属于F面的单形有{001};属于S面的单形有{011},{101},{110},{100}和{112};其它单形则属地K面.对于3.5-DNBA*DEA晶体,由于在晶体结构中只有一个PBC矢量,故不出现属于F面的单形;而属于S面的单形有{010},{001}和{011};其它单形则属于K面.实验证明,理论推算的形貌与实际晶体的形貌符合得比较好.     

单溶剂体系中CdSe纳米晶体的形貌调控研究

采用非水溶液方法,分别在十六胺(HDA)或邻苯二甲酸辛酯(DOP)的单溶剂体系中,通过调节前体加入速度和反应温度制备出六角形、多臂、短棒、长棒状以及四脚架形CdSe纳米晶体,并用透射电镜(TEM)对所得产品进行了表征.结果表明,前体的过饱和度强烈地影响CdSe纳米晶体的形貌,过饱和度的提高有导致六方纤锌矿结构(011-)方向上择向生长的趋势;两种单溶剂体系中在CdSe纳米晶体的形貌调控上有不同的影响;200 ℃不利于得到高质量的CdSe纳米晶体.     

用气相传输法生长C60单晶

本文采用气相传输方法，以氦气作为传输载体，生长了线度为毫米量级的Ｃ６０单晶体。Ｘ射线衍射分析结果证明，该单晶为ｆｃｃ结构，晶格常数为１．４１４９ｎｍ。分析表明，Ｃ６０晶体的形核方式与金属形核类似，其生长方式为台阶式生长。     

水热合成奇异形态的ZnO晶体

本文采用水热法,以3mol/L KOH为矿化剂,填充度35;,温度430℃,在Zn(OH)2中添加SnCl2·2H2O,添加量为Sn2+:Zn2+=2;条件下,合成出ZnO晶体.产物中除了大量短六棱柱形晶体外,还出现了部分冰激凌形晶体.六棱柱形晶体具有典型的ZnO特征,显露正极面c{0001}、负极面-c{000-1}、柱面m{10-10}、正锥面p{10-11}和负锥面-p{10-1-1}.而冰激凌形晶体有明显的六棱锥晶体外壳,X光能谱(EDS)检测证实晶体各部位的组分均为ZnO.     

聚苯乙烯微球在乙醇/水混合分散介质悬浮液气-液界面自组装:快速组装单层胶粒晶体

本文提出了一种组装单层聚苯乙烯(PS)胶粒晶体的方法。一定温度下,一定质量比乙醇和水(乙水比K)作为分散介质的悬浮液气-液界面处,可快速自组装出单层PS胶粒晶体。研究表明,悬浮液中的PS微球在对流的带动下到达气-液界面,在两个PS微球之间由弯液面产生的毛细管力推动下组装在一起,并形成组装核心。后续到达气-液界面的PS微球与组装核心持续组装,最终在悬浮液的气-液界面形成单层PS胶粒晶体。通过改变乙水比K,调整混合分散介质与到达气-液界面的PS微球之间的润湿性,进而改变组装推动力,最终实现单层PS晶体的组装。因此分散介质中的乙水比K是单层PS胶粒晶体形成的关键因素。PS微球的质量百分比浓度虽也可影响PS胶粒晶体薄膜的层数,但乙水比K15∶1时,单纯降低浓度无法得到单层PS胶粒晶体。组装温度仅对晶体的质量产生影响。     

双包覆层局域共振型声子晶体带隙特性研究

低频噪声由于其频率较低,波长较长而难以抑制,因此增大声子晶体低频带隙宽度尤为重要.与Bragg型声子晶体相比,局域共振型声子晶体可以用较小的尺寸获得低频带隙,即用小尺寸来控制大波长,这一特点为声子晶体在低频减振和降噪方面的应用提供了新的方法和思路,具有重要的应用价值.笔者设计了二维组合式包覆层局域共振型声子晶体,研究了不同材料的组合包覆层对带隙的影响,得出组合式包覆层声子晶体比单包覆层声子晶体具有更宽带隙,不同包覆层组合形式对带隙有较大影响等结论,为声子晶体的研究做出了参考.     

配合物晶体MnHg(SCN)4的晶形分析

配合物晶体MnHg(SCN)4中维系晶体结构的化学键是-Mn-NCS-配位键.从MnHg(SCN)4晶体中配位键的分布特点出发,对属于点群4的单形四方四面体、四方柱和平行双面进行分析,确定晶形中不能出现平行双面{001}、四方柱{110},可以出现的单形为四方四面体{101}和{011}及四方柱{100},而且四方四面体{101}和{011}单形最发育.由结构分析得出的晶形特点与实际晶体晶形特点相符.     

胶体晶体自组装常用方法的研究进展

胶体自组装是制造大面积胶体晶体的高效方法,对制备各种功能胶体晶体材料具有十分重要的意义,在微纳制造、新材料、能源、医学等领域有巨大的应用潜力.对胶体自组装过程中涉及的各种作用力进行了详细分析,归纳了胶体晶体自组装的基本方法.面向制造大面积胶体晶体,阐述了几类代表性的新型胶体晶体自组装方法,包括温度辅助、模板辅助、表面活性剂辅助、旋涂法与界面转移相结合等,分析了不同方法的影响因素、优缺点和未来的改良方向,并介绍了在完整单层膜基础上制造三维胶体晶体的工艺方法.为提高胶体晶体制造质量和效率、拓宽胶体自组装技术的应用提供必要参考.     

空心和实心SiO2胶体晶体微球的快速制备方法

胶体晶体微球因其独特的内部结构被广泛地应用到诸多领域.本文提供了一种简单、快速合成SiO2胶体晶体微球的方法,即:将单分散SiO2微球悬浮液加入到有机溶剂(正辛醇或二甲基硅油)中超声乳化,使SiO2微球在溶剂中自组装,形成SiO2胶体晶体微球,用扫描电镜(SEM)观察其形貌结构,用Nano Measurer 1.2软件统计其粒径分布.实验表明,SiO2胶体晶体微球在正辛醇中形成空心结构,在二甲基硅油中形成实心结构;悬浮液浓度,悬浮液与溶剂的质量比,单分散SiO2微球粒径不会明显影响SiO2胶体晶体微球的形貌和结构,但会对其粒径分布产生一定的影响.     

ZnO晶体的极性生长习性与双晶的形成机理

本文根据晶体负离子配位多面体的生长基元的观点，结合氧人锌晶体生长基元稳定能的计算，研究和分析了水热条件下氧化锌晶体的极性生长习性和双日 的形成机理。氧化锌晶本的生长习性明显地受生长时的物理化学条件（溶液的碱度，反应和矿化剂）的影响，晶粒形态表现为长柱状、单锥状和颗粒状；而且在不同的生长条件下可以形成不贩双晶晶粒。在以ＫＢｒ为矿化剂的溶液中形成哑铃形双晶，双晶面为（０００１）；在中性或弱碱性溶液２中     

三氟乙酸和丙三醇双掺TGS晶体生长与性能研究

利用水溶液降温法生长了单掺4.4mol;三氟乙酸TGS晶体及双掺4.4mol;三氟乙酸和4.4mol;丙三醇TGS晶体,研究了晶体生长习性,并对其热释电系数、介电常数、居里点及电滞回线进行了测试,实验表明,单掺可将晶体的居里点提高至53.6℃,内偏压场得到一定改善,而在此基础上双掺可将晶体居里点进一步提高至55℃,同时其热释电性能得到显著提高,晶体优值可提高为纯TGS晶体的3.3倍.     

不同形貌二水草酸钙晶体的合成、表征及其对肾上皮细胞的损伤作用

合成了4种不同形貌和尺寸的二水草酸钙(COD)晶体,分别为尺寸20μm的花状、10μm的十字形、2μm的四方双锥形和1μm的棒状COD晶体.采用X射线衍射、傅立叶变换红外光谱、扫描电子显微镜(SEM)和比表面测试仪对上述4个COD晶体的理化性质进行了表征.花状和十字形COD晶体都具有尖锐的棱角;棒状、四方双锥形COD都具有完整的(100)面.随着晶体尺寸的降低和晶体表面正电荷密度高的(100)面比例增大,其Zeta电位绝对值不断减小.不同形貌COD晶体均对非洲绿猴肾上皮细胞(Vero)具有毒性作用,其细胞毒性大小与多因素相关,包括晶体的尺寸、晶面、尖锐程度、比表面积以及Zeta电位等.本研究有助于进一步阐明尿微晶形貌差异影响肾结石形成的分子和细胞机制.