丝网印刷FeS2（pyrite）薄膜的结构及光电性能

采用丝网印刷方法制备了FeS₂(pyrite)薄膜，用x射线衍射确定了样品FeS₂(pyrite)薄 膜的 晶体结构，并用Rietveld方法对样品的结构进行了精修，确定了样品的点阵常数、键长、键 角、硫原子占位等结构参数.研究了膜厚对方块电阻、载流子浓度、霍尔迁移率、光能隙等 光电参数的影响. 关键词： 丝网印刷 薄膜 结构 Rietveld方法 光电性能     

能量分辨率对EXAFS的影响

测量EXAFS谱时,系统的能量分辨率是影响其结果的重要因素。本文提出了分辨率影响结构参数的计算方法,以Ge,Ni样品为例,测量及计算了不同分辨率下的结构参数的差异。测量结果与计算结果符合得很好,讨论了分辨率如何影响EXAFS谱及结构参数,给出了修正方法。 关键词：     

Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究

用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃,而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃,且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响．     

三氨基三硝基苯材料微孔结构的小角x射线散射实验研究

应用同步辐射x射线小角散射技术研究了不同工艺制备的三氨基三硝基苯样品中的微孔状况 ，得到了样品材料有关微结构参数，包括微孔平均孔径及孔径分布、分形特征、Porod常数 及界面参数等，并分析了微孔结构参数的变化规律.结果表明，不同工艺制备的TATB样品材 料其微孔结构有较大差别，都有较显著的特征. 关键词： 小角x射线散射 TATB材料微孔分布     

Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究

用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性.根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式:在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃,而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃,且分布形式与Ge原子层的厚度无关.讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ge原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响.     

光学方法探索样品的空间结构——第21届亚洲物理奥赛实验第2题解答

本题分为四个部分： A部分进行光与样品的准直,B部分测量样品中微球间距以及微球直径,C部分测量样品中矩形网格阵列的矩形结构尺寸和取向角,D部分测量样品网格间距,E部分对C和D测量到的矩形网格阵列形貌进行图形化。本文在官方提供的参考答案基础上,给出详尽的解答过程与注意事项,对考察要点与评分标准进行分析。     

用于探测生物超微弱发光的样品聚光罩的设计问题

本文讨论了半旋转椭球聚光罩的聚焦与放大作用。结合Ｒ９４３－０２型光电倍增管接收器及平面型发光样品，给出了聚光罩参数的选择方法，计算了最佳参数及相应的聚光效率     

渥拉斯顿棱镜在不同方式组合下的光路特性分析

分析了具有相同结构角的两个渥拉斯顿棱镜在不同方式组合下的光路特性。给出了分束角与结构角的关系表达式,同时也给出了分束角与结构角的关系曲线。使用He Ne激光器(波长λ=633nm)对两个结构角S=27°的渥拉斯顿棱镜在四种不同组合方式下的光路进行了测试。结果表明,测试结果与理论计算完全相符。     

各向异性样品临界电流密度的自场效应

本采用Ｎｅｗｔｏｎ迭代法解决了无限长各向异性ＨＴＳＣ导线临界电流密度的自场效应，设临界电流密度平行于ｘ轴，外场与ｙ轴成θ角。我们给出了零外场下，临界电流密度及其自场的空间分布，计算了平均临界电流密度与θ角和外场数值的关系，发现并讨论了自场尺寸效应中的极值问题。我们的方法将可以有效地推广到其他更复杂形状和性质的样品中。     

六角锥状ZnO纳米结构的生长机理、结构及光学性能(英文)

利用醋酸锌[Zn(CH3COO)2·2H2O]和六次甲基四胺(C6H12N4)以一定比例配置成反应溶液,通过水热合成法制备了六角锥状ZnO纳米结构。同时,使用了扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射和选区电子衍射(SAED),对样品的形貌与结构进行了分析。结果表明,样品形貌成六角锥状结构,并且在[002]方向择优生长。通过对样品的光学性能测试,由PL光谱分析可知,样品在379nm处有一个较强的紫外发光峰,并且在可见光区域产生了一些较弱的可见光发射峰,表明制备的六角锥状ZnO纳米结构的晶体质量不是很好。除此之外,对六角锥状ZnO的生长机理也进行了讨论。     

短波长软X射线多层膜高级次峰设计与制备

考虑了短波长软X射线多层膜的设计问题，比较了一、二、三级布喇格衍射峰设计的反射率结果，分析了反射率与周期厚度及金属层在周期中的比率的关系．本文认为，在存在不连续金属膜层的情况下，用布喇格衍射峰的二级次设计，有助于获得实测的反射率．给出了利用磁控溅射方法沉积的Mo/Si多层膜在4.47nm处同步辐射测量，在60°入射角下获得8.5%实测反射率的结果． 关键词：     

Specific character of the 119Sn thin films growth on amorphous Si by the CBPLD method

The research of the ¹¹⁹Sn thin films growth on amorphous Si that is important for the multilayer periodical spin-tunnel nanostructures creation have been investigated in this paper. The ¹¹⁹Sn mono-isotopic thin films on the silicon substrates (100) had been received by crossed-beam pulsed laser deposition method (CBPLD). Similarly the [Fe/Si/Sn/Si] multilayer periodical structures have been deposited. The received samples were investigated by atomic-force microscopy, electronic microscopy and X-ray reflectometry methods. It has been established that at ¹¹⁹Sn film thickness up to 3 nm it is possible to received atomic-smooth surfaces with 0.5 nm roughness.     

X射线W/B4C宽带多层膜的优化设计和制备

介绍了X射线宽带多层膜材料W和B4C的选定方法,依据伯宁(BERNING)公式确定出了在0.154 nm处X射线宽带多层膜的最佳膜对数。引入适当的评价函数,利用具有全局寻优特性且效率较高的遗传算法,在波长0.154 nm处优化设计出了掠入射角(θ)0.5°~0.9°范围内反射率值达到40%的宽角度宽带多层膜。宽带多层膜反射镜采用磁控溅射方法制备,并用X射线衍射仪对样品进行了检测,结果表明在掠入射角(2θ)1.0°~1.8°之间的相对反射率光谱曲线比较平坦。     

低原子序数材料窄带多层膜的研制

为研制极紫外波段窄带多层膜反射镜,采用低原子序数材料组合设计了30.4 nm波长处Mg/SiC,Si/SiC,Si/B4C和Si/C多层膜反射镜,并与极紫外波段传统的Mo/Si多层膜反射镜进行对比。采用直流磁控溅射技术制备了这些多层膜,在国家同步辐射实验室辐射与计量光束线完成了多层膜反射率测量,测量结果表明:Mg/SiC多层膜的带宽最小,为1.44 nm,且反射率最高,为44%;而Mo/Si多层膜的反射率仅为24%,带宽为3.11 nm。实验结果证明了采用低原子序数材料组成的多层膜的带宽要比常规多层膜窄,该方法可以应用于极紫外波段高分辨研究。     

低原子序数材料窄带多层膜的研制

为研制极紫外波段窄带多层膜反射镜,采用低原子序数材料组合设计了30.4 nm波长处Mg/SiC,Si/SiC,Si/B4C和Si/C多层膜反射镜,并与极紫外波段传统的Mo/Si多层膜反射镜进行对比。采用直流磁控溅射技术制备了这些多层膜,在国家同步辐射实验室辐射与计量光束线完成了多层膜反射率测量,测量结果表明：Mg/SiC多层膜的带宽最小,为1.44 nm,且反射率最高,为44%;而Mo/Si多层膜的反射率仅为24%,带宽为3.11 nm。实验结果证明了采用低原子序数材料组成的多层膜的带宽要比常规多层膜窄,该方法可以应用于极紫外波段高分辨研究。     

23.4nm软X射线多层膜反射镜研制

为了满足类氖-锗X射线激光研究的需要,设计制备了23.4 nm软X射线多层膜反射镜.依据多层膜选材原则并考虑材料的物理化学特性选择新的材料Ti与Si组成材料对.设计优化材料多层膜的周期厚度(d),材料比例(Γ),周期数(N),计算出Ti/Si反射率曲线.通过实验优化各种镀膜工艺参数,制备出了23.4 nm的Ti/Si多...     

Characterization and optimization of magnetron sputtered Sc/Si multilayers for extreme ultraviolet optics

Scandium/silicon multilayers have been deposited by magnetron sputtering and characterized by several techniques. Experimental peak reflectances of 0.22 and 0.37 have been measured respectively at wavelengths of 40 nm and 46 nm, for 10° incidence angle. The corresponding theoretical values for a perfect Sc/Si structure are respectively 0.38 and 0.57. In order to explain these differences between calculated and measured reflectivity, thin film and multilayer characterizations have been done. Effects of multilayer imperfections on the reflectivity have been estimated independently by means of simulation. Based on these results, a new design of Sc/Si multilayer is proposed with top layer thickness optimization. With this design, the experimental peak reflectance reaches 0.46 at a wavelength of 46 nm. PACS 78.67.Pt; 78.66.-W; 81.15.Cd     

Fabrication and performance characterization of Al/Ni multilayer energetic films

Al/Ni multilayer bridge films, which were composed of alternate Al and Ni layers with bilayer thicknesses of 50, 100 and 200 nm, were prepared by RF magnetron sputtering. In each bilayer, the thickness ratio of Al to Ni was maintained at 3:2 to obtain an overall 1:1 atomic composition. The total thickness of Al/Ni multilayer films was 2 μm. XRD measurements show that the compound of AlNi is the final product of the exothermic reactions. DSC curves show that the values of heat release in Al/Ni multilayer films with bilayer thicknesses of 50, 100 and 200 nm are 389.43, 396.69 and 409.92 J?g^?1, respectively. The temperatures of Al/Ni multilayer films were obviously higher than those of Al bridge film and Ni bridge film. Al/Ni multilayer films with modulation of 50 nm had the highest electrical explosion temperature of 7000 K. The exothermic reaction in Al/Ni multilayer films leads to a more intense electric explosion. Al/Ni multilayer bridge films with modulation period of 50 nm explode more rapidly and intensely than other bridge films because decreasing the bilayer thickness results in an increased reaction velocity.     

Structure and mechanical properties of Al/AlN multilayer with different AlN layer thickness

Nanometer scale Al/AlN multilayers have been prepared by dc magnetron sputtering technique with a columnar target. A set of Al/AlN multilayers with the Al layer thickness of 2.9 nm and the AlN layer thickness variation from 1.13 to 6.81 nm were determined. Low angle X-ray diffraction (LAXRD) was used to analyze the layered structure of multilayers. The phase structure of the coatings was investigated with grazing angle XRD (GAXRD). Mechanical properties of these multilayers were thoroughly studied using a nanoindentation and ball-on-disk micro-tribometer. It was found that the multilayer hardness and reduced modulus showed no strong dependence on the AlN layer thickness. Al2.9 nm/AlN1.13 nm multilayer had more excellent tribological properties than single layers and other proportion multilayers with a lowest friction coefficient of 0.15. And the tribological properties of all the multilayers are superior to the AlN single layer.     

在19.5 nm处高反在30.4 nm处抑制的双功能薄膜

研究了极紫外波段的双功能光学元件。采用周期膜叠加的思想,运用遗传方法优化设计了在19.5 nm处高反,在30.4 nm处抑制的双功能多层膜。采用磁控溅射技术制备了多层膜,利用X射线衍射仪测试了多层膜的结构,在国家同步辐射实验室测试了双功能多层膜的反射特性。结果表明：制备出的双功能膜性能与设计相符,在入射角13°,19.5 nm处的反射率达到33.3%,接近传统的19.5 nm周期高反膜的反射率,并且在30.4 nm附近将反射率由1.1%降到9.6×10-4。