He原子价壳层跃迁的电子碰撞研究

在入射电子能量 2 5 0 0eV下测量了He的 11S→ 2 1S ,2 1P ,31S和 31P的微分散射截面和广义振子强度 ,并与前人的实验和理论结果进行了比较 ,认为在此入射电子能量下一阶Born近似对此 4个跃迁成立. With electron impact energy of 2 500 eV and energy resolution of 85 meV, the differential cross sections and the generalized oscillator strengths of the excitations of 1 1S→2 1S, 2 1P, 3 1S and 3 1P of helium has been measured by electron energy loss spectroscopy . Comparing with previous experimental and theoretical results, it seems that the first Born approximation is valid for these excitations under such an electron impact energy.     

相对流量技术及其在电子碰撞微分散射截面测量中的应用

为了提高原子分子动力学参数的测量精度,本文把气体相对流量技术应用到快电子碰撞研究中. 并且在此基础上测量了氙原子6s激发的广义振子强度,所得结果在小动量转移区间与前人的结果符合很好,表明气体相对流量技术在电子碰撞方法中的适用性. 大动量转移区间6s的表观广义振子强度对电子碰撞能量的依赖行为,说明500eV的电子碰撞能量还不满足一阶玻恩近似条件. 与Hartree-Fock方法相比,考虑电子关联效应更全面的随机相移近似计算结果与本文的实验结果符合更好,说明对于像Xe这样的重原子,电子关联效应十分重要.     

相对流量技术及其在电子碰撞微分散射截面测量中的应用

为了提高原子分子动力学参数的测量精度,本文把气体相对流量技术应用到快电子碰撞研究中.并且在此基础上测量了氙原子6s激发的广义振子强度,所得结果在小动量转移区间与前人的结果符合很好,表明气体相对流量技术在电子碰撞方法中的适用性.大动量转移区间6s的表观广义振子强度对电子碰撞能量的依赖行为,说明500 eV的电子碰撞能量还不满足一阶玻恩近似条件.与Hartree-Fock方法相比,考虑电子关联效应更全面的随机相移近似计算结果与本文的实验结果符合更好,说明对于像Xe这样的重原子,电子关联效应十分重要.     

1KeV电子入射单电离氦原子三重微分散射截面的理论研究

用3C模型、DS3C模型对1KeV电子入射氦原子(e,2e)反应中的三重微分散射截面进行了计算,并将理论计算结果与实验数据进行了比较,研究了各种屏蔽效应对散射平面内以及垂直平面内三重微分散射截面的影响,并对三重微分散射截面变化规律进行了探讨.结果表明:各种屏蔽效应对散射平面内三重微分散射截面的贡献可以忽略;而在垂直平面内,这些效应对三重微分散射截面结构存在较强影响;另外,末态出射电子与靶核的相互作用直接影响散射平面内和垂直平面内截面的结构及其变化规律.     

Murrell-Sorbie势下He-HCl碰撞体系微分散射截面的研究

根据在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的He-HCl相互作用能数据,作者采用Murrell-Sorbie势函数形式拟合了He原子与HCl分子相互作用的各向异性势,并与其它势模型进行了比较;然后采用公认的精确度较高的CC近似方法计算了He-HCl碰撞体系的微分散射截面,总结了非弹性微分散射截面的变化规律.研究表明:采用拟合的各向异性势计算的微分散射截面与实验结果符合得很好.拟合势不但表达形式简洁,而且较好地描述了He-HCl系统相互作用的各向异性特征;利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题.对进一步研究原子与分子相互作用的机制有一定的参考价值.     

He-H2(D1,T2)碰撞(E=0.2 eV)微分散射截面的理论计算

当入射氦原子能量E=0.2 eV时,用密耦方法计算了He-H2(D2,T2)碰撞的微分散射截面.     

氦原子与卤族氢化物分子相互作用势的研究

根据ab initio 计算构造的拟合势研究了He-HF, HCl, HBr三个系统的微分散射截面, 并与实验测量值比较. 结果表明: 该计算方法可以得到较为准确的相互作用势; 随着卤族原子半径的增大, 在0° 时, 相互作用势最小值变浅, 势阱位置向远处移动, 更多的是各向异性性质; 180°时, 相互作用势最小值变深, 势阱位置也同时向远处移动, 表现出更多的各向同性; 每个系统在T型结构下的势阱深度比线型结构下均要浅; 卤族原子半径变大, 反而表现出更多的球对称性, 并且从各向异性势的径向系数, 可以明显看出V₁, V₂, V₃, ··· 相对于V₀的贡献是在逐渐减小的, 这对理解激发态动力学的研究有着很重要的参考价值. 关键词： 各向异性势 密耦近似 微分散射截面     

共面双对称条件下电子碰撞Ar原子单电离的一阶扭曲波Born近似

在共面双对称几何条件下,利用一阶扭曲波Born近似计算了中低能电子碰撞Ar原子(3p壳层电子)单电离的三重微分截面,并与最近的实验数据做了比较.结果表明,对于Ar原子,当入射电子能量比电离阈高40 eV以上,随着入射能量的增加,binary和recoil碰撞机理逐渐占据支配地位;在近阈能量范围,上述碰撞机理不再处于支配地位,扭曲效应明显.要完备地描述中低能入射条件下Ar原子的电子碰撞电离过程,理论模型必须同时考虑多种散射机理.     

He2+离子与H原子的重粒子碰撞电离过程

利用初态程函近似的连续扭曲波方法研究了He²⁺离子与Ｈ原子的碰撞电离过程. 计 算得到了入射离子能量从30keV/u到2000keV/u的碰撞电离总截面、随电离电子能量和角度变 化的一阶和二阶微分散射截面，及随入射离子能量变化的电离电子平均能量.计算的总电离 截面与其他理论和实验结果进行了比较，在入射离子能量大于100keV／u的能区，计算结果 与实验符合得很好；在较低的能区，各种理论结果之间有较大差别，计算结果比实验约小50 ％.利用计算的二阶微分散射截面讨论了软碰撞、电子俘获到入射离子连续态、两体相遇碰 撞等碰撞电离机理. 关键词： 重粒子碰撞电离 初态程函近似 总截面 一阶和二阶微分散射截面     

屏蔽效应对氦原子(e,2e)反应中二重微分截面和单微分截面的影响

用DS3C模型计算了入射能为32.5, 36.5, 40.7 eV时电子入射单电离氦原子的二重微分散射截面, 并把计算结果与实验结果进行了比较, 对屏蔽效应进行了分析. 通过对二重微分散射截面在全空间的角度积分得到了电子入射单电离氦原子的单微分散射截面, 利用3C模型和DS3C模型计算了入射能为32.5, 36.5, 40.7, 50 eV时氦原子的单微分散射截面, 并把计算结果与实验结果进行了比较. 对截面的结构进行了分析, 并系统研究了交换效应对截面的贡献. 关键词： DS3C模型 二重微分散射截面 单微分散射截面 屏蔽效应     

用振动密耦合方法研究低能电子与N2分子碰撞的振动激发微分散射截面

采用振动密耦合方法，分别应用球高斯分布极化势和优于绝热极化势，及基于量子力学从头计算的静电、交换势，得到入射电子能量2.40eV时0→2和0→3的振动激发微分散射截面，与目前优秀的实验值比较，获得了满意的结果，并从理论上分析了整个计算过程中可能影响微分散射截面精度的主要物理因素.     

非共面几何条件下102eV电子碰撞He原子电离的全微分截面

利用DS3C模型研究了非共面几何(垂直平面与垂直动量转移平面)条件下,散射电子的散射角θ₁取不同固定值时,102eV的电子碰撞He原子单电离反应过程的完全微分截面(FDCS),将其计算结果与3C,CCC等理论模型及实验数据进行了比较.结果表明DS3C模型能够较好地定性描述非共面几何(垂直平面与垂直动量转移平面)条件下的碰撞结果,说明对于非共面几何条件下的碰撞过程,出射道三粒子间的动力学关联效应是比较强的. 关键词： 非共面几何 单电离 全微分截面     

用振动密耦合方法研究低能电子与N2分子碰撞的振动激发微分散射截面

采用振动密耦合方法,分别应用球高斯分布极化势和优于绝热极化势,及基于量子力学从头计算的静电、交换势,得到入射电子能量2.40eV时0→2和0→3的振动激发微分散射截面,与目前优秀的实验值比较,获得了满意的结果,并从理论上分析了整个计算过程中可能影响微分散射截面精度的主要物理因素. 关键词： 分子碰撞 微分散射截面 振动激发 相互作用势     

64.6 eV电子碰撞电离氦原子(e, 2e)反应的理论研究

利用BBK理论及其修正模型,计算了入射能64.6 eV、 不同枪角情况下,电子碰撞电离氦原子(e, 2e)反应的三重微分散射截面. 分析了曲线结构,对其内部碰撞机制进行了详细的研究和探讨.结果表明: 在非共面几何条件下,碰撞微分截面上所呈现出来的特征是由多种效应共同作用所决定的, 随着条件的不同而相互转化.且在垂直入射几何条件下,末通道存在着极强的动力学屏蔽.     

730 eV电子碰撞He原子(e, 2e)电离的三重微分截面

考虑初态He原子电子间的关联效应、末态敲出电子与剩余束缚电子间的关联效应和末态屏蔽效应, 计算和分析了在共面、大能量损失和小动量转移这一特殊几何条件下730eV电子离化He原子的三重微分截面. 所得结果与Stevenson等人的相对实验数据和CCC理论计算结果进行比较发现: 所得到的理论曲线能够反映实验数据给出的三重微分截面的结构特征.     

730 eV电子碰撞He原子(e, 2e)电离的三重微分截面

考虑初态He原子电子间的关联效应、末态敲出电子与剩余束缚电子间的关联效应和末态屏蔽效应, 计算和分析了在共面、大能量损失和小动量转移这一特殊几何条件下730eV电子离化He原子的三重微分截面. 所得结果与Stevenson等人的相对实验数据和CCC理论计算结果进行比较发现: 所得到的理论曲线能够反映实验数据给出的三重微分截面的结构特征.     

氦同位素原子与钠分子碰撞转动激发积分散射截面的理论计算

多体刚性椭球模型是一种比较精确的描述氦原子与钠分子碰撞的理论模型.本文用多体刚性椭球模型计算了不同能量下He的同位素原子3He,4He,7He,10He与Na2分子碰撞的转动激发积分散射截面,表明增加椭球等势面个数可以得到更准确的转动激发积分散射截面;总结出3He,4He,7He,10He-Na2碰撞体系转动激发积分散射截面随相对入射能量和体系约化质量变化的规律;讨论了相对入射能量为100meV时,相互作用势的不同区域对4He-Na2碰撞体系转动激发积分散射截面的影响情况.     

电子碰撞激发氢原子和氦离子散射微分截面的计算

本文详细介绍计算电子碰撞激发散射截面的扭曲波玻恩近似（DWBA）理论模型,并对低能DWBA模型进行修正。利用修正的DWBA模型计算了电子碰撞激发氢原子和氦离子1s-2s 和1s-2p的散射微分截面。将关于氢原子由基态到n=2态的电子碰撞激发散射微分截面与绝对实验测量数据比较,发现二者符合得很好,这验证了我们对DWBA修正的正确性。本文工作为拟合强场诱导的氦原子非序列双电离关联电子动量谱提供了有效的理论方法。     

用振动密耦合方法研究低能电子与N2分子碰撞的振动激发微分散射截面

采用振动密耦合方法,分别应用球高斯分布极化势和优于绝热极化势,及基于量子力学从头计算的静电、交换势,得到入射电子能量2.40eV时0→2和0→3的振动激发微分散射截面,与目前优秀的实验值比较,获得了满意的结果,并从理论上分析了整个计算过程中可能影响微分散射截面精度的主要物理因素.