量子点电子态的尺寸效应和磁场的影响

在有效质量近似下，使用少体物理的方法，计算了在不同大小约束势情况下二维量子点三电子系统的自旋极化态的能谱.结果显示幻数角动量是否出现，主要取决于量子力学对称性、约束势大小及磁场的强度. 关键词：     

GaN基LED量子阱内量子点发光性质的模拟分析

采用模拟计算的方法,运用量子点模型对GaN基LED器件中不同尺寸量子点的电致发光光谱进行模拟分析,并对器件结构中电子空穴浓度,辐射复合强度进行了研究．分析结果显示,随着量子点尺寸的增大,量子点发光波长存在红移,当圆柱状量子点半径从1．8nm增长到13nm时,波长红移309．6meV,在量子阱中生长单一尺寸的量子点可以达到不同波长的单色发光器件,而在不同量子阱中生长不同尺寸的量子点可以实现多波长发光,以及单颗LED的白色显示,并通过调节量子点的分布密度达到调节各发光波长强度的目的．结果表明,量子点分布密度调节之后多波长发光均匀性得到有效改善．     

铁电体-半导体量子点复合材料

文章介绍了这一领域的最新研究进展,并重点报道了一类新型铁电体基纳米复合材料－铁电体半 量子点复合材料的制备与光学性质,该材料在新型电致光元件及量子点激器中有着很好的应用前景。     

玻璃中的半导体量子点

介绍了玻璃中的半导体量子点。对玻璃中半导体量子点的生长过程、量子的电子态，量子尺寸效应、库仑阻塞效应及介电效应，做了比较全面的介绍。讨论了量子点的应用及发展前景。     

磁场下量子点的电子态

原子和核结构的少体理论方法改进后用以研究磁场下包含三个电子的二维量子点的电子性质。我们首先解析地证明了对应于三电子系统基态的幻数角动量的存在起源于量子力学对称性的要求。基于少体理论方法的计算确认了上述理论分析的正确性,计算同时显示出磁场强度和约束势对三电子系统基态的影响。 关键词：     

CdSe量子点的线性和非线性光学特性

主要从实验和理论两个方面,探讨了强受限尺寸区域内不同尺寸对CdSe量子点线性和非线性光学性质的影响.用吸收光谱研究了量子点尺寸与吸收峰之间的关系,用皮秒Z扫描技术研究了共振和非共振情况下(激发光波长分别为532和1064nm),尺寸与三阶非线性极化率之间的关系.基于电子能量状态理论和局域场增强理论对量子点进行分析,得到了CdSe不同尺寸的三阶非线性效应,研究了尺寸对量子点非线性光学性质的影响.结果表明,由激发态粒子数布局改变和纳米颗粒增大引起的非线性共振增强效应相当,二者共同作用使得三阶极化率增强20倍左右,且用532nm的共振频率激发4.3nm CdSe量子点时,χ⁽³⁾具有最大值2.0×10^-11esu. 关键词： CdSe量子点 三阶非线性 Z扫描')" href="#">Z扫描 量子限域效应     

GaN基量子点结构的喇曼特征

采用量子力学的微扰理论，对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析。在喇曼实验中，观察InGaN／GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式，并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比，有着明显的红移。     

T型量子点结构中的自旋极化输运过程

我们利用单杂质Anderson模型及运动方程等理论,通过求解格林函数的方法研究了通过T型量子点结构(耦合于铁磁电极和介观环量子点结构)的自旋极化输运过程.研究结果表明,与量子点相耦合的铁磁电极中的极化强度是控制量子点电子输运的重要参数,由此可以达到自旋阀效应.另外我们还发现与量子点相耦合的介观环中的磁通会影响电子自旋向上和自旋向下近藤共振峰的分裂程度,但若加入适当的外磁场,那么这样的分裂将被抵消。     

GaAs半导体量子箱中电子的斯塔克效应

在有效质量近似下,利用变分法研究了在GaAs半导体量子箱中电子能量的斯塔克效应.结论表明：电场平行于量子箱的中心轴时,斯塔克能移只与量子箱高度有关;电场垂直于中心轴时,斯塔克能移仅仅与它的截面尺寸有关.当电场方向与中心轴夹角为任意角时,斯塔克能移与高度和截面都有关.同时在低场和高场极限下,理论上分析了电场大小和量箱尺寸对斯塔克能移的影响.     

GaAs半导体量子箱中电子的斯塔克效应

在有效质量近似下,利用变分法研究了在GaAs半导体量子箱中电子能量的斯塔克效应.结论表明:电场平行于量子箱的中心轴时,斯塔克能移只与量子箱高度有关;电场垂直于中心轴时,斯塔克能移仅仅与它的截面尺寸有关.当电场方向与中心轴夹角为任意角时,斯塔克能移与高度和截面都有关.同时在低场和高场极限下,理论上分析了电场大小和量箱尺寸对斯塔克能移的影响.     

Kondo-Fano Effect in T-shaped Double Quantum Dots Coupled to Ferromagnetic Leads

Using an equation-of-motion technique,we theoretically study the Kondo-Fano effect in the T-shaped double quantum dots coupled to two ferromagnetic leads by the Anderson Hamiltonian.We calculate the density of states in this system by solving Green function.Our results reveal that the density of states show some noticeable characteristics not only depending upon the interdot coupling t ab,the energy level ε d1 of the side coupled quantum dot QD b,and the relative angle θ of magnetic moment M,but also the asymmetry parameter α in ferromagnetic leads and so on.All these parameters greatly influence the density of states of the central quantum dot QD a.This system is a possible candidate for spin valve transistors and may have potential applications in the spintronics.     

ZnO@GQDs核壳结构量子点的制备及性能研究

采用原位聚合法制备了以ZnO量子点为核、石墨烯量子点(GQDs)为壳的ZnO@GQDs核壳结构量子点。通过TEM和HR-TEM对量子点进行形貌和结构的分析表征。结果表明,合成的ZnO@GQDs核壳结构量子点为球形,粒径为~7 nm,且尺寸均匀。PL光谱研究表明,新型量子点的发射峰位于369 nm,发光峰窄、强度高;相对于ZnO的本征发射峰,GQDs的引入使得ZnO@GQDs核壳量子点的荧光发射峰出现蓝移、强度变高,从而使复合量子点的荧光具有较纯的色度和较高的强度,说明GQDs的引入具有协同优化效应。该量子点有望应用于LED显示器件。     

ZnO@GQDs核壳结构量子点的制备及性能研究

采用原位聚合法制备了以ZnO量子点为核、石墨烯量子点（GQDs）为壳的ZnO@ GQDs核壳结构量子点。通过TEM和HR-TEM对量子点进行形貌和结构的分析表征。结果表明,合成的ZnO@ GQDs核壳结构量子点为球形,粒径为～7 nm,且尺寸均匀。PL光谱研究表明,新型量子点的发射峰位于369 nm,发光峰窄、强度高;相对于ZnO的本征发射峰,GQDs的引入使得ZnO@GQDs核壳量子点的荧光发射峰出现蓝移、强度变高,从而使复合量子点的荧光具有较纯的色度和较高的强度,说明GQDs的引入具有协同优化效应。该量子点有望应用于LED显示器件。     

钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6.3×10¹⁰/cm²。随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性---超长红移现象。它们的光学特性表明:采用钝化低温法生长的纳米结构中存在零维量子限制效应。     

Photodynamic Therapy of Human Hepatoma Using Semiconductor Quantum Dots as Sole Photosensitizer

Currently, the studies about photodynamic therapy (PDT) of human cancers have made considerable progress and attracted tremendous attention. The existing photosensitizers used for PDT are mainly organic compounds. In order to enhance their photosensitizing efficacy, some studies reported hybrid photosensitizers consisting of inorganic quantum dots (QDs) and organic photosensitizers. Herein, a new type of photosensitizer consisting of sole semiconductor CdTe QDs with good photosensitizing efficacy, excellent water dispersibility, and stability is reported. The photosensitizer is prepared through a facile one‐step strategy using sodium hyaluronate as a stabilizing and targeting agent. Different from most of the previous reports, the as‐prepared QDs do not show inhibition effects on normal cells in the experimental concentration range, but can also be directly utilized as a photosensitizer to specifically and remarkably inhibit the proliferation of human hepatoma cells. Mechanism studies reveal that the QDs could be specifically internalized by hepatoma cells, considerably induce the generation of intracellular reactive oxidative species under light illumination, and significantly induce the necrosis of hepatoma cells. This work provides an inspiration for the direct application of QDs as a new type of photosensitizer to specifically and significantly treat human hepatoma through PDT.     

以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性

用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S-K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP-MOCVD技术,以Volmer Weber(V-W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。     

Electron Spins in Quantum Dots as Quantum Bits

The creation, coherent manipulation, and measurement of spins in nanostructures open up completely new possibilities for electronics and information processing, among them quantum computing and quantum communication. We review our theoretical proposal for using electron spins in quantum dots as quantum bits, explaining why this scheme satisfies all the essential requirements for quantum computing. We include a discussion of the recent measurements of surprisingly long spin coherence times in semiconductors. Quantum gate mechanisms in laterally and vertically tunnel-coupled quantum dots and methods for single-spin measurements are introduced. We discuss detection and transport of electronic EPR pairs in normal and superconducting systems.