分子筛修饰电极的研究（Ⅰ）：氢醌／醌电对在分子筛修饰电极…

考察了中性分子电对Ｈ２Ｑ／Ｑ在１３Ｘ型分子筛修饰电极上的电化学行为。发现Ｈ２Ｑ／Ｑ电对在修饰电极上电响应迅速，为双电子可逆反应，不受溶液温度及是电极与溶液相对运动的影响，而与溶液的ｐＨ值有关。当ｐＨ≤２．０时，修饰电极对Ｈ２Ｑ／Ｑ电对的氧化／还原有明显的催化作用。     

分子筛修饰电极上离子交换过程的电化学考察

用循环伏安法研究了以１３Ｘ型分子筛修饰的玻碳电极在含Ｆｅ＾２＋溶液中的电化学行为，考察了电极浸入溶液时间，电位扫描速度、溶液的温度对Ｆｅ＾２＋／Ｆｅ＾３＋电对的电响应的影响。     

对氯酚在碳纳米管修饰玻碳电极上的电化学行为研究

研究了对氯酚在多壁碳纳米管修饰玻碳电极（MWNTs/GC）上的电化学行为。MWNTs/GC电极对对氯酚具有良好的电催化作用,相比玻碳电极对氯酚的氧化峰电位负移76 mV,峰电流达到玻碳电极上的8倍。通过线性扫描伏安法研究了富集时间、溶液pH和扫描速率对对氯酚氧化的影响。并采用计时电流法研究了氧化峰电流与对氯酚的浓度关系,结果显示峰电流与对氯酚的浓度在2.0×10^-7-2.0×10^-4mol/L范围内呈良好线性关系,检出限为8.8×10-8mol/L（S/N=3）。放置7 d后,对氯酚在碳纳米管上的峰电流仍能达到最初电流的96.2%,表明电极的稳定性较好。     

咖啡因和茶碱在聚合物修饰电极上的电化学行为

研究了咖啡因 (CAF)和茶碱 (THEO)在聚对氨基吡啶 (POAP)修饰电极上的电化学行为。POAP电极对CAF和THEO的电氧化反应具有良好的催化能力 ,两反应物的电氧化呈现完全不可逆过程 ,峰电位相差 130mV左右 ,在最佳条件下测定 ,氧化峰电流与它们的浓度在 5× 10 -8～ 1× 10 -5mol/L之间均呈良好的线性关系。CAF和THEO在POAP电极上具有良好的重现性和稳定性 ,用于多种样品中CAF和THEO测定 ,结果令人满意。     

多巴胺在咖啡酸修饰电极上的电化学行为

研究了咖啡酸修饰玻碳电极的制备及其电化学性质,测定了电极反应的动力学常数。实验结果表明,在pH7.0的磷酸盐缓冲溶液中,多巴胺(DA)在该修饰电极上产生一灵敏的氧化峰,峰电流与DA浓度在5.0×10-6～1.0×10-4mol/L范围内良好线性关系,检出限为9.0×10-7mol/L。该修饰膜对DA有增敏作用,可望用于DA的测定。     

分子筛修饰电极的研究(Ⅱ)──NaY-聚乙烯醇电极对铅离子的响应

用吸附涂层法制备分子筛一高分子膜电极一直是人们感兴趣的课题之一［1～4］．但这类电极在一定程度上存在着分析灵敏度低，测定重现性差的缺点．本文采用分子筛（NaY型）－聚乙烯醇为涂层液，掺杂少量石墨粉，制备了分子筛一聚乙烯醇电极（ZPE）．在提高电极响应灵敏度和制备精密度方面进行了尝试，获得了较令人满意的结果．1实验部分1．1仪器与试剂DCG-2型多功能程序给定器；JSH-1型恒电位仪；GOULD60000型记录仪（英国）；JB-1型搅拌器；CQ500J超声波清洗器．NaY型分子筛（南京化工厂），聚乙烯醇［Mw=44．05n］，其它试剂均为…     

胡椒碱在碳纳米管修饰电极上的电化学行为研究

研究了胡椒碱在碳纳米管修饰电极上的电化学行为,在pH为6.4的磷酸盐缓冲溶液中,胡椒碱在-1.12V(vs.SCE)处有一灵敏的还原峰.与裸电极相比,还原峰电位明显正移,峰电流显著增加,表明该修饰电极对胡椒碱的还原反应具有明显的催化作用.峰电流与胡椒碱的浓度在10-6～10-5mol/L范围内呈良好的线性关系(r=0.995),检出限为2.0×10-7mol/L.同时,计算了电荷转移数和扩散系数,考查了修饰电极的重现性,7次平行测量的RSD为4.96%.     

抗坏血酸在聚阿魏酸修饰玻碳电极上的电化学行为研究

研究了抗坏血酸(AA)在聚阿魏酸修饰电极上的电化学性质。在AA存在的条件下,电极过程由扩散控制,测得扩散系数为8.18×10-8cm2/s。AA浓度在0.01~5.0 mmol/L范围内与峰电流呈现良好的线性关系。通过计时安培法测得催化速率常数为8.6×103mol-1.L.s-1。     

肾上腺素在咖啡酸修饰电极上的电化学研究

研究了咖啡酸(CFA)修饰电极的性质,测定了电极反应的动力学常数.结果表明在pH 7.0的的磷酸盐缓冲溶液中,肾上腺素(Ep)在该修饰电极上产生一灵敏的氧化峰,峰电流与Ep浓度在5.0×10-6～1.0×10-4 mol/L范围内线性关系良好,检出限为7.0×10-7 mol/L.修饰电极制备简单,稳定性好.     

土霉素在碳纳米管修饰电极上的电化学行为研究及其测定

研究了土霉素 (OTC)在 MWNT修饰电极上的伏安行为 ,优化了测定参数 ,在此基础上建立了一种直接测定土霉素的电化学分析方法。还原峰电流与土霉素的浓度在 2× 1 0 - 7～ 5× 1 0 - 5mol/L之间有很好的线性关系。开路富集 2 min后的检出限为 5× 1 0 - 8mol/L。用此方法测定了土霉素片剂中土霉素的含量 ,结果满意     

左旋多巴在单层碳纳米管修饰电极上的电化学行为

单层碳纳米管修饰电极对左旋多巴的电化学氧化还原具有很高的催化活性。在pH4.6的0.1mol/LHAc NaAc缓冲溶液中,可得到一对峰形很好的氧化还原峰。电极反应受扩散控制,反应过程中电子的得失伴随着等量的质子参与。氧化峰电流与左旋多巴浓度在2.1×10-4～5.0×10-6mol/L范围内成线性关系,检出限为2.0×10-6mol/L。     

抗坏血酸在聚槲皮素修饰电极上的电化学行为

采用电聚合方法制备了一种新的聚槲皮素(PQu)修饰电极,并用循环伏安法研究了该电极的电化学行为。在pH=4.0的B-R缓冲溶液中有一对准可逆的氧化还原峰,实验表明聚槲皮素电极过程是2电子2质子的可逆反应。该膜对抗坏血酸有良好的电催化作用,氧化峰电流与抗坏血酸浓度在4.76×10-6~1.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限达1.5×10-6mol/L。尿酸不干扰抗坏血酸的测定。     

谷胱甘肽在高岭土修饰碳糊电极上的电化学研究

制备了高岭土修饰碳糊电极(KCPE),并以氢醌(HQ)为电催化介质测定还原型谷胱甘肽(GSH)。实验结果表明,在该电极上谷胱甘肽(GSH)的加入对氢醌的电化学响应有明显提高,且电催化氧化峰电流与GSH浓度呈良好的线性关系,由此可采用差分脉冲伏安法(DPV)对GSH进行定量测定。对修饰电极的电化学性能进行了表征,测得电极有效表面积为0.118 6 cm2、电荷传递系数为0.68、表观速率常数为1.08×104cm3·mol-1·s-1。在优化条件下,测得GSH在KCPE上的线性范围为0.1~1,2.5~25μmol/L,检出限为0.073μmol/L。用该方法对含GSH的市售药进行测定,结果满意。     

左旋多巴在单层碳纳米管修饰电极上的电化学行为

单层碳纳米管修饰电极对左旋多巴的电化学氧化还原具有很高的催化活性.在pH 4.6的0.1 mol/L HAc-NaAc缓冲溶液中,可得到一对峰形很好的氧化还原峰.电极反应受扩散控制,反应过程中电子的得失伴随着等量的质子参与.氧化峰电流与左旋多巴浓度在2.1×10-4～5.0×10-6 mol/L范围内成线性关系,检测限为2.0×10-6 mol/L.     

吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上电化学行为的研究

研究了吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为,提出了一种检测吡硫醇的电化学方法.在0.1 mol/L的NaAc-HAc(pH 4.0)缓冲溶液中,吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上出现一灵敏的氧化峰,峰电位位于0094 V处.与裸玻碳电极相比,单壁碳纳米管修饰电极显著提高了吡硫醇的氧化峰电流.在最佳实验条件下,吡硫醇浓度在9.9×10~(-6)～5.7×10~(-4) mol/L范围内与峰电流呈良好的线性关系,检出限为2.98×10~(-7) mol/L.吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上的氧化过程受吸附控制,为1电子2质子的过程.     

分子筛修饰电极中内电子传输机理的研究

用电化学方法聚合方法筛孔道内的苯胺,以聚苯胺分子筛修饰电极为模型研究了分子筛修饰电极的内电子传输机理,ＮａＹ分子筛的离子交换点位被苯胺修饰后,通过电聚合制得聚苯胺分子筛修饰电极（Ｐａｎ＾＋Ｙ－ＺＭＥ）,该电极通过聚苯胺链自身的电子跳跃来实现电子传输,且只有通过阴极富集后对溶液中Ｃｄ＾２＋才有响应,并能用于测定抗坏血酸。     

对乙酰氨基酚在石墨烯/壳聚糖复合膜修饰电极上的电化学行为研究

制备了石墨烯-壳聚糖复合物修饰玻碳电极(GO/CS-GCE),考察了对乙酰氨基酚(APAP)在修饰电极上的电化学行为,发现石墨烯-壳聚糖复合物能较好改善玻碳电极对APAP的电化学性能,APAP在修饰电极上的电化学反应过程是受吸附控制的2电子,2质子反应过程;进一步研究发现在pH=9.16的碳酸钠-碳酸氢钠缓冲体系中,对...     

咖啡酸修饰电极的电化学性质及其对肾上腺素的电化学研究

研究了咖啡酸(CFA)修饰玻碳电极的制备和其电化学性质 ,测定了电极反应的动力学常数。实验结果表明 ,在 pH7.0的磷酸盐缓冲溶液中 ,肾上腺素(Ep)在该修饰电极上产生一灵敏的氧化峰 ,峰电流与Ep浓度在5.0×10 -6～1.0×10 -4mol/L范围内线性关系良好 ,检出限为7.0×10 -7mol/L。并对修饰电极反应的机理进行了初步探讨。修饰电极制备简单 ,稳定性良好