提高GaAs晶体质量的一种重要手段

在ＣＺ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术，它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对ＧａＡｓ晶体质量的影响，重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、ＥＬ２和电阻率分布等的影响。     

砷化镓（GaAs）半导体器件,单晶的现状及发展动向

本文从应用角度综合评述了国外近年来砷化镓集成电路、器件和单晶材料领域的进展概况以及目前存在的主要问题，并预测了今后的发展趋势。     

改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶

本文提出了改进的低压LEC/PBN法获得稳定的熔体化学计量比的条件,研究了晶体的电学性质、位错密度、C含量及EL2浓度等特性,并考察了高温热处理对晶体特性的影响.     

一种GaAs PHEMT器件的失效分析

随着Ga As PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)器件的广泛应用,器件的可靠性及失效分析方法越来越受到人们的重视。该文采用半导体参数分析仪、聚焦离子束(FIB)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDX)等分析方法对一种PHEMT器件进行失效分析,为实际生产和加工过程中的失效分析提供了参考。     

退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响

在LEC GaAs晶片中,存在相当大的弹性应变,在高温退火后,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的70%,残余应力得以部分释放,从而减小残余应力诱生断裂的可能性,提高了GaAs晶体的断裂模数.原生GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa,而退火GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值更高,约为150MPa,断裂模数最高值达163MPa.     

退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响

在L EC Ga As晶片中,存在相当大的弹性应变,在高温退火后,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的70 % ,残余应力得以部分释放,从而减小残余应力诱生断裂的可能性,提高了Ga As晶体的断裂模数.原生Ga As晶体加工的样品的断裂模数平均值约为135 MPa,而退火Ga As晶体加工的样品的断裂模数平均值更高,约为15 0 MPa,断裂模数最高值达16 3MPa.     

非掺SI—GaAs单晶热处理的研究

采用闭管Ａｓ气氛保护高－低－中温热处理方法进行非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热处理的研究，结果表明晶体的科技司有明显的改善，一般晶体的迁移率可提高一倍以上，在Φ３英寸非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶研究中，其晶体的电阻率不均匀性≤１５％，ＥＬ２ＲＳＤ≤５％，ＰＬ－Ｍａｐｐｉｎｇ≤９％。     

过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响

利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层.通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件.     

GaN基蓝光LED关键技术进展

以高亮度GaN基蓝光LED为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击,并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光LED制程的关键技术如金属有机物气相外延,P型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指出了需要改进的问题,展望了末来的研究方向。     

GaN基半导体激光器发展动态研究

简单介绍了材料特性及器件应用 ,着重介绍了氮化镓基半导体激光器的研究进展及其关键技术。     

n-GaN表面Ti/Al/Ti/Au电极的电学特性

实验研究了淀积在GaN上的Ti/Al/Ti/Au电极的电学和热学特性,绘制了不同退火温度下的I-V曲线,得到了最低的欧姆接触电阻率(ρs=1.2×10-4 Ω·cm2),并通过X射线衍射谱分析了GaN与Ti/Al/Ti/Au电极接触表面在退火过程中的固相反应.实验结果表明,在Ti/Al表面增加Ti/Au保护层能够保证Al层在高温时不发生球化和氧化,电极更稳定可靠能够进一步提高欧姆接触特性.     

GaN半导体研究与进展

介绍了 Ｇａ Ｎ 器件制备的关键技术以及 Ｇａ Ｎ 半导体在微电子和光电子领域的研究进展情况。     

提高半导体器件欧姆接触可靠性的扩散阻挡层及其应用

为了提高半导体器件欧姆接触的可靠性，一般要在金属化系统中加扩散阻挡层。文中介绍了阻挡层的种类及其特性，并进行了比较和讨论。最后给出了在实际成功应用的例子。     

Effect of Pt barrier on thermal stability of Ti/Al/Pt/Au in ohmic contact with Si-implanted n-type GaN layers

We report the effect of the Pt barrier on the thermal stability of Ti/Al/Pt/Au in ohmic contact with Si-implanted n-type GaN layers. Ti/Al/Au (25/100/200 nm) and Ti/Al/Pt/Au (25/100/50/200 nm) multilayers were, respectively, deposited on as-implanted and recovered Si-implanted n-type GaN samples. The associated dependence of the specific contact resistance on the annealing time at various temperatures was compared. The long-term ohmic stability of a Ti/Al/Pt/Au multilayer in contact with a Si-implanted n-type GaN layer was much better than that of the Ti/Al/Au multilayer. This superior stability is attributed to the barrier function of the Pt interlayer. The Pt/Au bilayer can also passivate the propensity of oxidation for the conventional Ti/Al bilayer in contact with n-type GaN layers at elevated temperatures.     

半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层

为提高半导体器件欧姆接触的可靠性，一般要在金属化系统中加扩散阻挡层。本文介绍了扩散阻挡层的种类及其特性，并进行了比较和讨论。最后给出了在实际成功应用的例子。     

半导体器件金属化与接触可靠性的改善

描述了目前采用的界面效应合金效应，覆盖效应和回流效应等四种提高半导体器件金属化和接触可靠性的方法及其特点。介绍了最新研究成果，展望了其应用前景。     

Ohmic contacts to n-type GaN

Ohmic contacts to n-GaN using Ag, Au, TiN, Au/Ti, Au/Mo/Ti, and Au/Si/Ti have been studied. The Fermi level of GaN appears to be unpinned, and metals and compounds with work functions less than the electron affinity resulted in ohmic contacts. Reactively sputter deposited TiN was ohmic as deposited. However, Au/Ti, Au/Mo/Ti, and Au/Si/Ti required heat treatments to form ohmic contacts, with the best being an RTA at 900°C. Ag and Au were shown to diffuse across the GaN surface at T>500°C; therefore, they are unstable, poor ohmic contact metallizations as single metals. The other contact schemes were thermally stable up to 500°C for times of 30 min.     

Si基GaN HEMT低温欧姆接触工艺研究

研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及合金温度550°C时,得到接近传统高温合金条件下的接触电阻,最小值达到0.76Ω.mm,同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌。该技术有望应用于高频、高功率GaN HEMT的工艺。