重铬酸盐—三醋酸纤维素酯全息材料的红敏性

报道不经任何染料敏化处理的重铬酸盐－三醋盐－三醋酸纤维酯（ＤＣＯＴＡ）全息记录材料的红敏性，认为其红敏性是由Ｃｒ＾６＾＋向Ｃｒ＾３＾＋转换过程中形成的中间产物，Ｃｒ＾５＾产生的，实验中以Ｈｅ－Ｎｅ激光器（６３２．８ｎｍ）为光源直接在该材料上记录获得了实时透射全息光栅。     

MyM′1-yFClxBr1-x:Sm2+的电子跃迁过程和光谱烧孔效率

通过测量无机光谱烧孔系列材料MyM′_1-yFCl_xBr_1-x:Sm²⁺（Ｍ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）中４ｆ５ｄ带的激发光谱随组分ｘ和ｙ的变化，⁵Ｄ_J—⁷Ｆ₀（Ｊ＝２，１，０）跃迁的荧光衰减随组分与温度的变化，对其烧孔的电子跃迁过程及其对烧孔效率的影响进行了研究．得出结论：在此系列材料中，随着Ｂｒ含量和小半径的碱土离子的增加，Ｓｍ相似文献   

Al—Sn合金表面元素深度分布的局域性

利用微束卢瑟福背散射能谱（Ｍ－ＲＢＳ）分析方法，对Ａｌ₇₀Ｓｎ₃₀合金表面的两种微相区（Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区），在２７ｋｅＶＡｒ⁺离子轰击（总剂量为１.４×１０¹⁸Ａｒ⁺／ｃｍ²）前后，分别测定了Ｓｎ原子的深度分布。实验结果表明，在Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区之间，以及各相区在离子溅射前后，Ｓｎ原子浓度深度分布曲线是不相同的。     

Al-Sn合金表面元素深度分布的局域性

利用微束卢瑟福背散射能谱（Ｍ－ＲＢＳ）分析方法，对Ａｌ₇₀Ｓｎ₃₀合金表面的两种微相区（Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区），在２７ｋｅＶＡｒ⁺离子轰击（总剂量为１.４×１０¹⁸Ａｒ⁺／ｃｍ²）前后，分别测定了Ｓｎ原子的深度分布。实验结果表明，在Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区之间，以及各相区在离子溅射前后，Ｓｎ原子浓度深度分布曲线是不相同的。     

Al2O3加掺杂Cr^3＋,Cr^4＋离子EPF零场分裂的理论解释

在晶体场理论基础上，研究了刚玉Ａｌ２Ｏ３中分别掺杂Ｃｒ＾３＋和Ｃｒ＾４＋的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲ零场分裂Ｄ，理论计算同实验值符合好，研究表明，掺杂晶体Ａｌ２Ｏ３：Ｃｒ＾４＋中络离子（ＣｒＯ６）＾８－局城结构应在压缩的三角畸变（△θ≈３°）这是零场分裂Ｄ反常大（≈７ｃｍ＾－１）的重要原因。     

A3M2Ge3O12石榴石体系中Cr3+离子的宽带发射光谱

首次报告在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２∶Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ２＋,Ｃａ２＋;Ｍ＝Ａｌ３＋,Ｇａ３＋,Ｓｃ３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ３＋离子室温下的红—近红外（Ｒ—ＮＩＲ）宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ３＋→Ｇａ３＋→Ｓｃ３＋和十二面体格位上的Ｃｄ２＋→Ｃａ２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ３＋离子的４Ｔ２→４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉（钙）铝和镉（钙）镓锗酸盐体系中,少量Ｓｃ３＋取代八面体上的Ａｌ３＋和Ｇａ３＋时,可使Ｃｒ３＋的Ｒ－ＮＩＲ荧光发射强度增强。     

Υ(3S)→Υ(1S)π＋π－衰变及一个可能的bbqq态

利用手征幺正方法研究了衰变\Upsilon(3S)→\Upsilon(1S)π^＋π^－.通过引入一个J^P=1^＋, I=1的中间态, 该衰变的π^＋π^－不变质量谱和cosθπ角分布都能够得到很好的解释. 同时,其他\Upsilon(nS)各态之间的π^＋π^－跃迁也能得到很好的描述. 通过拟合CLEO的数据,对这个态的质量和宽度作了预言. 该态的夸克组成应该是bbqq.     

LiNbO3:Cu:Ce晶体非挥发全息存储性能的理论研究

以双中心模型为基础, 理论研究了LiNbO₃:Cu:Ce晶体在稳态情况下的非挥发双光双步全息存储性能. 研究中考虑了在晶体深能级中心Cu⁺/Cu²⁺ 与浅能级中心Ce³⁺/Ce⁴⁺ 之间由隧穿效应引起的电荷直接交换过程. 结果表明, 总的空间电荷场大小主要由深能级上的空间电荷场所决定, 并且非挥发全息存储性能主要由隧穿效应引起的深能级中心Cu⁺/Cu²⁺ 与浅能级中心Ce³⁺/Ce⁴⁺ 之间的电荷直接交换过程所决定. 与隧穿效应相关的材料参数对于非挥发双光双步全息存储的性能起到了至关重要的作用.     

117Xe负宇称同质异能态寿命测量

利用在束Y实验方法对¹¹⁷Xe的激发态进行了γ－γ－t延迟符合测量,从¹¹⁷Xe的401keV(15/2^－→11/2^－)和205keV(7/2^－→5/2^＋)两γ跃迁的延迟符合时间谱中,提取出T_1/2=(59±20)ns和(16.5±8.0)ns两个半寿命,并将其分别指定给了11/2^－、7/2^－两个能级.     

进一步指认近质子滴线核129Pm的衰变

2004年曾报道过利用⁴⁰Ca＋⁹²Mo融合蒸发反应产生了近质子滴线新核素Pm,并首次观测到它(EC+b+)衰变产生的能量为99keV的γ射线. 为了进一步确认上述指认，以下提供了三方面的新证据：1)在164－190MeV能量范围内测量了99keV衰变γ射线的激发函数;2)进行了交叉反应 ³⁶Ar＋⁹⁶Ru的实验,观察到了相同的99keV衰变γ射线；3)用Woods-Saxon Strutinsky方法计算了¹²⁹Pm的核势能面，其基态自旋宇称被预言为5/2^－，所以¹²⁹Pm的(EC＋b＋)衰变有利于馈送到子核¹²⁹Nd的5/2_－的低位态，这也与前期报道相符.