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提出了新型InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构.这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层In组分的变化,以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形成的横向量子限制效应的综合作用.在非平面GaAs衬底上用分子束外延生长了侧面取向为(113)的脊形AlAs/In GaAs/AlAs应变量子线.用10K光致荧光谱测试了其发光性质.用Kronig-Penney模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应,发现其光致荧光谱峰位的测试结果,与计算结果相比,有10meV的“蓝移”.认为这一跃迁能量的“蓝移”是上述三方面横向量子限制效应综合作用的结果
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研究了低温下分子束外延生长GaAs样品的稳态和瞬态发光。从200℃生长的样品呆测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰,峰的能量位置相对于体GaAs激光子峰有一定蓝移。 相似文献
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报道了在(311)A腐蚀图形衬底上,用分子束外延(MBE)生长高度规则的三种点状结构的实验研究.样品表面的原子力显微镜和剖面的扫描电子显微镜测试结果表明,在不同尺寸的方形凹面腐蚀图形区域,原凹面之间形成了沿[233]晶向不完全和完全收缩的尖角形点状外延结构;而在方形台面腐蚀图形区域,台顶面之间形成了沿[233]方向收缩的脊形点状结构.分析认为这些均匀有序的三角形点状结构的形成是由非平面(311)A衬底上生长各向异性导致的必然结果,而构成这些点结构的晶面取向与原图形的取向相关.低温阴极荧光谱测试结果清晰地表
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分子束外延ZnSe/GaAs材料的拉曼散射研究 总被引:2,自引:2,他引:2
用分子束外延(MBE)技术,在GaAa(100)衬底上生长了厚度从0.045μm到1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的型间相关长度与晶体质量之间的关系,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的,这是由于界面失配位错引入外延层所致,理论分析与实验结果相吻合。 相似文献
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利用扫描隧道显微镜(STM)系统地研究了C60薄膜在GaAs(001)表面的异质外延生长.在GaAs(001)2×4-β相表面,观察到C60薄膜以非密排面进行生长,并在生长中有结构相变产生.实验数据表明,薄膜下层面心立方(fcc)的晶格常数比C60晶体的晶格常数要大13%;而薄膜的表层结构则展示了非理想的六角密堆(hcp)结构,其表面为hcp(1100)面,生长过程是非理想的层状生长模式.在GaAs(001)-c(4×4)衬底上,C60薄膜的表面仍然是fcc(111)面,其结构参数与C60晶体一致,但C60薄膜采用了三维模式进行生长
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报道了用高能电子衍射研究Co在GaAs(001)表面上分子束外延生长的实验结果.发现当生长温度为150℃时,Co膜的外延可以分为三个阶段:最初的3nm Co膜的晶体结构是体心立方亚稳相;接下来的4nm是复杂的多相结构;从7nm往后,Co膜则是单晶的六角密堆积结构热力学稳定相.这一新的实验结果,澄清了前人有关这一体系外延层晶体结构的矛盾之处,并清晰地建立了Co在GaAs(001)表面外延生长的物理图象.
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本文通过常压MOCVD方法,利用NH3气作为受主掺杂源,在(100)方向的GaAs衬底上生长了ZnSe:N膜。通过测量77K温度下光致发光光谱。观测到了由于掺氮引起的自由到束缚发射(FA)和深中心复合(SA).在低掺杂浓度下FA起主要作用,随着NH3气浓度增加,FA和SA带的强度随之增强,在重掺杂下SA带成为主要,同时带的半宽度展宽。室温下霍尔测量的结果表明。低掺杂浓度下ZnSe:N膜呈高阻态,而在高掺杂浓度下外延膜呈现P型电导,载流子浓度P~1016cm3.利用p-ZnSe/n-GaAs构成异质pn结,观测到了二极管的整流特性,进一步证实p型ZnSe的实现。 相似文献
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以磷酸三乙酯、硝酸铝和正硅酸乙酯为原料,通过它们的不完全水解制备了含有有机基团的xAl2O3-xP2O5-100SiO2(x=0.25—3)凝胶.在空气中在400℃或450℃或在氮气中从300到700℃对凝胶进行热处理,使凝胶中的有机基团炭化,从而得到含有碳纳米颗粒的xAl2O3-xP2O5-100SiO2(x=0.25—2)凝胶玻璃.利用吸收光谱和TEM对含有碳纳米颗粒的凝胶玻璃进行了表征,结果发现随着碳纳米颗粒尺寸的减小吸收边向高能边移动,这种现象是由碳纳米颗粒中电子和空穴的量子限制效应引起的.电子衍射表明凝胶玻璃中的纳米碳为非晶碳.
关键词:
溶胶凝胶法
碳
纳米颗粒 相似文献
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Heavily C-doped GaAs films, grown by metalorganic chemical vapor deposition with CCl4 as external carbon source, have been studied by Hall-effect measurements, high-resolution double-crystal X-ray diffraction, and secondary-ion-mass spectroscopy (SIMS). Comparison among X-ray diffraction and Hall-effect measurements and SIMS results indicates that carbon is preferentially incorporated as acceptor on As lattice sites and electrical activation rate achieves 100%. There is no evidence of carbon incorporated on Ga sites as donors and incorporated on interstitial lattice sites. 相似文献