边角效应对辉离子渗金属加工的影响

在采用双辉光放实施的离子渗金属加工中，存在强烈的边角效应。从等离子体性能入手，在实验研究了这种边角效应，并分析了该种边角效应产生的原因，讨论了它对双辉光放电离子渗金属和加工的影响。     

双辉光离子渗金属——一种新颖的等离子体表面冶金技术

综述了双辉光离子渗金属这一新颖的等离子体表面冶金技术，介绍了双辉光交链增强型放电这一独特的放电现象，讨论了双辉光交链增强的条件和交链增强的机理以及它在双辉光离子渗金属技术中的作用，介绍了双辉光离子渗金属的实验研究结果及在国内工业化推广应用的情况，评述了它的应用前景及在推广应用中应注意的问题。     

对阴极双辉等离子体的实验研究

介绍了双辉离子渗金属技术的原理，对该技术所采用的不等电位对阴极双辉光放电的等离子体态性能进行了实验研究。研究表明：在一定条件下在阴极双辉放电中能够产生增强型放电，对增强型放电的特征以及增强型放电的原因进行了初步的探讨。     

磁镜场对射频等离子体中离子能量分布的影响

运用阻碍栅极型能量分析器,在不同磁镜场参数下测量了低温等离子体中离子的能量分布. 结果表明,在放电管中心处离子能量分布,随磁镜场强度的增加而向低能方向偏移,但离子能量分布宽度却没有明显的变化;而随着磁镜比的增加离子能量分布却向高能方向偏移,并且离子能量分布宽度也将变宽.由此可见,磁镜场参数对离子能量分布有很大影响. 关键词： 磁镜场 辉光放电 低温等离子体 离子能量分布     

碰撞效应对入射到射频偏压电极上离子能量分布和角度分布的影响

考虑了离子与中性粒子的弹性碰撞和电荷交换碰撞效应,建立了一套描述射频等离子体鞘层动力学特性的自洽模型,并利用MonteCarlo模拟方法研究了入射到电极上的离子的能量分布和角度分布.数值结果表明:随着放电气压增加,入射到电极上离子的能量分布逐渐地由双峰分布变成单峰分布,而且低能离子的数目也逐渐地增加.入射到电极上的离子呈小角分布,而且放电气压等参数对角度分布的影响不是太明显. 关键词： 射频放电 等离子体 离子 鞘层     

双辉光放电静电场数值模拟及场分布边角效应分析

根据双辉光放电3个电极极板上的电势,利用边界元积分方程建立以面电荷密度为未知量的离散方程,通过求解线性方程组计算3个电极极板上面电荷的不均匀分布.由极板上的不均匀面电荷分布计算在真空状态下空间任意一点的电势和电场的空间分布,利用数值解对真空状态下双辉光离子渗金属实验装置场分布边角效应进行了分析.     

射频功率对辉光放电H2/C4H8等离子状态的影响

采用辉光放电技术和等离子体质谱诊断技术,研究了H₂/C₄H₈混合气体等离子体中正离子成分及主要正离子能量随射频功率的变化规律,并分析了H₂/C₄H₈混合气体主要的离解机理和形成过程.研究表明:随着射频功率的增加,碳氢碎片离子的浓度增加,在20 W时达到最大值,25 W后有所减小.当射频功率小于10 W时,H₂/C₄H₈混合气体等离子体中C₄H₉⁺相对浓度最大,当功率大于或等于10 W时,C₃H₃⁺相对浓度最大.随着射频功率的增大,碳氢碎片离子的能量逐渐增加.对H₂/C₄H₈混合气体等离子体的组成与能量进行的定性分析,将为H₂/C₄H₈混合气体辉光放电聚合物涂层工艺参数优化提供参考.     

发射光谱法研究微波增强微秒级脉冲辉光放电中样品原子的激发和扩散过程

利用自制微波增强微秒级脉冲辉光放电装置，研究了黄铜样品原子的激发和扩散过程。结果表明，当放电气压低于１８０Ｐａ时，微波等离子体与辉光放电能够很好的耦合，当气压大于２００Ｐａ时，由于样品原子分别受到脉冲辉光放电与微波等离子体的激发，同一条共振线出现了在时间上独立的两个发射峰。利用两发射峰之间的关系可以计算出该工作条件下铜原子和锌原子的扩散速度分别约为１５０和１２９ｍ／ｓ，而辉光放电的最强激发点约离溅射样品表面１．９４～２．２５ｍｍ。实验中也考察了放电参数对两发射峰强度的影响     

一种新型微波等离子体增强辉光放电光源基本特性的研究

本文介绍了一种改进型的微波等离子体增强辉光放电光源。对它的结构，操作以及工作参数和溅射等进行了详细的讨论。     

直流辉光放电冷等离子体在高分子材料表面改性上的应用

报道了利用直流辉放光电正柱区产生冷气离子体对高分子材料进行表面改性的工作,阐述了它在纺织材料和非极性塑料制品表面改性上的应用,讨论了高分子材料等离子体表面改性的机理和等离子体参数的选择。     

交变电场对扩散火焰燃烧过程及NO生成的影响

本文实验研究了高频交变电场对甲烷/空气扩散火焰的影响,在较大的电压变化范围内对比了火焰的形态、中间产物浓度和燃烧产物组成的变化。实验结果表明,随着电场电压从零开始不断增大直到发生气体放电,CH和OH的体积浓度先减小后增大,最后维持在比较稳定的范围内;产物中NO的体积分数先减小,后增大,发生气体放电后急剧减小,而CO体积分数变化与NO正好相反。发生气体放电时不完全燃烧加剧,火焰不稳定性增强。     

气体对介质阻挡放电激发XeCl*辐射的影响

在气体配比和气压易控制的小尺寸气体混合腔中．通过对混合气体Cl2／Xe进行参量(配比、气压)范围调节．研究了不同气体配比、气压下介质阻挡放电激发准分子XeCl*的辐射特性。结果表明．在一定放电功率下．合适的气体配比和气压能产生峰值辐射。对于放电管在气体比例pc12／p1在I．5％-4％范围内，放电形貌及准分子XeCl*辐射的强度和光谱特征表现出明显的差异。同比条件下．混合气体He／Cl2／Xe中放电产生的准分子辐射强度弱于混合气体Cl2／Xc。     

等离子体屏蔽效应对离子取出时间影响的实验研究

离子取出时间是原子法激光同位素分离（ＡＶＬＩＳ）过程中决定离子取出效率的关键参数之一，它主要受着等离子体屏蔽效应的影响。文中报告了这方面的实验研究结果。在阐述了等离子体屏蔽效应及存在条件的基础上，通过进行静电场（平行平板电场）收集铯（Ｃｓ）等离子体中铯离子的实验，发现在１０~９－１０~（１１）ｍ~（－３）等离子体密度范围内，离子取出时间与等离子体密度、收集场电压均是几何关系，即。     

EFFECT OF SMALL CLUSTER DIFFUSION DURING TWO-DIMENSIONAL THIN FILM GROWTH ON METAL SURFACE

The diffusion of small clusters such as dimers and trimers on metal surface and the growth of two-dimensional thin films are studied by Monte Carlo simulation, using realistic growth model and physical parameters. It is found that small cluster diffusion plays an important role in the process of thin film growth at not very low temperature. It affects not only the island density and the size of islands but also the critical value of saturation occurring during growth of thin films. The effect of small cluster diffusion depends on both the size of critical nucleus and the growth temperature. The simulation results also show that the larger the cluster allowed to diffuse, the easier the saturation that takes place, giving rise to the lower critical coverage of saturation occurring. It is suggested that the effect of small cluster diffusion should be included in establishing the growth models of thin films.     

利用激光磁共振方法研究等离子体放电对NOx的改性

首次利用激光磁共振光谱方法对在直流辉光放电情况下NO₂,NO气体性能改变进行研究,并提出了利用放电法消除有害化学尾气NO₂的可能性。     

人工神经网络方法预测八面体六卤化物MX~(n-)_6的ν_1和ν_2模的振动频率

利用ＡＮＮ－ＢＰ算法，采用逐步改变训练步长和两个惯性项的权重系数惯性调整策略，分别以单目标和双目标的三层网络对八面体六卤化物ＭＸｎ－６的八面体ν１和ν２模振动频率进行了预测，发现单、双目标下预测的结果相差不大，双目标时权重系数调整得较快，［ＭｏＦ６］２－，［ＢｉＦ６］－和［ＡｕＦ６］２－的振动频率文献值与网络的计算值或预测值相差偏大。