含钴阳极氧化铝膜的磁致偏光特性

用电化学法制备了高度有序的多孔阳极氧化铝模板,选用CoSO4溶液为电解液,用交流电化学沉积法在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备含钴纳米线有序阵列.分别用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪对多孔阳极氧化铝模板和纳米线阵列的微观形貌和结构进行分析,结果显示阳极氧化铝膜内确有钴生成,且钴纳米线中的晶粒在生长过程中有(100)晶面...     

电子束蒸发法在多孔氧化铝膜上制备银纳米点阵列

采用二步阳极氧化法在草酸溶液中制备了高度有序的多孔阳极氧化铝(Porous Anodic Alumina,PAA)薄膜。以多孔氧化铝薄膜为模板,采用真空电子束蒸发的方法在多孔氧化铝模板上制备出了高度有序的金属银纳米点阵列体系。扫描电镜(SEM)测试结果表明,所制备的金属银纳米点阵列与多孔阳极氧化铝膜的多孔阵列具有完全相同的有序结构,阵列中银纳米颗粒的形状接近球形,其直径大约为70nm,与氧化铝模板的孔径基本一致。研究了高度有序银纳米点阵列的形成过程。     

含分枝铜纳米线多孔铝膜的偏振特性

利用二次阳极氧化法制备了具有分枝结构的多孔铝(PAA)模板,并以交流电化学沉积的方法在该模板中合成了分枝状的铜纳米线。用SEM观察样品的形貌结构,用分光光度计测量了样品的透射光谱和偏振光谱。实验结果表明,含分枝状铜纳米线结构的多孔铝膜在近红外光区具有较高的透射率,且得到了14～22 dB的消光比。这种微偏振器件制备方法简单、效率高、造价低,在光电集成领域有着广泛的应用前景。     

电沉积制备磁性纳米线的研究进展

多孔阳极氧化铝为模板制备纳米结构材料具有独特的优越性,颇受人们的关注,近年来获得了深入的研究.文章介绍了用电化学沉积方法制备一维磁性纳米线的最新研究进展,阐述了各种结构磁性纳米线,包括单质、合金、多层、超晶格磁性纳米线的研究现状,展望了磁性纳米线的研究方向和在高密度垂直磁记录与巨磁电阻等方面的应用前景.     

Co/AAO纳米有序阵列复合结构的光致发光和光吸收特性

以草酸电解液制备的高度有序的纳米级多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用交流电化学沉积工艺合成了Co/AAO纳米有序阵列复合结构。分别研究了AAO模板和Co/AAO结构的光致发光和光吸收特性。结果表明,AAO模板在350～550nm范围内存在较强的光致发光带,其峰位在395nm处;Co/AAO纳米有序阵列复合结构的光致发射峰位亦在395nm处,且发光峰强度随Co沉积量的增加而迅速减弱。实验发现,Co/AAO纳米有序阵列复合结构的光吸收边从近紫外至近红外的波段范围内发生大幅度红移,最大红移量甚至超过380nm。文章定性分析并解释了Co/AAO纳米有序阵列复合结构吸收边大幅度红移及其光发射峰位不变、而峰强减弱的主要原因。     

金属铜纳米孔洞阵列膜制备方法研究

以多孔阳极氧化铝膜(anodic aluminum oxide，AAO)为模板，用真空蒸镀法复制了金属铜的纳米孔洞阵列膜，SEM结果表明，制备得到的金属铜纳米孔洞阵列膜形貌与AAO膜一致.此方法简单易行，能大规模生产，为纳米膜的工业化复制提供了一种新的工艺，为纳米线、纳米管等纳米阵列材料的合成与组装提供了有利的条件. 关键词： AAO模板 真空蒸镀 金属铜纳米孔洞阵列膜 纳米复制     

多孔氧化铝膜上自组织生长Sn纳米点阵列的研究

以多孔阳极氧化铝膜(porous anodic alumina, PAA)为基片，采用真空电子束蒸发的方法在多孔氧化铝膜上制备了高度有序度的Sn纳米点阵列.锡纳米点阵的XRD与块体锡的完全相同，扫描电镜(SEM)测试结果表明，所制备的金属Sn纳米点阵与阳极氧化铝膜的多孔阵列具有完全相同的有序结构，阵列中每个Sn纳米粒子的形状为球形的，其直径接近于PAA膜的孔直径.对Sn纳米点阵形成过程和形成机理进行了讨论.     

大规模制备Ni80Fe20纳米线阵列及其磁学特性研究

利用电化学沉积方法在高度有序纳米孔氧化铝模板中大规模制备了Ni80 Fe20纳米线阵列.该方法得到的Ni80Fe20纳米线产率高(约1012-1013/cm2),而且这些纳米线阵列具有(111)择优生长取向和很高的纵横比.与体材料相比,这些Ni80Fe20纳米线阵列具有更高的矫顽力和较大的剩磁比等性能,在微型磁性元件领域将具有广泛应用前景.     

刚性衬底上铜铟硒纳米棒阵列的合成与表征

在覆盖有钨电极的硅衬底上利用多孔阳极氧化铝模板为生长掩膜电沉积合成垂直排列的铜铟硒纳米棒阵列. 多孔阳极氧化铝模板由阳极氧化磁控溅射制备的铝膜制成. 扫描电子显微镜结果表明,该纳米棒阵列结构致密,直径约100 nm长度约1μm,纵横比为10. X射线衍射、微区拉曼光谱和高分辨透射电子显微镜结果表明,真空条件下450 oC退火处理的铜铟硒纳米棒是多晶纯相的黄铜矿结构的铜铟硒,在纳米棒轴向方向上有比较大的晶粒尺寸. 能量色散X射线光谱表明,铜铟硒纳米棒的化学组成接近InSe₂的化学计量比,由吸收光谱分析推算铜铟硒纳米棒带隙为0.96 eV.     

α-Fe纳米线阵列膜磁各向异性的穆斯堡尔谱研究

在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上,用电沉积方法成功地制备出α-Fe纳米线有序阵列组装膜.分别用透射电子显微镜(TEM)、穆斯堡尔谱仪(MS)和振动样品磁强计(VMS)对样品进行了测试分析.TEM和电子衍射的结果显示,阵列中的纳米线均匀有序,彼此独立,由一串α-Fe单晶磁性颗粒构成.VSM测试结果表明,这种纳米阵列结构具有高度垂直磁各向异性.当外磁场垂直磁化时,磁滞回线具有很高矩形比(0.98)和矫顽力(1.76×10⁵A/m).尤其MS的测试结果显示,阵列中的每根纳米线的总磁矩都沿 关键词：