用高纯锗γ-谱仪借助滑动比较方法精密测量放射性核的γ-射线能量

以¹⁹²Ir γ-射线能量准确值为标准对高纯锗γ-谱仪进行滑动扫描刻度,通过比较测定放射性核γ-射线能量,得到:477603.18±0.44eV(⁷Be)、5.11852.70±0.58eV(¹⁰⁶Ru)、514004.87±0.52eV(⁸⁵Sr)、520399.01±0.63eV(⁸³Rb)、529594.48±0.69eV(⁸³Rb)和552551.14±0.68eV(⁸³Rb).用这一结果校正以往的实验,得到电子质量值510998.6±1.1eV,它与电子质量的近期调节值良好符合.     

仲态电子偶素湮没辐射能量的改进测量

用充氧气的气凝硅胶作仲态电子偶素源,用¹⁹²Ir精密γ能量作标准,以时间选择能谱仪和滑动比较法改进测量仲态电子偶素2γ湮没能量,得到hv=510995.34±0.69eV.经电子偶素结合能修正,得正、负电子对静止质量,与电子质量比较,表明正、负电子质量在1.4ppm内一致.     

仲态电子偶素湮没辐射能量的测量

利用充氧气的气凝硅胶电子偶素源,用与已知的¹⁰⁶Ru γ射线能量511856.2(2.3)eV相比较的方法,测得仲态电子偶素湮没2γ射线的能量为510998.7(2.5)eV将此数值(经结合能修正)与电子静止质量所对应的能量(m_ec²)进行了比较.     

自旋相关的A超子与核子间张量相互作用的首次观测

超核γ谱学国际合作组在用超球γ谱仪(Hyperball)进行的16AO的γ射线谱学测量中,观察到由16AO的6.6 MeV12-激发态跃迁到基态自旋翻转二重态(11-和0-)之间的两条γ射线.由这两条γ射线的能量差得到基态二重态之间的能量间隔为26.4±1.6(统计误差)±0.5(系统误差)keV,并由此推导出AN之间的张量相互作用强度T=0.03MeV.实验还测定了16AO的12-激发态的激发能为6561.7±1.1(统计误差)±1.7(系统误差)keV.     

来自宇宙空间的γ射线

一、引 言 1960年用气球观测高空γ辐射,发现了来自银河平面处的γ射线流,能量约达10～8电子伏,在银河中心区域特别强烈.后来的观测发现,那些发射强烈无线电辐射的射电源,如天鹅座A源和蟹状星云等也都同时发射γ射线.近十年来利用气球和人造卫星对空间的各种γ辐射从低能(l0～5-10～7电子伏)一直到中能(10～7-10～9电子伏)这样一个甚宽的能量范围内进行细致的观测[1,2,3],结果就诞生了天文学的一个新分支──γ射线天文学.从此,人们观测到的从宇宙空间发来的光子的能量范围,就从射频超长波段(10～(-9)-10～(-10)电子伏)起一直延续到中能γ…     

ΛN张量相互作用的首次观测

在用HYPERBALL进行的16ΛO的γ射线谱学测量中, 观察到由16ΛO的6.6 MeV 1－2 激发态跃迁到基态自旋翻转二重态( 1－1和0-)之间的两条γ射线. 由这两条γ射线的能量差得到基态二重态之间的能量间隔为26.4 ± 1.6(stat) ± 0.5(syst) keV, 并由此推导出ΛN之间的张量相互作用强度T=0.03MeV.实验还测定了16ΛO的激发态的激发能为6561.7 ± 1.1(stat) ± 1.7(syst) keV.     

气体放电中的中子、γ和X射线

用气体放电方法研究含氘金属异常现象,测到了强度为10~4n/s的中子。中子的产生人为可控,持续稳定,重复性100％。用NE213测出了能量在1.00MeV—3.00MeV之间的中子能谱。测出了平均能量为(27.6±2.1)KeV的反常X射线。测到了能量约470keV的反常γ射线。     

中子星上的γ射线爆——典型习题中的现代物理知识

第五届全国中学生物理竞赛中有一试题,涉及到高能天体物理的一件有趣事例。该题说:“1979年,7颗人造卫星同时接收到来自远方的中子星发射的γ射线,经分析确认,这些γ光子是电子正-电子对湮灭时放出的,即e~-+e~+→nr,其中n表示光子数目已知电子、正电子的静止质量m_o=8.2×10~(-14)J/c~2,     

证实GaAs中深能级陷阱发射到间接导带的极小的新技术

本文对具有深能级陷阱的肖特基势垒耗尽区的C-V特性提供了一种新的分析,得到了能带图中能级的绝对位置。发现了通常在气相外延GaAs中观察到的0.83±0.005eV电子陷阱位于Γ导带极小下0.543eV(240K)和0.537eV(120K)处。表明这些能级能发射电子到L极小,而且与这些极小有关的参数具有零的温度系数。这些中心的俘获截面是σ∽=(1.8±0.4)×10~(-14)cm~2,在120—240K整个温度区域有一个零的激活能。     

基于微通道板的中子探测器γ射线灵敏度

研制了一种基于微通道板的超快脉冲中子探测器,对其γ射线灵敏度进行了理论和实验研究。建立了探测器的γ射线灵敏度理论计算模型,利用蒙特卡罗方法模拟计算了不同能量γ射线在不同厚度聚乙烯靶中产生的出射电子能谱和出射角度分布,并结合经验公式计算了单个电子在微通道板(MCP)孔道中产生的二次电子产额,最后得到了探测器的γ射线灵敏度,结果表明当聚乙烯靶厚度大于某一值时,γ射线灵敏度基本相同。利用西北核技术研究所的标准γ射线放射源对探测器的γ射线灵敏度进行了实验标定,实验结果与理论计算结果一致。     

用γ射线做康普顿散射测量

用能量为661.67keV的γ射线做不同材料散射靶的康普顿散射,对是否有多个电子同时与同一γ射线散射进行了分析.测量了电子质量,分析了相干散射线宽,测量了非相干散射光子的能量,算出了非相干散射微分截面,给出了Θ~Θ dΘ内散射光子微分截面与散射角关系.     

脉冲送气等离子体枪的实验

用双探针和光谱方法测量了脉冲送气同轴等离子体枪产生的高速等离子体的性质。同轴枪的储能电容器的充电电压1.5—4.0kV,等离子体的电子温度为10—20eV,定向能量为40—310eV,等离子体密度为5×10~(13)—7×10~(14)cm~(-3)。     

新重丰中子同位素238Th

利用兰州重离子加速器(HIRFL)所提供的60MeV/u的¹⁸O离子束照射天然铀靶,通过多核子转移反应生成²³⁸Th.由快速放射化学分离技术从铀及其反应产物的混合物中分离出钍.使用2台高纯锗(HPGe)探测器对样品的γ(X)活性进行测量,观测到了²³⁸Th的β^－衰变子体²³⁸Pa的635.0keV和1060.5keV2条γ射线峰的增长、衰变行为.利用分析递次衰变的计算机程序对其后一条进行了拟合,得到母、子体半衰期分别为(9.4±2.0)min和(2.1±0.4)min,二者分别与预言值和文献值相符.另外,在由²³⁸Pa的X射线开门的γ谱中,发现一条能量为89.0keV的新γ射线,经计算,其半衰期为(8.9±1.5)min,由跃迁能量和半衰期的关系认定该射线来源于²³⁸Th的β–衰变.从而证明本实验合成和鉴别了重丰中子新核素²³⁸Th,并测定它的半衰期为(9.4±2.0)min.     

CMOS器件60Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较

利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用60Coγ射线、1MeV电子和2-9 MeV质子对CC4007RH和CC4011器件进行辐照实验,比较60Coγ射线和带电粒子的电离辐射损伤情况.实验结果表明,60Coγ射线、1MeV电子和2-7MeV质子辐照损伤效应中,在0V栅压下可以相互等效;在5V栅压下,以60Coγ射线损伤最为严重,1MeV电子的辐射损伤与60Coγ射线差别不大,9MeV以下质子辐射损伤总是小于60Coγ射线,能量越低,损伤越小.     

~(73)Br的衰变研究

以~(64)Zn(~(12)C,2np)~(73)Br反应得到~(73)Br,经过氦喷嘴传输系统和快速化学分离后进行了γ单谱、γ-γ,符合和角关联测量,得到了~(73)Br的27条γ射线能量和相对强度,其中102.1、137.2、166.2、249.0、345.5、363.8、381.5、385.7和390.2keV9条γ射线以及192.4、537.4和574.1keV 3条能级为本工作首次测得.建立了~(73)Br的衰变纲图,由logft值和角关联系数测量值推测了90.4keV能级的自旋.     

用γ-γ符合方法测量潘诺夫斯基比值

用γ-γ符合方法测量了停在氢中的负π介子的二个俘获过程的几率比。实验结果等于1.40±0.08。这个数值和利用光生π介子反应和π介子-核子散射数据推出的值是符合的。     

能量为6×1014~5×1016eV的宇宙线能谱研究

1982年, 作者在悉尼大学对能量为6×10¹⁴~5×10¹⁶eV的高能宇宙线的能谱进行了实验研究. 实验采用了快速、高效率的电子仪器, 并用电子计算机进行控制, 实现了高度自动化. 研究结果表明, 初级宇宙线的积分能谱可表示为I=K.(E/E₀)^－γ, 式中γ的数值在能量E为3×10¹⁵eV附近由1.15±0.04改变为1.19±0.08.     

~(206)At的[лh_(1/2)vi_(13/2)~(-1)]10~-同质异能态研究(英文)

利用能量为６０－８０ＭｅＶ的~(１２)Ｃ束流,通过~１９７Ａｎ（~(１２)Ｃ,３ｎ）~２０６Ａｔ反应研究了~２０６Ａｔ核的高自旋能级结构．用７台ＢＧＯ（ＡＣ）ＨＰＧｅ探测器和一台用于探测低能γ射线的平面型ＨＰＧｅ探测器进行了γ射线的激发函数、γ－γ－ｔ符合及γ射线的角分布测量．基于这些测量,首次建立了包括２５条γ跃迁的~２０６Ａｔ高自旋能级纲图．确定了一个半寿命为（９０８±４００）ｎｓ、自旋和宇称为１０的同质异能态．基于较重的双奇核~(２０８,２１０ )Ａｔ能级结构的系统性,对~(２０６)Ａｔ的１０~－同质异能态进行了讨论．     

TELESIS在φ→3γ衰变末态分析中的运用

介绍了φ介子工厂(DAΦNE)KLOE组的数据分析中运动学拟合程序TELESIS的运用.利用KLOE2000年在e⁺e^－对撞能量E_cm=1020MeV获取的部分数据开展φ→γη→3γ和φ→γπ⁰→3γ的分析,得到φ介子的产生截面σe+e－→=(4.04±0.04±0.24)μb,以及φ→γπ0→3γ的分截面σφ→γπ0→3γ=(5.3±0.3±0.6)nb.这些结果与理论预言以及俄国新西伯利亚的VEPP(CMD-2,SND,ND各探测器)的相应结果一致.     

元素分离样品中丰中子同位素弱γ活性探测

MPGeγ探测器的γ能量信号与4πΔEβ探测器的β射线能损信号符合后再与BGO探测的β+衰变的正电子湮灭511keV γ信号作反符合组成一种新的探测系统. 该系统可使γ谱测量的康普顿本底下降约一个数量级. 对缺中子同位素衰变γ射线的探测作强抑制的同时,丰中子同位素衰变γ射线的探测仍能保持相对单谱为(46±3)%的高效率. 使用该系统对已被合成的丰中子核素²⁰⁸Hg的半寿命进行了一次新的测定. 所得新的²⁰⁸Hg半寿命测定值41.5+min,与以往用放射化学母牛法给出的结果一致,测量误差有较大改进.