共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
文中讲述了一种通过改进高压PMOS源漏极轻掺杂扩散结构(LDD),来提升高压PMOS的漏极击穿电压的工艺改进方法,并且该工艺改进不影响其他器件性能.分析了工艺改进提升漏极击穿电压的机制. 相似文献
2.
3.
由于技术的迅速发展与突破,使集成电路的制造得以在短短的60年间,单一晶粒已经可以容纳数千万个电晶体的超大型集成电路。其主要工艺为CMOS工艺,原因是它有功耗低、集成度高、噪声低、抗辐射能力强等优点,但是传统bipolar工艺有频率高、功率大的优点,因此提出在CMOS中集成三极管、二极管。论述了在0.5μm CMOS工艺中集成NPN bipolar的方法以及各个关键技术指标的确定。 相似文献
4.
近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23~25V,P管击穿BVdssp>19V. 相似文献
5.
一种DMOS漏极背面引出的BCD工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出,这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度.为解决现有BCD工艺存在的缺陷,提出了一种集成有高压VDM OS器件,并将 VDM OS的漏极从芯片背面引出的BCD工艺.仿真得到VDM OS的阈值电压为2.5 V ,击穿电压为161 V ;N PN管和 PN P管的C-E耐压分别为47.32 V、32.73 V ,β分别为39.68、9.8;NMOS管和 PMOS管的阈值电压分别为0.65 V、-1.16V,D-S耐压分别为17.37V、14.72V. 相似文献
6.
近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23~25V,P管击穿BVdssp>19V. 相似文献
7.
一种基于CMOS工艺的二维风速传感器的设计和测试 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了一种完全基于CM O S工艺的、能同时测量风速和风向的二维测风传感器的结构、工作原理及其测试结果。该传感器采用恒温差工作模式,热堆输出电压平均值反映芯片温度和环境温度的差,省去了测温二极管。风速测量采用热损失型原理,因此不存在速度量程问题;同时通过四周对称分布热堆的相对差分输出得到风向,风向的测试和风速无关。测试电路是由普通运放电路组成的控制和测试系统。经过风洞测试,风速的测量可以达到23m/s,风速分辨率达到0.5 m/s,风速的最大误差为0.5 m/s。传感器的反应时间为3~5秒,整个功率损耗约为500 mW。 相似文献
8.
提出了一种基于0.35 μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode, APD)。APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增区分离(Separate Absorption, Charge and Multiplication, SACM)的结构设计。横向SACM结构采用了高压CMOS工艺层中的DNTUB层、DPTUB层、Pi层和SPTUB层,并不需要任何工艺修改,这极大的提高了APD单片集成设计和制造的自由度。测试结果表明,横向SACM线性APD的击穿电压约为114.7 V。在增益M = 10和M = 50时,暗电流分别约为15 nA和66 nA。有效响应波长范围为450 ~ 1050 nm。当反向偏置电压为20 V,即M = 1时,峰值响应波长约为775 nm。当单位增益 (M = 1) 时,在532 nm处的响应度约为最大值的一半。 相似文献
9.
提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构.采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析.仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿.CMOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65 A/W,最大内部量子效率达到90%以上,响应速度能够达到6.3 GHz,在400~900 nm波长范围内,能够得到很大的响应度. 相似文献
10.
11.
用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了轻掺杂漏工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量。优化的SiO2侧墙LDD工艺有效地抑制了短沟道效应。研制成功了沟道长度为0.5μm的CMOS27级环振电路,门延迟为170ns. 相似文献
12.
Elevated Source/Drain Engineering by Novel Technology for Fully Depleted SOI CMOS Devices and Circuits 总被引:1,自引:1,他引:0
0.35μm thin-film fully-depleted SOI CMOS devices with elevated source/drain structure are fabricated by a novel technology.Key process technologies are demonstrated.The devices have quasi-ideal subthreshold properties;the subthreshold slope of nMOSFETs is 65mV/decade,while that of pMOSFETs is 69mV/decade.The saturation current of 1.2μm nMOSFETs is increased by 32% with elevated source/drain structure,and that of 1.2μm pMOSFETs is increased by 24%.The per stage propagation delay of 101-stage fully-depleted SOI CMOS ring oscillator is 75ps with 3V supply voltage. 相似文献
13.
采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOI CMOS器件.详细阐述了其中的关键工艺技术.器件具有接近理想的亚阈值特性,nMOSFETs和pMOSFETs的亚阈值斜率分别为65和69mV/dec.采用抬高源漏结构的1.2μm nMOSFETs的饱和电流提高了32%,pMOSFETs的饱和电流提高了24%.在3V工作电压下101级环形振荡器电路的单级门延迟为75ps. 相似文献
14.
15.
16.
17.
本文利用恒定迁移率、直接Id-Vgs和Y函数三种方法对纳米CMOS器件中提取的源/漏串联电阻(Rsd)与器件栅长(L)相关性进行了研究。结果表明,采用恒迁移率方法得到的Rsd具有与栅长无关的特性,纳米小尺寸CMOS器件的Rsd值在14.3Ω~10.9Ω之间。直接Id-Vgs和Y函数方法都得到了与L相关的Rsd值,误差分析发现从直接Id-Vgs和Y函数两种方法中提取的Rsd对L依赖性与提取过程中的栅极电压导致有效沟道迁移率(μeff)降低有关,推导过程中忽略了这种影响,Rsd值叠加了一个与栅长相关的量。本文计算了这个叠加的误差值,并得到消除此误差值之后各个栅长器件的Rsd值。 相似文献
18.
19.
20.
对0.25μm TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件进行了模拟研究。由于TiN栅具有中间禁带功函数,在低的工作电压下,NMOS和PMOS的阈值电压都得到了优化。随硅膜厚度的减小,釆用源漏抬高结构,减小了源漏串联电阻。采用抬高源漏结构的NMOS和PMOS,其饱和电流分别提高了36%和41%。由于采用源漏抬高能进一步降低硅膜厚度,短沟道效应也得到了抑制. 相似文献