高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备

通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m2到20000 cd/m2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 mA/cm2时,色坐标CIEX＝0.286、CIEY＝0.665。该器件在1000 cd/m2和500 cd/m2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。     

镱银阴极对顶发射白光OLED器件光电性能的影响研究

研制了以镱银合金为透明阴极的顶发射白光OLED器件。采用ITO/NPB: LiQ（5%）（10 nm）/TCTA（20 nm）/FIrpic+3.5% Ir(ppy)₃+0.5%Ir(MDQ)₂(acac)（25 nm）/TPBI（10 nm）/LiF（5 nm）/Yb: Ag (X%)（X nm）器件结构,在相同镱银比例下,蒸镀不同厚度的镱银合金阴极制备了新型顶发射白光OLED器件,获得了优化的镱银合金厚度为12 nm;固定镱银阴极厚度,蒸镀不同比例的镱银合金阴极制备了新型顶发射白光OLED器件,探究不同比例的镱银合金对有机电致发光器件的影响。结果表明,当镱银电极的掺杂比例为10:1时,器件的性能最佳,在20 mA/cm2电流密度下,器件的驱动电压为2.3 V,亮度为1406 cd/m2,色坐标为(0.3407, 0.3922)。     

硅基倒置型顶发射有机发光二极管

利用n型硅作为阴极制备了倒置型顶发射有机发光二极管.通过在 n-Si 阴极和电子传输层(Alq3)之间插入1 nm厚的 Ba 作为电子注入层,将器件的开启电压从20 V降低到9 V,并且将器件的效率提高了13倍.器件性能的提高主要是因为1 nm厚的 Ba 有效的降低了电子注入的势垒.     

顶部发射绿色磷光OLED的制备与瞬态性能研究

用磷光材料Ir(ppy)3制备了高效率顶部发射绿色有机发光二极管(OLED),器件的结构为:ITO/Ag/NPB/Ir(ppy)3(5wt%):TPBI/TPBI/LiF/Al。研究发现与传统的无微腔结构器件相比顶部发射器件的性能有大幅度提高,其最大效率为18cd/A。通过使用F-P腔,器件的电致发光(EL)寿命由7.6μs降低为7.1μs,有效地缓解了效率随电流密度增大而下降的问题。顶部发射器件EL共振的主峰位于505nm处,发射光谱半峰宽(FWHM)窄化为23nm,色纯度为(x=0.122,y=0.671),发射光随探测角度变化较小。最后,分析了其瞬态光电性能变化原因。     

高效叠层OLED白光器件进展

叠层有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode,OLED）白光器件具备低功耗、高亮度、高色域等性能优势。然而,由于效率、寿命及驱动电压等性能仍有较大改进空间,叠层结构的材料及电学结构仍需进一步优化。本文重点介绍叠层OLED白光器件的最新研究进展,总结了三类电荷产生层（Charge Generation Layer,CGL）在工程化应用中存在的问题以及其非破坏性检测方法;综述高效叠层OLED白光器件的“全磷光体系”、“并行通道激子收集”及“混合磷光热活性型延迟荧光（Thermally Activated Delayed Fluorescence,TADF）体系”最新研究成果,对器件寿命问题进行总结,探讨分析“分级掺杂”、“四色混合TADF体系”等从结构方面提出优化方案,并针对不同发光材料体系中的CGL材料及结构综述叠层OLED白光器件实现较低工作电压的技术方法,最后对叠层OLED白光器件的材料和结构提出改进建议。     

高效叠层OLED白光器件进展

叠层有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode,OLED）白光器件具备低功耗、高亮度、高色域等性能优势。然而,由于效率、寿命及驱动电压等性能仍有较大改进空间,叠层结构的材料及电学结构仍需进一步优化。本文重点介绍叠层OLED白光器件的最新研究进展,总结了三类电荷产生层（Charge Generation Layer,CGL）在工程化应用中存在的问题以及其非破坏性检测方法;综述高效叠层OLED白光器件的“全磷光体系”、“并行通道激子收集”及“混合磷光热活性型延迟荧光（Thermally Activated Delayed Fluorescence,TADF）体系”最新研究成果,对器件寿命问题进行总结,探讨分析“分级掺杂”、“四色混合TADF体系”等从结构方面提出优化方案,并针对不同发光材料体系中的CGL材料及结构综述叠层OLED白光器件实现较低工作电压的技术方法,最后对叠层OLED白光器件的材料和结构提出改进建议。     

紫外光改性银阳极对绿光OLED器件性能的影响

为提升OLED器件(结构为Ag/NPB/Alq3/LiF/Al)的性能,采用紫外光(UV)对银(Ag)阳极进行改性,探究阳极改性对器件性能的影响.研究结果表明:UV改性Ag阳极的时长为50 s时,器件性能最佳,启亮电压从20 V降低到6V,最大亮度从101.6 cd/m2提高到5 609.2 cd/m2,电流效率得到很大提升,且改性前后其发光峰的位置没有改变.UV改性使Ag阳极表面氧化生成氧化物,该氧化物薄层可作为空穴注入层,能够有效提高界面功函数,大大降低空穴注入势垒,提高了载流子注入能力,使绿光OLED器件的发光性能得到改善.这种利用UV改性Ag阳极的方法工艺简单,能有效降低空穴注入势垒,对提高该类柔性OLED器件的性能具有一定应用价值.     

高亮度绿色OLED的制备与光电性能研究

利用高精度膜厚控制仪,实现有机薄膜功能材料真空热蒸镀,制备了一种多层结构ITO/CuPc(20nm)/α-NPD(60nm)/Alq3(40nm):C545T(2%)/Alq3(20nm/LiF(1nm)/Al(100nm),获得了发射峰位于525nm稳定的绿色有机电致发光二极管(OLED),其起亮电压为2.5V,驱动电压在20V时亮度为10,500cd·m-2,色坐标(CIE)x=0.331、y=0.625,最大流明效率为3.921m·W-1。     

顶发射有机发光二极管中的光学性能研究

分别研究了顶发射有机发光二极管光输出耦合层、薄膜封装层以及出光界面对光出射强度的影响,同时综合优化器件的光学性能提出了相应提高硅基OLED器件的性能方法,提出制备高亮度硅基OLED器件新思路。     

多层结构红色OLED器件的制备与光电性能研究

采用真空热蒸镀的方法,在高精度膜厚控制仪的监控下,实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀,其中发光层采用三种材料的共蒸,制备了一种多层结构红色有机电致发光(OLED)器件:ITO/CuPc/α-NPD/Alq3∶Rubrene(10%)∶DCJTB(1%)/Alq3/LiF/Al.从实验结果分析可知:随着驱动电压的变化,其EL光谱有蓝移的现象,发射峰从638nm变到632nm,同时色坐标值也发生相应的变化;器件的发光效率在驱动电压较低时(5V),达到最大值5.77cd/A,随着驱动电压的增加,发光效率呈缓慢降低的趋势.     

OLED器件光电性能集成测试系统研制

为方便对OLED器件的各项性能进行测试,研发了一种OLED器件光电性能集成测试系统,实现了在同一个软件下的OLED器件的电压、电流、亮度、光谱、色坐标和寿命等特性的集成测试。介绍了计算机与各测试设备的通信方法,通过计算机控制测量仪器对OLED器件进行测量。使用了Microsoft Visual 2005开发工具,利用MFC(Microsoft Foundation Classes)开发出了图形用户界面下的应用程序。利用TeeChart(西班牙Steema公司研发的图表控件)控件实现了OLED器件性能特性曲线的实时动态显示,并能够对不同器件的测试结果进行性能曲线的对比。编写了色坐标助手软件,实现对测试软件测试的光谱数据的分析显示功能。     

硅基OLED像素及驱动电路研究

从分析不同OLED(Organic light emitting diode,有机发光二极管)像素电路特点出发,分析并总结硅基OLED像素电路特点及设计要点.根据电压控制和电流控制电路的仿真结果,并从人眼的视觉时间积分特性出发,提出采用由两个晶体管一个电容构成的交流电压控制OLED像素电路及时间灰度法驱动相结合设计方案,在实现灰度的线性控制同时改善OLED寿命.并且随着分辨率及灰度级数的增加,可结合采用像素数据并行写入的方式降低电路系统的工作频率,并降低电路功耗.     

柔性OLED器件薄膜封装研究

把有机发光二极管(OLED)制备在柔性基底上,以此来实现柔性显示是未来显示技术发展的一个重要方向。但柔性基底相对于玻璃基底来说对水、氧气的阻挡能力较弱。为了延长柔性OLED器件寿命,就需要在柔性基底上进行有效的封装。文章首先介绍了柔性OLED的器件结构和常规的封装方法,然后重点介绍了目前比较热门的Barix封装技术以及ALD技术,这两种技术都能够对器件进行有效的封装,将薄膜阻挡层的水汽渗透率降到一个较低的范围内,能够满足OLED在柔性显示和发光方面的需要,但是在效率和成本方面仍然需要进一步的改善。     

单层OLED器件模型的MATLAB分析计算

近年来有机发光二极管(OLED)的工业应用特别是在平板显示器中的应用已被广泛研究.OLED发光是分别由阴极和阳极注入的电子和空穴在发光层中复合的结果.单层结构是OLED器件的基础.为了提高OLED器件的性能,需要详细理解电荷载流子的注入过程.借助MATLAB求解了无量纲单层OLED器件模型,介绍了有关分析计算方法和技巧.综合利用MATLAB提供的符号求解常微分方程、绘图等命令,可使工作量大为减少.该方法具有编程简单,使用方便、实用性强等特点.     

多孔硅(PS)及其光电器件研究进展

综述了近几年来人们对多孔硅材料的研究及其其于硅基光电器件制造方面的进展。 ‘     

阴极耦合层对顶发射白光OLED器件光电性能的影响

为了分析不同阴极耦合层对顶发射白光OLED器件光电性能的影响,数值计算了半透明阴极组成的多层膜系(ETL/EIL/Mg:Ag/折射率匹配层)的透过率和损耗;同时,采用共阴极结构设计制备了顶发射白光OLED器件,并对不同折射率匹配层制备的顶发射白光OLED器件的光电特性进行了研究。结果表明:采用相同厚度LiF和Al2O3薄膜作为阴极耦合层时,多层膜系光学透过率和损耗曲线存在较大差异;在20mA/cm2电流密度下,随着观测角度的增大,采用LiF+Al2O3双层折射率匹配层制备的器件电致发光谱峰位发生蓝移,但在整个视角内,器件的色坐标均稳定在白光等能点附近,这表明顶发射白光器件的色坐标可以通过折射率匹配层调节,使得器件在较大视角范围均能实现白光发射。     

顶发光单色绿光OLED微型显示器件发光层掺杂特性研究

本文设计了一种磷光顶发射结构制备单色高亮绿光OLED微型显示器件,器件结构为:ITO/2-TNATA/NPB/MCP∶Ir(ppy)3/Bphen/LiF/Mg∶Ag.为获得低功耗、高亮度的绿光OLED微型显示器件,采用开口率大、益于集成的顶发射结构器件,并对发光层掺杂机制进行实验研究,通过改变掺杂比例获得较佳的器件性能.研究表明,在掺杂比分别为1.0％、1.5％、1.8％、2.0％、2.3％、2.5％的绿光OLED器件中,2.0％的掺杂器件较其他比例的性能更优,通过进一步优化掺杂研究显示,发光层主体材料MCP与掺杂料Ir(ppy)3的最佳掺杂比例为1∶0.02,主体材料薄膜厚度为250(A).在20 mA/cm2的电流密度下,得到器件电压为3.62V,亮度为4622 cd/cm2,色坐标(X,Y)为(0.33,0.61).     

一种提高硅基OLED微显示器对比度的像素电路

提出了一种应用于硅基有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)微显示驱动芯片的新型像素单元电路,具有三个MOSFET和一个存储电容。相比传统的电压驱动像素单元电路,增加的一个MOSFET,可以根据输入数据的变化,自动调节其等效电阻,降低像素单元的最小输出电流。本像素电路能够在较宽的OLED公共阴极电压范围内维持很大的电流比率。该电路采用SMIC 0.35μm 2P4M混合信号工艺进行设计,目前已成功应用于一款分辨率为800×600,像素节距为15μm×15μm的硅基OLED驱动芯片,经测试验证,输出电流范围为280pA~65nA,可以同时满足OLED阵列高亮度和高对比度的要求。