类镓等电子序列ZrⅩ-RhⅩⅤ离子的4s~24p-4s~24d、4s~24p-4s4p~2、4s~24p-4s~25s、4p~3-4s~25s以及4s4p~2-4p~3跃迁谱线和振子强度的理论计算

本文对类镓等电子序列ＧａⅠ—ＸｅⅩⅩⅠⅤ离子４ｓ２４ｐ、４ｓ２４ｄ、４ｓ４ｐ２、４ｐ３和４ｓ２５ｓ组态能级结构和组态相互作用进行了理论分析，找出沿等电子序列的变化规律。用作者提出的半经验公式［１］，内插预测了ＴｃⅩⅢ离子的４ｓ２４ｐ、４ｓ４ｐ２和４ｓ２５ｓ组态能级，外推预测了ＴｃⅩⅢ—ＲｈⅩⅤ离子的４ｐ３和４ｓ２４ｄ组态能级，并给出了４ｓ２４ｐ４ｓ２４ｄ、４ｓ２４ｐ４ｓ４ｐ２、４ｓ２４ｐ４ｓ２５ｓ、４ｐ３４ｓ２５ｓ和４ｓ４ｐ２—４ｐ３谱线波长和ＨＸＲ方法理论计算振子强度。用作者提出的半经验公式对组态能级的预测值与实验值的最大偏差小于１００ｃｍ－１。     

电场调制下单量子阱ZnCdSe／ZnSe的激射行为研究

近年来,随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］,对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２,３］,同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格的受激发射也有过报导［４］．但对于电场调制下的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ基单量子阱的激射行为研...     

Open Raman Cell to Avoid Window Damage

１　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　ＳｔｉｍｕｌａｔｉｏｎＲａｍａｎｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ（ＳＲＳ）ｉｎｇａｓｅｓｈａｓｂｅｅｎｕｓｅｄｉｎｍａｎｙｆｉｅｌｄｓ,ｓｕｃｈａｓｆｒｅｑｕｅｎｃｙｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ［１］,ｂｅａｍｃｌｅａｎｕｐ［２］ａｎｄｐｕｌｓｅｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ［３］．ＩｎａｈｉｇｈｐｏｗｅｒＳＲＳｓｙｓｔｅｍ,ｔｈｅｗｉｎｄｏｗｓｏｆｔｈｅＲａｍａｎｃｅｌｌａｒｅｕｓｕａｌｌｙｄａｍａｇｅｄｂｙｈｉｇｈｉｎｔｅｎｓｉｔｙｐｕｍｐｉｎｇｂｅａｍｓ［４］．Ｉｎｇｅｎｅｒａｌ,ｔｈ…     

含MoFe3S4单元的μ2-OR或μ2-SR桥联双类立方烷簇合物的红外光谱研究

对下列含ＭｏＦｅ３Ｓ４ 单元的μ２－ＯＲ或μ２ －ＳＲ桥联双类立方烷簇合物的红外光谱进行了研究：（Ｅｔ４ Ｎ）３［Ｍｏ２Ｆｅ６ Ｓ８Ｃｌ６ （ＯＭｅ）３ ］（１）,（Ｅｔ４ Ｎ）３ ［Ｍｏ２ Ｆｅ６ Ｓ８ （ＳＰｈ）６ （ＯＭｅ）３ ］（２）,（Ｂｕ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＰｈ）６ （ＯＭｅ）３ ］（３）,（Ｅｔ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＢｕｔ）６（ＯＭｅ）３］（４）,（Ｅｔ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＰｈ）９ ］（５）。通过这系列簇合物特征振动频率和结构参数及与线型Ｍｏ－Ｆｅ－Ｓ簇合物红外光谱的比较,对其νＭ ｏ－μ２Ｏ（Ｒ） ,νＭ ｏ－μ２Ｓ（Ｒ）,νＭ ｏ－Ｓ,νＦｅ－Ｓ,νＦｅ－ＳＲ,νＦｅ－Ｃｌ 进行了归属。对其中两条途径的亲电诱导效应及Δν（即νＭ ｏ－Ｓ－νＦｅ－Ｓ）与Ｆｅ→Ｍｏ 电荷迁移的关系进行了探讨。最后,讨论了桥联双类立方烷与线型Ｍｏ－Ｆｅ－Ｓ簇合物红外光谱的共性和差异。     

新型钼（钨）—铁—硫簇合物的穆斯堡尔和晶体结构研究

本实验测定了新型钼（钨）－铁－硫簇合物（１）（Ｅｔ４Ｎ）［ＭｏＦｅ２（μ３－Ｓ）２（ＣＯ）８（Ｓ２ＣＮＥｔ２）和（２）（Ｅｔ４Ｎ）［ＷＦｅ２（μ３－Ｓ）２（ＣＯ）８（Ｓ２ＣＮＥｔ２］的穆斯堡尔谱和晶体结构。它们分子中的两个铁原子是等价的，所以都只的一组对称的四极分裂双峰。这个结果与单晶结构分析一致。经计算机拟合后的穆斯堡尔参数（７７Ｋ时）为：对于（１），化学位移δ＝０．０８±０．００４ｍｍ／ｓ，四     

ZnSe∶Fe2+的基态精细分裂和磁的各向异性理论研究

用双SO耦合模型推导了立方晶场中3d⁴/3d⁶离子⁵D态的哈密顿矩阵公式(25×25阶).用该公式计算了晶体ZnSe∶Fe²⁺的基态精细结构分裂，研究了在外磁砀为0—30T范围以及在［100］和［111］方向的Zeeman分裂、Raman移动和磁化强度.理论计算与实验符合很好. 关键词：     

锡,锗化合物的光电子能谱和质谱研究

用光电子能谱（ＸＰＳ）和质谱（ＭＳ）分别研究了９种锗，锡的化合物Ｇｅ３ｄ，Ｓｎ３ｄ轨道电子结合能化学位移与其所处不同化学环境的关系。着重讨论了取代基团电负性对Ｇｅ３ｄ，Ｓｎ３ｄ结合能化学位移的影响。     

[Fe/Cr]多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

用真空蒸镀方法制备了［Ｆｅ／Ｃｒ］，［Ｆｅ／Ｃｒ／Ｓｉ］和［Ｆｅ／Ｓｉ］多层膜．研究了Ｃｒ层、Ｓｉ层和Ｃｒ＋Ｓｉ层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响．Ｆｅ层厚为２ｎｍ，Ｃｒ层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡．磁电阻值为１４.６％（４.２Ｋ）．在Ｃｒ层中加入一半Ｓｉ层或全部由Ｓｉ层替代，振荡消失，磁电阻减小到千分之几．根据掺Ｓｉ层后多层膜的电阻率变化，认为Ｓｉ加入使非磁层中自由电子数减少，随之极化效应也变弱，导致振荡消失，磁电阻大为降低 关键词：     

用泵浦-探测方法研究ZnCdSe量子阱/CdSe量子点复合结构中的激子衰减

用飞秒泵浦－探测方法测量了ＺｎＣｄｓｅ量子阱／ＺｎＳｅ／ＣｄＳｅ量子点复合结构样品的透射特性。样品中ＺｎＳｅ垒层厚度为 １５ｎｍ,泵浦一探测结果得到上升沿时间为 ３６７±６０ｆｓ,下降沿时间为１．３±０．２ｐｓ。获得ＺｎＣｄＳｅ量子阱中激子寿命约为１ｐｓ。     

类镍序列3d^94s,3d^94p,3d^94d组态原子参数的计算

用多组态自治场方法，结合我们提出的半经验拟合公式，系统计算了类镍等电子的序列ＮｉＩ－ＸｅＸＸⅦ离子３ｄ＾９４ｓ，３ｄ＾９４ｐ，３ｄ＾９４ｄ组态的能级，波长和振子强度，并与实验符合得较好。     

U（N）SP（N）O（3）的分支律

利用群的直乘分解公式，考虑Ｕ（Ｎ）群的［２ａ１ｂ］表示按群链Ｕ（Ｎ）ＳＰ（Ｎ）Ｏ（３）的约化规则，给出了相应的比较简单的分支律递推公式．该公式在用计算机计算分支律时，不受秩和表示维数的限制．为求解这类问题的分支律提供了一种比较简单的算法．在简化同位旋１／２的单ｊ费米子体系的母分系数计算中具有十分重要的意义．用同样的方法也可以求出群链Ｕ（Ｎ）Ｏ（Ｎ）Ｏ（３）的分支律．     

能谷间相互作用对量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构的影响

采用建立在经验赝势理论基础上的推广ｋ·ｐ方法及电流密度算符技术，计算了生长在Ｇｅ０３Ｓｉ０７（００１）衬底上的量子阱Ｇｅ０３Ｓｉ０７／Ｓｉ／Ｇｅ０３Ｓｉ０７的导带电子束缚能级．详细地研究了因能谷间相互作用而引起的能级分裂情况，同时也讨论了电子束缚能级在阱平面方向上的色散关系     

论高速运动物体速度合成的非交换性

一般有关相对论力学的教科书上并不提到速度合成问题［１］，有的书谈到速度合成时往往只给出牵连速度Ｖ沿ｘ轴特定方向的速度合成公式［２］［３］［４］，而没有给出一般的速度合成公式．本文简明地推导了一般速度合成公式，并阐述了狭义相对论中的速度合成的非交换性的本质．     

类钴序列3p^6 3d^9,3d^10,3p6 3d^83p组态原子参数的计算

用Ｃｏｗａｎ的多组态自渝场方法,结合半经验拟合公式,系统计算了高离化态类钴等电子序列Ｃｏｌ－ＸｅⅩⅩⅧ离子３ｐ＾６ ３ｄ＾９,３ｐ＾５ ３ｄ＾１０,３ｐ＾６ ３ｄ＾８ ４ｐ组态的能级、波长和振子强度。并与实验进行了比较。     

4f~25g~1组态对Nd~(3 )∶YVO_4晶体光谱的影响

从ＪｕｄｄＯｆｅｌｔ理论和群链方案出发，在考虑了ＹＶＯ４晶体中Ｎｄ３＋的４ｆ２５ｇ１组态或７阶奇晶场的影响下，理论上导出了晶场作用下电偶极跃迁矩阵元公式，据此计算Ｎｄ３＋∶ＹＶＯ４有关光谱跃迁相对强度和偏振性质．与只考虑４ｆ２５ｄ１组态的影响相比，４Ｆ３／２→４Ｉ１１／２跃迁谱线相对强度的ＲＭＳ值由００８降为００５，计算结果与实验更加一致     

计算l~n组态LS允许值的递推方法

计算ｌｎ组态ＬＳ允许值通常采用列举法［１］－［８］对ｌ，ｎ大的组态计算十分繁琐．本文提出计算 ｌｎ组态 ＬＳ允许值的速推方法，使计算大为简化，且易于由计算机完成．给出了ｇｎ组态的分类结果．指出了文献［８］中的疏忽．     

四维模型空间中硼离子B^＋关联能的多体微扰计算

在（２ｓ＋２ｐ＋３ｓ）２四维模型空间中，利用由Ｂ—Ｓｐｌｉｎｅ构造的有限基集［３］，进行了硼离子Ｂ＋基态关联能的计算。在二阶微扰近似下，所得关联能为实验值［５］的９７．２％。     

金属羰基化合物[CpFe(CO)_2]_2与金属氧化物表面作用的傅里叶变换漫反射和光声红外光谱研究

用漫反射红外光谱和光声红外光谱法研究了金属羰基化合物［ＣｐＦｅ（ＣＯ）２］２Ｃｐ＝η５—Ｃ５Ｈ５与酸性、中性和碱性Ａｌ２Ｏ３及ＴｉＯ２的相互作用。结果表明，在Ａｌ２Ｏ３表面生成的衍生物种类及浓度与Ａｌ２Ｏ３的酸碱度明显相关。在酸性Ａｌ２Ｏ３表面，主要存在衍生物［ＣｐＦｅ（ＣＯ）２Ｆｅ—Ｈ—Ｆｅ（ＣＯ）２Ｃｐ］＋及少量的ＣｐＦｅ（ＣＯ）２（—Ｏ—）；在中性Ａｌ２Ｏ３表面存在ＣｐＦｅ（ＣＯ）２（—Ｏ—）及较少的［ＣｐＦｅ（ＣＯ）］４；而在碱性Ａｌ２Ｏ３表面主要衍生物为［ＣｐＦｅ（ＣＯ）］４及少量ＣｐＦｅ（ＣＯ）２（—Ｏ—）。衍生物的相对浓度以酸性Ａｌ２Ｏ３表面最高，碱性Ａｌ２Ｏ３表面最低。在ＴｉＯ２表面，［ＣｐＦｅ（ＣＯ）２］２结构基本未变，在空气中比较稳定，没有观察到衍生物的生成。测定了［ＣｐＦｅ（ＣＯ）２］２及其在ＴｉＯ２表面近红外漫反射光谱，指认了大部分观察到的光谱为羰基振动的合频和倍频，并尝试指认了少数光谱为高级（三级）倍频和多元组频（合频）。     

论^6A1基态中Kramers能级的翻转与Hoshina猜想

半导体晶体ＺｎＯ、ＣｄＳ和ＣｄＳｅ具有相似的晶体结构，然而掺入其中的Ｆｅ（Ⅲ）离子却表现出完全不同的基态分裂特征，按顺序ＺｎＯ∶Ｆｅ（Ⅲ）→ＣｄＳ∶Ｆｅ（Ⅲ）→ＣｄＳｅ∶Ｆｅ（Ⅲ）其重要的ＥＰＲ参量Ｄ，将由负值转变成正值，这一变化将导致６Ａ１基态中Ｋｒａｍｅｒｓ能级｜±５／２〉、｜±３／２〉、｜±１／２〉的次序发生翻转。这种奇异的电子能级结构转换现象至１９６７年报道以来迄今未得到合理地解释。Ｈｏｓｈｉｎａ猜想这一现象可能与配位体离子的自旋－轨道耦合系数有关。本文用共价自旋－轨道耦合机制来解释这一能级翻转现象并论证Ｈｏｓｈｉｎａ猜想的正确性     

He,Ne,Ar与N2分子碰撞转动激发截面理论计算

利用ＩｎｆｉｎｉｔｅＯｒｄｅｒＳｕｄｄｅｎＡｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ（ＩＯＳ）［１］计算了Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ与Ｎ２分子碰撞的总微分散射截面、弹性微分散射截面和积分散射截面。当入射能量Ｅ＝０．０２７３ｅＶ时，计算Ｈｅ－Ｎ２的碰撞总微分散射截面结果与ＣｌｏｓｅＣｏｕｐｌｉｎｇ（ＣＣ）［２］计算结果符合很好，说明ＩＯＳ对所研究的Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ－Ｎ２碰撞体系是一种简捷可用的方法。