Zn_2SiO_4:Mn纳米微晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其光致发光性质研究

以硝酸锌，硝酸锰，正硅酸乙酯，无水乙醇为主要原料，用溶胶－凝胶提拉法制备了Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜．并利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、荧光分光光度计和多频荧光寿命仪等对薄膜进行了分析．结果表明，采用上述先驱物通过溶胶－凝胶过程可获得均匀致密的薄膜．在空气中干燥后于适当温度下热处理可得到纳米微晶Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜．其荧光寿命从常规粉末材料的的ｍｓ量级缩短至ｎｓ量级     

溶胶—凝胶法制备TiO2—CeO2薄膜

采用溶胶－凝胶法制备了鲜黄色的高反射ＴｉＯ２－ＣｅＯ２薄膜，研究了环境湿度和醋酸添加剂对薄膜形成的影响，研究表明，醋酸加入能显著提高薄膜质量，得到均匀透明的高质量薄膜；涂膜环境温湿度对薄膜质量有决定性作用。     

用溶胶——凝胶法制备SrTiO3纳米薄膜材料

为制备具有电容和压敏特性的ＳｒＴｉＯ３双功能器件,以Ｓｒ（ＮＯ３）２,Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为原料,用溶胶－凝胶方法制备ＳｒＴｉＯ３材料,研究了水和醋酸等对ＳｒＴｉＯ３材料的影响机理,并对其进行Ｘ－射线衍射、红外光谱和ＴＥＭ分析,证明该薄膜为纳米晶体结构,晶粒尺寸为１２－２５ｎｍ。     

溶胶—凝胶法研制NiO薄膜

用溶胶－凝胶法合成了结构均匀而无裂纹的ＮｉＯ薄膜．借助Ｘ射线衍射仪和光学显微镜等手段，对ＮｉＯ薄的晶体结构和形貌进行了分析；利用光干涉仪测定了薄膜的厚度．讨论了浸沉涂布时垂直引上速度对薄膜厚度和成膜性的影响．为了制备结构均匀而无裂纹的ＮｉＯ薄膜，引上速度不应超过１２ｃｍ／ｍｉｎ．     

溶胶—凝胶法制备SnO2气敏薄膜的研究

以SnCl2.2H2O及乙醇为原料,利用溶胶－凝胶法制备SnO2纳米薄膜,探讨了制膜的工艺条件用XRD,SEM,TEM,AES以及XPS等研究了所得薄膜的结构性质,同时考察了薄的晶相结构、晶粒尺寸,表面形貌以及薄膜中元素的化学状态与热处理条件之间的相互关系。     

溶胶-凝胶法制备纳米级半导体微晶非线性光学玻璃

纳米级半导体微晶掺入玻璃可产生非线性光学性质 ,其量子尺寸效应非常明显。用溶胶_凝胶法制备半导体纳米微晶玻璃具有工艺简单和所得产品纯度高、均匀性好的特点。本文对溶胶_凝胶法制备纳米级半导体微晶玻璃的方法及其性能测试的新进展进行综合评述。     

溶胶—凝胶法制备氟化物薄膜光波导

以乙酰丙酮盐为原料,用溶胶－凝胶法制备掺饵的锆钡镧铝氟化物薄膜光波导。第一步为制备包含锆钡镧铝及铒的溶胶;第二步为在基底上用旋转镀膜的方法镀膜及氟化。用这种方法得到的薄膜用扫描电镜测量了其组分和表面膜的形态。同时也测得膜的厚度和折射率。     

溶胶-凝胶法制备纳米薄膜技术应用研究进展

溶胶-凝胶法制备的纳米薄膜材料除了具有某些普通膜材料的基本特性外,还具有许多新性能,如水质净化、光催化剂、自清洁、防尘、防雾、可见光透过率高和电阻率低等,这些性能在工业上都得到了广泛地应用。本文综述了近5年溶胶-凝胶法制备纳米薄膜技术应用的研究进展。     

溶胶—凝胶法制备TiO2薄膜及其光学特性

采用溶胶－凝胶方法在二氧化硅玻璃基片上制备了TiO2薄膜,通过测量薄膜在紫外－可见光波段的透射率和反射率光谱,对其光学特性和吸收边缘进行了研究。实验结果表明,吸收边缘大约在350nm附近,并且随热处理温度的升高,吸收边缘向长波方向移动,锐钛矿相的禁带宽度比金红石相的禁带宽度高0．15eV。     

有机酸修饰水基sol-gel法制备TiO2纳米薄膜

采用丙烯陵为修饰剂，通过水基sol—gel法制备了二氧化铁纳米薄膜，研究了反应物浓度、反应温度等条件对薄膜形貌的影响。研究结果表明，作为修饰剂的丙烯酸浓度对薄膜的形貌起着重要的控制作用。依据反应条件的不同，丙烯酸可以以单分子或聚合物的形式与Ti原子结合。单分子丙烯酸起到水解抑制剂的作用，而聚合态丙烯酸则根据反应条件的不同可能起到抑制剂或敏化剂的作用，并最终确定所制备的纳米薄膜的微观形貌。通过对丙烯酸／钛酸四丁酯摩尔比等反应条件的调节可以得到具有不同微结构的二氧化铁纳米薄膜。     

有机酸修饰溶胶/凝胶法制备的二氧化钛纳米薄膜的表征

采用有机酸表面修饰法,通过钛酸四丁酯的可控水解制备了油酸修饰的TiO2纳米微粒,并在此基础上采用提拉法制备了锐钛型TiO2X纳米薄膜,利用FR－IR光谱,Raman光谱,紫外－可见光谱,SEM等手段进行了表征。     

溶胶-凝胶法制备纳米ZnO薄膜光致发光特性研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋涂法在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)等手段分析所得ZnO薄膜的晶体结构和发光特性。着重研究了ZnO薄膜发光特性,结果表明,ZnO薄膜在室温下均有较强的紫外带边发射峰,与缺陷有关的可见发射带很弱。在低温下,PL谱主要有290nm、335nm、370nm三个发射峰组成,且三峰随温度降低变化规律一致,可能来自自由激子声子伴线。     

用喷涂法和溶胶—凝胶工艺制备PT／SnO2（Sb）／SiO2薄膜

用喷涂法在石英玻璃衬底上制备Ｒｓ为１００－２００Ω／ｃｍ＾２的ＳｎＯ２（Ｓｂ）透明导电薄膜，并且以ＳｎＯ２（Ｓｂ）／ＳｉＯ２为衬底和底电极，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰｂＴｉＯ３（ＴＰ）。薄膜。ＴＰ膜为多晶，与ＳｎＯ２（Ｓｂ）膜之间不存在界面反应。     

溶胶—凝胶法制备CoO—NiO—SiO2着色涂层

本文采用溶胶一凝胶法制备了CoO—NiO—SiO_2三元系统着包涂层。讨论了若干因素对涂层透光率的影响。结果表明,生成均匀涂层的氧化物组成均落在大于50mol%SiO_2的区域内。     

溶胶—凝胶法制备纳米氧化物

系统介绍了Sol-Gel法在制备纳米氧化物方面的机理，工艺，应用研究进展。     

溶胶—凝胶法制备SiO_2薄膜

本研究采用ＴＥＯＳ－ＥｔＯＨ－Ｈ２Ｏ－ＨＣｌ体系原料，应用低温合成技术，成功地在玻璃基底上制备了完整透明的ＳｉＯ２薄膜。对合成材料进行了差热—失重分析，Ｘ射线衍射分析，红外透射光谱分析及理化检验。结果表明，无序ＳｉＯ４四面体网络已经形成，薄膜的固体物理状态可控制为晶态、非晶态，并赋予基底优良的理化性能。     

溶胶-凝胶法制备Li-N共掺ZnO纳米薄膜及其性能表征

采用溶胶-凝胶法在石英衬底上沉积Li-N共掺ZnO纳米薄膜,研究热处理温度和Li掺杂浓度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响.结果表明:适度的Li掺杂,以及随着热处理温度的适度升高,会导致ZnO(002)峰的半峰宽减小,薄膜结晶质量明显改善,但过高浓度的掺杂或过高的热处理温度,则会诱发新的缺陷,导致结晶质量下降.另外Li掺杂引起ZnO薄膜的光学带隙发生变化,从而使样品在未掺杂时以紫光发光最强而掺杂后样品以紫外发光最强.     

用溶胶—凝胶法快速制备内含金属铁离子的SiO2气凝胶

用正硅酸乙酯（TEOS）,硝酸铁溶液为原料,以丙酮或酒精作为溶剂、氢氟酸或盐酸为催化剂,采用溶液－凝胶法制备内含金属铁离子的SiO2气凝胶,并与其它制备SiO2气凝胶的方法做了实验比较,发现这种方法具有反应温度低、速度快、凝固时间短的优点。用红外光谱和X射线衍射以及SEM分析了凝胶的结构和成分。     

溶胶—凝胶法制备了BST铁电薄膜材料的机理研究

采用醇法和部分醋酸盐法两种工艺，获得了透明的ＢＳＴ溶胶，凝胶和ＢＳＴ薄膜铁电材料，应用红外光谱，差热分析及Ｘ－衍射方法，研究了该两种合成了工艺的物理化学过程。     

溶胶凝胶法制备ZnO薄膜及性质研究

以二水醋酸锌为原料,使用溶胶凝胶法在(100)Si衬底上旋转涂敷得到ZnO薄膜.采用傅立叶变换红外光谱和X射线衍射(XRD)分析经N2、空气、O2不同气氛400℃退火ZnO薄膜的成分和结构差异.使用XRD、原子力显微镜和光致发光手段重点研究了N2气氛条件下,ZnO薄膜结构与发光特性随退火温度的变化规律,发现400℃下退火更适于干凝胶薄膜经历结构弛豫,生成具有(002)择优取向、性质优良的纳米晶ZnO薄膜.计算该样品的晶粒尺寸为41.6 nm,晶格常数a=0.325 3 nm,c=0.521 nm,其PL光谱出现495 nm附近强的绿光发射峰,可能源于ZnO纳米晶粒表面缺陷氧空位(Vo).随着退火温度升高,ZnO生成量减少、晶粒体表面积比(S/V)减小共同作用导致绿光峰强度变弱.