激光直写方法制作透明导电金属网栅

介绍了利用激光直写光刻技术在200mm×200mm基片上制作线宽为5μm,周期为350μm的红外透明导电金属网栅的工艺过程,对激光直写光刻技术和机械刻划掩模接触光刻制作金属网栅结构的两种方法进行了比较,给出了激光直写制作金属网栅的优点.     

红外透明导电金属网栅薄膜

介绍了一种既高效透过红外光 ,同时又能有效屏蔽电磁干扰的金属网栅薄膜的基本原理和制备工艺。分析了网栅参数对其光学及电磁性能的影响。介绍了利用光刻和镀膜技术 ,在红外基片上制作线条宽度小于 10 μm ,周期约 35 0 μm的金属网栅。     

衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响. XRD和SEM的研究结果表明，衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响，明显的形貌转变温度大约发生在175℃，低于175℃，薄膜呈镜面结构，晶粒为球状，高于177℃的较高温度范围，薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织；随着温度增加，薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm²/V·s的高迁移率和3.28×10^-2 Ω·cm的低电阻率，对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极. 关键词： MOCVD ZnO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池     

人体导电演示器的设计与制作

为了演示人体以及导电能力较弱的导体的导电性,快速演示玻璃在高温下转变成导体的现象,设计了人体导电演示器．本文介绍了该演示器的工作原理和制作方法及使用方法．     

一种保护玻璃防水雾透明导电薄膜的设计与制备

为了使光学仪器能适应低温潮湿环境,设计了一种复合型的保护玻璃防水雾透明导电薄膜.采用非平衡闭合磁场反应溅射技术在K9玻璃基底上沉积了氧化铟锡(ITO)导电膜以及复合型的透明导电膜系.采用光谱仪、方阻仪测试了样品的透射光谱以及方块电阻,并对样品进行了环境试验.结果表明,样品的光学技术指标以及抗恶劣环境性能均达到了使用要求...     

闪光照相中MeV级网栅的设计

通过理论分析,确定了MeV级多孔网栅的设计目标、拟采用的照相布局及图像接收系统。在此基础上,通过蒙特卡罗模拟和理论分析,确定了网栅的主要参数,包括网栅厚度、孔径与孔间距和W薄片厚度,并研究了加工误差和非理想照相因素对网栅性能的影响,最后给出了原理样机的设计参数。针对原理样机开展了数值模拟,利用模拟图像进行了网栅图像修补与插值等图像预处理工作,初步验证了原理样机在实际应用中的可行性。     

闪光照相中MeV级网栅的设计

 通过理论分析,确定了MeV级多孔网栅的设计目标、拟采用的照相布局及图像接收系统。在此基础上,通过蒙特卡罗模拟和理论分析,确定了网栅的主要参数,包括网栅厚度、孔径与孔间距和W薄片厚度,并研究了加工误差和非理想照相因素对网栅性能的影响,最后给出了原理样机的设计参数。针对原理样机开展了数值模拟,利用模拟图像进行了网栅图像修补与插值等图像预处理工作,初步验证了原理样机在实际应用中的可行性。     

透明导电ZnO:Al/Cu网格复合膜及其电加热性能

为获得更优性能的无铟透明导电薄膜,需要在不损害薄膜透光性的同时提高导电性能.本文采用紫外光刻和磁控溅射,在Cu网格的表面覆盖Al掺杂的ZnO (ZnO:Al, AZO)薄膜,制备透明导电的AZO/Cu网格复合膜. Cu网格的线宽低至15μm,透光性极高,并且导电性能得到大幅度改善,覆盖稳定的透明导电AZO薄膜为Cu网格提供屏障保护.通过六边形网格形状的设计和工艺参数的优化,制备出的复合膜的可见光波段透过率达到86.4%,方块电阻降低至4.9Ω/sq,同时实现了高透光性和高导电性.成本低廉、光电性能好且环境稳定的AZO/Cu网格复合膜在透明电子领域具有广泛的应用前景,将其用于透明电加热膜,可在较低电压下实现快速、均匀、稳定的电热响应,有望作为透明的面发热膜应用于除雾除霜玻璃、热疗贴膜等.     

透明导电半导体ZnO膜的研究

本文采用独特的电子束蒸镀方法，在光学镀膜机上，以 ＺｎＯ＋３％Ａｌ２Ｏ３和 ＺｎＯ为膜料．ｋ９光学玻璃为衬底，制备出ＺｎＯ 膜。膜层为多晶膜，可见光透过率为Ｔ＝７０－９０％，电阻率ｐ＝１×１０－５Ω·ｍ，方电阻为 Ｒ　＝１５０±５０±５０Ω／　，膜机械强度超过国标单层标准，找到实用最佳工艺条件。     

透明导电氧化物的原理、问题与研究分析

现代光电子产品和能源技术都大量使用透明导电氧化物（TCO）薄膜.由于太阳能电池、平板显示器、发光二极管、短波长激光器、节能玻璃窗等应用领域日益增长的需求,TCO薄膜获得了越来越广泛的应用.文章总结了TCO薄膜的功能原理、应用需求和当前的研究方向,重点分析了p型TCO薄膜研究所要解决的关键问题（其中包括掺杂非对称性,性能退化与缺陷的生成,结构和变化的关系）,指出了p型TCO薄膜制备的关键因素,研究的热点问题和蕴藏的研究机会.     

高精度大面积网栅的复制技术

一、前言随着现代科学技术的发展,网栅的应用范围不断扩大,规格品种正在增加。网栅的刻线密度由1线/10毫米发展到250线/毫米。刻线面积由20×20毫米发展到400×400毫米。刻线的点位精度,任意两点之间的积累误差已小于0.002毫米。计测仪器网栅面积大、精度高,因而加工困难。储存管中的网栅,要经过刻度、电     

透明导电氧化铟锡薄膜的特殊应用

阐述了氧化铟锡（ＩＴＯ）薄膜的气敏特性及其导电扩散阻挡作用，对ＩＴＯ气敏薄膜及扩散阻挡层薄膜的制备过程、测试方法和应用进行了研究讨论。     

导电纸的制作及重复使用

全日制普通高级中学教科书<试验修订本·必修加选修>高二物理教材中,学生实验"用描迹法画出电场中平面上的等势线",在使用等势线描绘实验仪时,要用到导电纸.做此实验的关键就是看导电纸上涂的碳粉是否均匀,是否有良好的导电性.     

石墨烯透明导电薄膜电阻的环境稳定性研究

将石墨烯薄膜置于不同环境气氛中,探究其在不同波长和功率密度可见光辐照下的导电特性.结果表明,石墨烯薄膜在不同条件光照下电阻缓慢上升,光照停止后电阻缓慢下降.氮气环境下石墨烯导电性能最稳定,真空下变化最大,在相同功率密度红光辐照下,样品在氮气、大气和真空下相对电阻变化分别为0.09%、0.22%、0.4%.相同环境下,波长越短,光子能量越大,对样品影响越大,在大气环境下,相同功率密度的蓝光、绿光和红光对样品相对电阻的影响分别为20%、3%、0.22%.     

透明导电锡掺杂氧化铟综述文章的故事

“桃李春风一杯酒,江湖夜雨十年灯”。——（宋） 黄庭坚《寄黄几复》
这是另外一个“十年一瞬间”的故事！也是一项“美丽的错误”！     

重掺杂AZO透明导电薄膜的光电特性

以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO:Al(AZO)薄膜.通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电学性质等进行了研究.结果表明:所制备的AZO薄膜呈现具有高度c轴择优取向的ZnO...     

微透镜制作中光刻胶与衬底匹配行为的研究

利用光刻/离子束刻蚀制作大面阵硅微透镜阵列,采用SEM和表面探针测试等手段分析所制样品的形貌特点,定性讨论制备工艺的不同对所制器件的影响.所用工艺为大面阵微尖阵列和微合阵列的离子束刻蚀制作奠定了基础.     

掺杂透明导电半导体薄膜的光电性能研究

掺杂氧化锌透明导电膜(AZO)是一种重要的光电子信息材料，其制备方法有真空蒸镀法、磁控溅射法，化学气相沉积和脉冲激光沉积法等。该文采用溶胶 凝胶（sol gel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出Al3+掺杂型ZnO透明导电薄膜。将这种薄膜在空气和真空中以不同的温度进行了退火处理，并对薄膜进行了XRD分析和光电性能研究。结果表明，所制备的薄膜为钎锌矿型结构，在c轴方向择优生长，真空退火有利于薄膜结晶状况的改善，并使薄膜的载流子浓度大幅度地增加而电阻率下降，并且真空退火对薄膜的透射率影响不大。     

纳米晶SnO2透明导电薄膜的研制

阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景。介绍了采用磁控溅射技术 ,使用混合气体Ar和O2 ,在衬底温度为 15 0～ 40 0℃的耐热玻璃基片上制备纳米晶SnO2 :Sb透明导电薄膜 ,通过测定X射线衍射谱 ,表明薄膜择优取向为 [110 ]和 [2 11]方向。测量了SnO2 :Sb薄膜的导电特性随衬底温度及氧分压的变化。光学特性测量结果表明薄膜具有较高的透过率。     

硒化锌衬底表面仿生宽带增透微结构的设计及制作

采用时域有限差分法研究了硒化锌基底的抛物线型周期阵列仿生微结构的光学性质,重点分析了微结构阵列的周期、高度、占空比和形状轮廓等对反射率的影响,得到了有较好增透效果的结构参数。根据模拟参数进行两次干涉曝光制备掩模,采用反应离子刻蚀技术制备周期阵列微结构。通过场发射扫描电子显微镜对微结构的表面形貌进行表征,并采用傅里叶变换红外光谱仪在中红外波段分别对双面抛光、单面微结构的硒化锌片进行透过率测试。结果表明:单面微结构样品在2~5μm范围内的整体平均透过率比双面抛光硒化锌基片提高了10%,在2.3μm处的最大透过率为82%。