透明导电薄膜

<正> 引言金属薄膜和半导体薄膜都具有透明、导电和反红外线三种性能。我们镀制的掺锡(SnO_2)三氧化二铟(In_2O_3)薄膜,方电阻R_□=20±10Ω;可见光透光率T_(0.4～0.75)=(96±2)%,激光1.06μ透光率T_(1.06)=(92±2)%;对直径140㎜、厚12㎜的玻璃上镀膜后,施加28V的电压,经过5min可以从-45℃低温下上升到5℃;用功率50MW,能量500mJ的激光器连续2min600次发射激光冲击膜层,膜层未见损伤。本文将要介绍透明导电膜的分类、几种制备方法、透明导电膜的机理、镀膜的工     

透明导电薄膜研究现状

一透光率高电阻率低的透明导电薄膜,在飞机、航天飞行器和太阳能光伏电池诸方面,都有重要应用．具体地说,可用作电光显示器件的透明电极;超大口径电光快门透明电极;飞行器上防霜加热玻璃窗;防反射多层膜以及特制毛玻璃等．透明导电薄膜,有各种制备材料及制膜方法．制备材料有金、钢等纯金属和金属氧化物．金属氧化物中,目前最好的材料为ＳｎＯ２和Ｉｎ２Ｏ３等．获得透明导电膜的方法,通常有下列几种．１．蒸熏法把Ｓ?...     

V掺杂ZnO透明导电薄膜研究

本文分别采用磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法两种方式, 对高价态差元素V掺杂ZnO薄膜进行研究. 实验研究结果表明: V的掺入并未改变ZnO的生长方式, 所制备的薄膜都呈(002)择优生长; 随着衬底温度增加, VZO薄膜的结晶质量逐步改善, 当衬底温度超过280 ℃时薄膜的结晶质量恶化; 在280 ℃时获得的VZO薄膜电阻率最低3.8×10^-3 Ω·m, 500-2000 nm平均透过率高于85%. 理论模拟结果表明: V以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中, 费米能级进入导带, 材料表现出n 型半导体的特性, 导电电子主要由V 3d及O 2p电子轨道提供. 理论计算结果与实验结果的一致性, 表明VZO薄膜具有作为高效Si基薄膜太阳电池透明导电薄膜的应用潜力.     

红外透明导电金属网栅薄膜

介绍了一种既高效透过红外光 ,同时又能有效屏蔽电磁干扰的金属网栅薄膜的基本原理和制备工艺。分析了网栅参数对其光学及电磁性能的影响。介绍了利用光刻和镀膜技术 ,在红外基片上制作线条宽度小于 10 μm ,周期约 35 0 μm的金属网栅。     

掺杂透明导电半导体薄膜的光电性能研究

掺杂氧化锌透明导电膜(AZO)是一种重要的光电子信息材料，其制备方法有真空蒸镀法、磁控溅射法，化学气相沉积和脉冲激光沉积法等。该文采用溶胶 凝胶（sol gel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出Al3+掺杂型ZnO透明导电薄膜。将这种薄膜在空气和真空中以不同的温度进行了退火处理，并对薄膜进行了XRD分析和光电性能研究。结果表明，所制备的薄膜为钎锌矿型结构，在c轴方向择优生长，真空退火有利于薄膜结晶状况的改善，并使薄膜的载流子浓度大幅度地增加而电阻率下降，并且真空退火对薄膜的透射率影响不大。     

氧化铟掺铪红外透明导电薄膜

采用射频磁控溅射与退火工艺相结合的方法,分别在石英和硒化锌(ZnSe)衬底上制备了掺铪氧化铟(IHfO)薄膜,掺杂比例In2O3∶HfO2为98wt.%∶2wt.%.测试了薄膜的组成结构和3～5μm红外波段的光电性质,分析了退火温度、薄膜厚度和氧气流速对薄膜性能的影响.X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱表明,制备的IHfO薄膜具有氧化铟的立方体结构,掺杂铪并没有影响氧化铟的生长方向,但是减小了晶格间距,铪与铟外层电子形成新的杂化轨道.傅里叶变换红外光谱表明,随着退火温度的增加,IHfO薄膜在3～5μm波段的透过率逐渐下降,沉积在ZnSe衬底上的薄膜具有更平稳的透过率,厚度为100nm薄膜在3～5μm波段平均透过率为68%.测试霍尔效应表明,随着氧气流速的增加,IHfO薄膜电阻率逐渐增加,载流子浓度减小,霍尔迁移率变化不明显.晶界散射是影响IHfO薄膜迁移率的主要因素,当氧气流速为0.3sccm时,薄膜最佳电阻率为3.3×10~(-2)Ω·cm.与透可见光波段的导电氧化铟锡(ITO)薄膜相比,制备的IHfO薄膜可以应用在3～5μm红外波段检测气体,红外制导等领域.     

掺铪氧化锌红外透明导电薄膜

采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了Hf∶ ZnO (HZO)薄膜,研究了氧气流速和退火温度对薄膜微观结构和光电性能的影响.为了提高薄膜的结晶性,将制备的薄膜在800℃下退火30 min,并自然冷却到室温.测试、分析了退火后薄膜的微观结构和光电性能.研究发现,随着氧气流速从0增加到0.6 mL/min,薄膜的致密度逐渐增大,电阻率逐渐降低,而当氧气流速继续增大到0.8 mLL/min时,薄膜的结晶性恶化,电阻率突然升高.氧气流速为0.6 mL/min时制备的薄膜光电性能最佳,利用傅里叶红外光谱仪和霍尔测试仪进行测试,得到薄膜在3～5 μm波段的平均透过率为83.87％,电阻率为1.66×10-2 Ω·cm,载流子迁移率为13.4 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为2.82×1019 cm-3.利用X射线衍射仪进行测试,发现薄膜样品具有ZnO的六方纤锌矿结构,并沿(002)方向择优生长,通过扫描电子显微镜可以看到薄膜表面生成致密均匀的球状结构颗粒.这种薄膜可以用作3～5 μm波段的透明窗口.     

电子束蒸镀氧化铟透明导电薄膜

用电子束蒸发掺SnO2氧化铟靶,可以制得性能良好的透明导电薄膜,电阻率在2.5-3.5×10-4Ωcm,可见光透过率达90%.这种导电薄膜能代替SnO2透明导电薄膜,并优于SnO2导电薄膜. 本文着重研究了影响氧化铟透明导电薄膜导电性、透光性的主要因素,为获得性能良好的透明导电薄膜提供了重复性较好的工艺条件.]     

透明导电氧化铟锡薄膜的特殊应用

阐述了氧化铟锡（ＩＴＯ）薄膜的气敏特性及其导电扩散阻挡作用，对ＩＴＯ气敏薄膜及扩散阻挡层薄膜的制备过程、测试方法和应用进行了研究讨论。     

透明导电ZnO薄膜的电化学制备及性能研究

以修饰的ITO玻璃为衬底,以不同浓度Zn(NO3)2.6H2O作为电解质溶液,采用阴极恒流沉积法制备了不同纳米结构的ZnO薄膜。用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、四探针仪(RTS-8)、紫外-可见(UV-Vis)光谱仪、循环伏安等分别表征薄膜的晶相、形貌和厚度、方块电阻、紫外-可见光透过率和氧化还原电位。结果表明:低浓度溶液沉积得到的c轴取向1D ZnO纳米柱和高浓度溶液沉积得到的致密2D六方ZnO纳米片在可见光范围(400～900 nm)的透过率均可高达85%以上,方块电阻约为14.5Ω/□。两种结构的氧化还原电位有显著区别,纳米柱的为-0.54 V(vs.SCE),而纳米片的为-0.72 V(vs.SCE),说明纳米片状的ZnO薄膜具有更为良好的化学稳定性。     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜(ITO)是一种新型半导体材料, 目前主要依赖进口, 但价格昴贵, 国内生产厂家较少. 深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发, 形成了年产50,000m2透明导电膜(ITO)的能力, 产品质量完全可以替代同类进口产品.     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜（ＩＴＯ）是一种新型半导体材料，目前主要依赖进口，但价格昂贵，国内生产厂家较少．深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发，形成了年生产５０，０００Ｍ透明导电膜（ＩＴＯ），产品质量完全可以替代同类进口产品．北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点，该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜，还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装，在某些方面它可以取代导电玻璃，并且可以开拓许多导电玻…     

高分辨率ITO导电薄膜透明区域缺陷识别

为识别铟锡氧化物导电薄膜透明区域内可能存在的加工型和移交型缺陷,并满足实际应用需求,提出了基于高分辨率视觉系统的自动缺陷识别方法.根据铟锡氧化物薄膜光学特性和空间要求,设计了工作距离为30mm的科勒式同轴光照明模块.此外,为了与照明部分通用光学元件,设计了适用于应用检测的高分辨率成像模块.完成图像采集后,为便于分别检测两类缺陷,采用了两种预处理方法:对图像进行邻域半径r=7的中值滤波并与原图像相减后,获取清晰的划痕缺陷;对图像进行形态学和与阈值处理后,获取对比度为48%的透明电路图案.处理后的图像为缺陷的自动识别提供了可靠的依据,保障了铟锡氧化物薄膜定位的灵敏度和准确度.     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜 (ＩＴＯ)是一种新型半导体材料 ,目前主要依赖进口 ,但价格昴贵 ,国内生产厂家较少。深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发 ,形成了年产 50 ,0 0 0ｍ2 透明导电膜 (ＩＴＯ)的能力 ,产品质量完全可以替代同类进口产品。北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、附着力强、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点 ,该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜 ,还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装 ,在某些方面它可以取代导电玻璃 ,并且可以开…     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜 (ＩＴＯ)是一种新型半导体材料 ,目前主要依赖进口 ,但价格昴贵 ,国内生产厂家较少。深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发 ,形成了年产 50 ,0 0 0ｍ2 透明导电膜 (ＩＴＯ)的能力 ,产品质量完全可以替代同类进口产品。北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、附着力强、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点。该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜 ,还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装。在某些方面它可以取代导电玻璃 ,并且可以开…     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜 (ITO)是一种新型半导体材料 ,目前主要依赖进口 ,但价格昴贵 ,国内生产厂家较少。深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发 ,形成了年生产 5 0 ,0 0 0 M透明导电膜(ITO) ,产品质量完全可以替代同类进口产品。北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点 ,该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜 ,还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装 ,在某些方面它可以取代导电玻璃 ,并且可以开拓许多导电玻璃所不…     

ITO导电薄膜透明图案对比度增强方法

铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)导电层是触控显示技术的绝对定位元件,为保障定位的灵敏性和准确性,需对导电层表面缺陷进行质量检测.本文针对导电层透明区域机器视觉自动检测存在的问题,提出了图案对比度增强的方法.该方法首先利用ITO材料的光谱属性及其表面光学特性,设计出用于ITO导电层检测的近红外同轴光照明,将图像对比度从零提高到4.5%.在通过光学方法实现了对比度从无到有的转变后,充分利用数字图像预处理的优势,结合基于小波变换的非线性增强方法,最终成功将对比度提高至16%,为后续ITO导电层缺陷的分析和识别提供了良好保障.     

ZnO-SnO_2透明导电薄膜的制备及性能研究

采用二步成胶工艺制备ZnO-SnO_2透明导电薄膜,应用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计、薄膜分析仪及四探针仪等对薄膜的结构、表面微观形貌、透过率和导电性能进行表征.结果表明,锌锡摩尔比为9/12,退火温度为500 ℃时,薄膜的透过率达90%,电阻率为3.15×10~(-3) Ω·cm.与其它工艺相比,二步成胶工艺所制备出的ZnO-SnO_2透明导电薄膜性能优异.     

W掺杂ZnO透明导电薄膜的理论及实验研究

本文从理论与实验两方面入手, 对高价态差金属W掺杂ZnO (WZO) 薄膜材料的特性进行分析讨论. 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对WZO材料特性进行理论分析, 计算结果表明: W以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中, 由于W-O键的键长较长引起晶格常数增加, 产生晶格畸变; 掺杂后费米能级进入导带, 其附近的导电电子主要由W 5d, O 2p及Zn 3d电子轨道提供, 材料表现出n型半导体的特性; 同时能带简并效应使其光学带隙展宽. 为进一步验证该理论分析结果的适用性, 本文采用脉冲直流磁控溅射技术进行了本征ZnO及WZO薄膜的实验研究, 结果表明: W掺入未改变ZnO的生长方式, 但引起薄膜的晶格常数增加, 电阻率由本征ZnO的1.35× 10^-2 Ω·cm减小到1.55× 10^-3 Ω·cm, 光学带隙由3.27 eV展宽到3.48 eV. 制备的WZO薄膜在400-1100 nm的平均透过率大于83%. 实验结果对理论计算结果进行了验证, 表明WZO薄膜作为透明导电薄膜的应用潜力.