光化学

O644.12007010972介孔结构Na4W10O32/TiO2复合光催化剂的制备及其可见光光催化性能的研究=Mesoporous Na4W10O32/Ti O2composite photocatalyst∶preparation and visible-lightphotocatalytic activity[刊,中]/耿爱芳(长春理工大学材料与化工学院.吉林,长春(130022)),王长华…     

介孔二氧化钛光催化降解乙醛及其影响因素

"应用溶剂蒸发自组装的方法合成了具有蠕虫状孔道的介孔二氧化钛粉末和薄膜．考察了不同焙烧温度对材料介孔结构和光催化性能的影响．乙醛光催化降解实验用来表征不同焙烧温度下介孔材料的光催化性能．结果表明实验中合成的介孔二氧化钛材料的光催化活性明显高于颗粒二氧化钛(Degussa P25)．其中400 oC焙烧的样品具有平均孔径为6.0 nm的窄的孔径分布和117 m2/g的大的比表面积．通过对光催化活性结果的分析,发现介孔二氧化钛的活性主要受其比表面积和结晶性的共同影响．对介孔二氧化钛薄膜材料进行了同样的光催化表     

CaCu3Ti4O12块材和薄膜的巨介电常数

用固相反应法和脉冲激光沉积 (PLD)制备了CaCu3Ti4O1 2 块材和薄膜 ,获得了相对介电常数ε′( 1kHz ,3 0 0K)高于140 0 0的介电特性 ,是目前该体系最好的结果 .报道了 ( 0 0l)取向高质量CaCu3Ti4O1 2 外延薄膜及其介电性质 .CaCu3Ti4O1 2 相对介电常数ε′在 10 0— 3 0 0K温度范围内基本保持恒定 ,稳定性好 .基于跳跃电导模型 ,对CaCu3Ti4O1 2薄膜介电电导的频率依赖关系作了合理解释     

光学相关论题 光化学

O6432006032784可见光激发下PtⅣClx/Ti O2的光诱导电子转移研究=Study on electrontransfer on PtⅣClx/Ti O2induced byirra-diation of visible light[刊,中]/陈亦琳(福州大学光催化研究所.福建,福州(350002)),李旦振…∥高等学校化学学报.—2006,27(2).—340-342利用表面光电压谱(SPS)和电场诱导表面光电压谱(EFISPS)对PtⅣClx/Ti O2进行了表面光伏特性的研究,揭示了催化剂光生载流子跃迁行为与其表面光伏特性之间的联系,这对于全面认识PtⅣClx/Ti O2可见光降解有机物的反应机理具有重大意义。图5参5(于晓光)O644.120060327…     

光学相关论题 光化学

O644.12006010789掺铜方法对二氧化钛光催化氧化还原性能的影响=Pho-tocatalytic activity of copper doping Ti O2prepared by sev-eral methods[刊,中]/吴树新(天津大学化工学院.天津(300072)),尹燕华…∥河北大学学报(自然科学版).—2005,25(5).—486-494采用浸渍法、水解沉淀法、机械混合法制备了铜掺杂的Ti O2光催化剂。利用XRD、XPS、TPR等手段以不同样品进行了表征,以乙酸水溶液的光催化氧化降解及二氧化碳光催化还原为反应探针,对3种催化剂光催化活性进行了评价。结果表明,不同方法掺铜影响催化剂表面性质如吸附氧、元素价态…     

光学相关论题 光化学

O644.1 2004053986 掺锆纳米TiO_2制备表征及其对光催化活性的影响=Preparation and characterization of nanosized Zr doped titania particles and influence on photo catalytic activity[刊,中]/毕怀庆(广州华南理工大学化学工程研究所。广东,广州(510640)),袁文辉…∥材料科学与工程学报。—     

光化学

O644.1 2004032380 稀土元素掺杂对纳米TiO_2光催化剂性能的影响=Influence of transition elements dopant on the photocatalytic activites of nanometer TiO_2[刊,中]/冯良荣(中科院成都有机化学研究所.四川,成都(610041)),吕绍洁…∥复旦学报:自然科学版.—2003,42(3).—413-417     

纳米介孔分子筛Sm-MCM的合成与表征

利用有机相-水相界面共沉淀溶胶支持自组装方法制备了颗粒大小约为10~15 nm稀土嵌入纳米介孔分子筛Sm-MCM(1∶10)。其BET比表面积、孔容和孔径分别为621 m2.g-1,1.25 cm3.g-1和8.0 nm。稀土掺杂能改善纳米分子筛的尺寸2。9S i-MAS NMR分析测试出样品的波谱峰-44,-58,-67,-76,-89,-107,-110 ppm,分别对应七个不同化学环境q0,q1,q2,q3,Q2,Q3,Q4[(S iO)4-nS i—(O—Sm—)n(n=4,3,2,1),(S iO)4-mS i—(OH)m(m=2,1,0)]。表明稀土元素已嵌入分子筛的骨架。不同的样品的巨大比表面积和大的孔容比表明分子筛为典型的介孔结构,也说明这些介孔物质材料在800℃的高温下有非常好的热稳定性。把硅胶基质介孔分子筛的红外吸收峰970 cm-1归属为硅羟基的扭曲振动。Sm-MCM的发射光谱归属于Sm3+离子的4L17/2→6Hn/2(n=11,13,15)跃迁发射。     

光学材料 红外、紫外、X射线材料

O434.2 2006043639CaSiO3∶Mn ,Pb-B2O3系化合物的合成及其UV和VUV发光特性=Synthesis and luminescent characteristics ofCaSi O3∶Mn,Pb-B2O3phosphors under UV-VUV excita-tion[刊,中]/张稚雅(兰州大学物理科学与技术学院功能与环境材料研究所.甘肃,兰州(730000)) ,王育华∥功能材料.—2006 ,37(2) .—185-187采用高温固相法合成了CaSi O3∶Mn,Pb-B2O3系列化合物并研究了其在紫外和真空紫外区域的发光特性,探索了其作为高亮度发光材料的可能性。图8参12(于晓光)光学材料 红外、紫外、X射线材料…     

光学材料 光学塑料、光学陶瓷

TQ174.756 2006043636Bi4-xLaxTi3O12介电陶瓷的制备及其介电性能的研究=Preparation of Bi4-xLaxTi3O12dielectric ceramics and studyof their dielectric properties[刊,中]/何波(昆明理工大学光电子新材料研究所.云南,昆明(650051)) ,徐静…∥红外.—2006 ,27(3) .—21-27采用固相烧结法制备了不同掺La量、不同烧结工艺的铋层化合物Bi4-xLaxTi3O12(x=0 ,0 .25 ,0 .5 ,0 .75 ,1)介电陶瓷。利用宽频LCR数字电桥和XRD、SEM分析了Bi4-xLaxTi3O12介电陶瓷的晶相和微观结构对其介电性能的影响。研究表明,1 050 ℃烧结温度保温4 h…     

室温下超声波辐照制备介孔结构的TiO2及其光催化性能

在室温条件下,利用超声波辐照方法合成了一系列具有大比表面积的介孔结构TiO₂光催化剂。应用N₂-物理吸附、X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等手段对合成的样品进行了表征。考察了超声波强度、发射时间对TiO₂的结晶度、比表面积、孔体积、孔径等物理结构的影响,并提出了超声波辐照下TiO₂的介孔结构的形成机理。以λ=365 nm的紫外光为光源,评价了该系列催化剂光催化降解染料甲基橙的性能。结果表明超声波功率的增加将增加TiO₂的结晶度和孔径,并使其晶粒发生细化,提高催化剂的分散性。声化学合成的样品具有较高的光催化活性,其主要原因是超声波辐照方法合成的TiO₂具有较高的结晶度和较大的比表面积和孔体积。     

多酸-介孔分子筛复合材料的制备、表征及光催化活性

采用浸渍法将具有光催化活性的多金属氧酸盐(polyoxometalate,POM)磷钨酸和硅钨酸负载到介孔分子筛MCM-41,制备了H3PW12O40/MCM-41和H4SiW12O40/MCM-41两种复合材料,以红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、N2吸附、高分辨透射电镜(HRTEM)等分析手段对所合成的多酸-分子筛复合材料进行了表征,并以农药百草枯的光催化降解考察了复合材料的光催化活性。所合成的复合材料同时保留了母体多酸的Keggin特征结构和载体MCM-41分子筛均匀的六方孔道结构,比表面积超过200m2.g-1。用于农药百草枯的光催化降解实验表明,两种复合材料均具有较高的光催化活性。在365nm紫外光辐照下,以H3PW12O40/MCM-41和H4SiW12O40/MCM-41为催化剂催化反应14h后,百草枯(10mg.L-1)的降解转化率分别达到92.0%和87.6%,反应符合一级化学动力学模型,半衰期分别为3.7和4.6h。     

(Bi, La)4Ti3O12-Sr(Bi, La)4Ti4O15共生结构铁电材料性能研究

采用固相烧结工艺,制备了不同La掺杂量(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25和1.50)的(Bi, La)4Ti3O12-Sr(Bi, La)4Ti4O15 (SrBi8-xLaxTi7O27)共生结构铁电陶瓷样品.用x射线衍射对其进行微结构分析,并测量铁电、介电性能.结果发现,La掺杂未改变Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15共生结构铁电材料的晶体结构.随掺杂量的增加,样品的矫顽场(Ec)略有增加,剩余极化(2Pr)先增大,后减小.在x＝0.50时,2Pr达到极大值,为25.6 μC*cm-2,与Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15相比,2Pr增加了近60%,而Ec仅增加约10%.随La掺杂量的增加,样品的居里温度TC逐渐降低,x＝0.50时,TC=556 ℃.在x=1.50时,样品出现弛豫铁电体的典型特征.     

Mn、Ti掺杂对NaxCoO2体系超导电性和电荷有序化影响

本文研究了Mn、Ti掺杂对Na0.3Co1-xMxO2·1.3H2O超导电性和 Na0.5Co1-xMxO2材料电荷有序现象的影响.我们成功合成了Na0.7Co1-xMxO2(M= Mn和Ti,0≤x≤0.1)系列样品,并采用不同强度氧化剂氧化脱钠,分别获得Na0.5Co1-xMxO2和水合物Na0.3Co1-xMxO2·1.3H2O (0≤x≤0.1, M= Mn和Ti).X射线衍射分析表明所有样品都是比较好的单相,它们的晶格常数随着Ti和Mn的含量发生系列变化.物性检测显示Na0.3Co1-xMxO2·1.3H2O的超导电性随着Mn和Ti掺杂量的增加明显减弱,在Mn掺杂为x=0.02 或Ti掺杂为x=0.01时其超导电性消失;磁性检测发现随着掺杂量的增加,Na0.5Co1-xMxO2电荷有序态被逐渐破坏,其中掺Mn比掺Ti对电荷有序化行为的影响更为明显.     

铋层化合物Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0—1)陶瓷的介电和铁电特性

研究了铋层化合物Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0—1)陶瓷的介电和铁电特性.研究发现随着x值的增大,材料的居里点由540℃降到30℃左右,但材料始终具有铁电性.对于SrBi4Ti4O15陶瓷施加120kVcm的电场仍无法得到饱和的回线,此时的剩余极化和矫顽场分别约为7μCcm2和73kVcm.对于x=04—05的材料由于它们同时具有较高的居里温度300℃—360℃,较大的剩余极化7—8μCcm2和较小的矫顽场37—47kVcm,因此是一类性能较为优良的铁电材料. 关键词： 居里温度 剩余极化 矫顽场     

La调节Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷的相变与电学性质

利用X射线衍射、弱场介电温度谱、强场极化强度研究了不同La含量(Pb1-xLa2x3)(Zr06Sn03Ti01)O3(000≤x≤012)(PLZSnT)陶瓷的相变与电学特性.实验发现,随La含量增大,室温下材料由铁电三方相(x=000)转变为反铁电四方相(003≤x≤009)和立方相(x=012).介电测试表明,La含量增大,反铁电→顺电相变温度降低,峰值介电常量减小.在x=006的PLZSnT三元相图中,反铁电四方相区扩大到Ti含量约为18at%,该系统反铁电陶瓷具有“窄、斜”型双电滞回线和“三电滞回线”;在高Zr、高Sn区,反铁电→顺电相变呈现弥散相变和介电频率色散特征,即反铁电极化弛豫现象.从ABO3钙钛矿结构的容忍因子(t)和反铁电相的结构特征出发,讨论了La对Pb(Zr,Sn,Ti)O3相变与电学性质的影响机理 关键词： 场诱相变 弛豫型反铁电体 介电性能 La调节Pb(Zr Sn Ti)O3     

α-Al_2O_3介孔材料导热特性的模拟

本文针对α-Al2O3有序介孔材料的导热特性开展分子动力学模拟分析.提出了一种保证电中性的孔道结构构造方法;采用逆非平衡分子动力学方法(muller-plathe法),选取Matsui势为作用势,模拟计算了Al2O3介孔晶体材料在不同环境温度下沿孔道轴向方向的热导率;并借助全面实验分析法,设计了模拟条件,以考察孔径和孔隙率对热导率的影响.模拟结果显示:介孔Al2O3热导率先随温度的升高呈上升趋势,并在200—400 K之间取得极值;而后在400—1400 K范围内,热导率随温度的升高几乎呈线性下降.孔隙率一定时,随孔径增大,介孔Al2O3材料比表面积降低,界面散射的抑制作用减弱,使材料热导率略有上升;孔径一定时,随孔隙率上升,孔道壁面声子数减少,材料热导率下降明显;相对于孔径因素,材料孔隙率对声子导热影响更大.     

复合层状Bi7Ti4 NbO21铁电陶瓷的结构与介电和压电性能研究

制备了Bi7Ti4NbO21，Bi4Ti3O12及Nb掺杂Bi4Ti3O12(Nb-Bi4Ti3O12)层状结构铁电陶瓷材料．结合Nb-Bi4Ti3O12的介电温谱和退极化实验结果，研究了Bi7Ti4NbO21的晶体结构对其介电、压电性能的影响．高分辨透射电镜结果表明，在Bi7Ti4NbO21中，沿着c轴方向，(Bi2Ti3O10)^2-和(BiTiNbO7)^2-。两个类钙钛矿层分别与(Bi2O2)^2 层叠加堆积而成．这种晶体结构决定了Bi7Ti4NbO21的介电温谱在668℃和845℃出现介电双峰．结合极化样品的退化实验分析，说明材料在这两个温度附近发生了铁电一铁电相变、铁电一顺电相变，分别是(Bi2Ti3O10)^2-和(BiTiNbO7)^2-层状结构发生微观结构相变的结果．在退极化过程中，由于受热时钙钛矿层内空位引起的缺陷偶极子的定向排列受到破坏，引起材料部分退极化，表现为300℃热处理后Bi7Ti4NbO21的压电活性降低了10％，显示了室温下材料的压电性能来源于自发极化的固有电偶极子和缺陷偶极子的共同贡献．     

La掺杂SrBi4Ti4O15铁电材料性能研究

按x=0 0 0 ,0 10 ,0 2 5 ,0 5 0 ,0 75和 1 0 0 ,采用固相烧结工艺 ,制备了不同La掺杂量的SrBi4-xLaxTi4O1 5的陶瓷样品 .用x射线衍射对其微结构进行了分析 ,并测量了铁电、介电性能 .结果发现 ,La掺杂未改变SrBi4Ti4O1 5的晶体结构 .随掺杂量的增加 ,样品的矫顽场 (Ec)下降 ,剩余极化 ( 2Pr)先增大 ,后减小 .在x =0 2 5时 ,2Pr 达到极大值 ,为2 4 2 μC·cm- 2 ,这时Ec=60 8kV·cm- 1 ,与SrBi4Ti4O1 5相比 ,2Pr 增加了近 5 0 % ,而Ec 下降了近 2 5 % ,材料铁电性能显著提高 .SrBi4-xLaxTi4O1 5的相变温度Tc 随x的增加逐渐降低 ,x =0 2 5时 ,Tc=45 1℃ .在x =0 75 ,1 0 0时 ,样品出现弛豫铁电体的典型特征     

微波法合成红色长余辉发光材料Gd2O2S:Eu,Mg,Ti及其发光特性

用微波辐射法首次合成了Gd2O2S:Eu,Mg,Ti红色磷光化合物,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征.结果表明:材料的晶体结构为六方晶系,与Gd2O2S的相同.颗粒的形貌为类球形,分散性较好,尺寸在1～2 μm之间.Gd2O2S:Eu,Mg,Ti的激发光谱呈带状,激发光谱主峰位于360 nm,另外在400,422,472 nm等处也有激发峰存在;发射光谱为线状光谱,归属于Eu3 的5DJ(J=0,1,2)到7FJ(J=O,1,2,3,4)的跃迁.随着Eu浓度的增加,位于蓝绿区的586,557,541,513,498,471,468 nm处的发射峰逐渐减弱,而主峰位于627 nm处的红光发射明显增强.当Eu浓度为6 mol%时,红光发射最强.Mg,Ti共掺杂可显著改善其余辉性质.