一种高精度激光吸收率测量装置

针对现有激光吸收率测量的不足，在总结现有激光吸收率测量方法基础上，设计了一种积分球法激光吸收率测量装置。增加了导光管结构，并对光源进行了监测，对光束进行了调制。采用相关检测和同步采集等方法，有效地去除了背景噪声、探测器及检测电路噪声对测量的影响。并实验比较了安装导光管前后装置对样品吸收率的测量影响，并对多个样品进行实验。结果表明，对于样品反射率在10×10-6~10 000×10-6范围内，装置的测量误差可以达到±2%以内，实现了激光吸收率的高精度测量。     

金刚石对顶砧中触点位置误差对样品电阻率测量精度的影响

利用有限元分析方法,研究了金刚石对顶砧中电极与样品接触点位置变化对范德堡法测量样品电阻率精度的影响.结果表明:当电极中心与样品边缘的间距b≤d/9(d为样品直径)时能得到精确的电阻率测量结果;当电极位置远离样品边缘而逐渐接近样品中心时,其位置变化对电阻率测量精度的影响迅速增大;相同的电极位置变化对具有较大电阻率的半导体样品电阻率测量精度的影响更明显. 关键词： 电阻率 有限元方法 金刚石对顶砧     

伴随粒子法γ能谱本底测量技术

为了解决伴随粒子法瞬发能谱实验中随机本底的影响,通过实验研究了标记中子和非标记中子与物质作用产生的瞬发信号和随机本底信号。对不同情况随机本底谱测量进行了分析,提出了小尺度样品和大尺度样品本底测量方式。研究表明:对小尺度样品,可以通过去掉样品,选择与有样品测量的谱相同的时间窗进行本底测量;对于大尺度样品,可以通过在随机本底范围选取时间窗进行本底测量。     

厚度误差对THz-TDS的测量不确定度分析

阐述了基于菲涅尔公式的透射式太赫兹时域光谱系统提取样品光学常数的方法和原理,分析了样品厚度误差对THz-TDS测量不确定度的影响,并建立了相应的不确定度模型。进行太赫兹时域光谱测量实验,提取硅片在太赫兹波段的折射率,并计算了误差对提取样品折射率的影响。结果表明,随着厚度误差的增大,系统测量偏差也随之增大。对于较厚样品,相同厚度误差对其测量结果影响较小。样品厚度为994μm时,在厚度存在1μm的测量误差情况下,系统测量折射率的偏差为0.001 2,接近模型的仿真值。实验结果验证了厚度误差对测量不确定度模型的有效性,了解了厚度误差对系统测量结果的影响情况,对测量过程及结果分析具有一定的指导意义。     

稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特性

测量了Nd,Ce稀土离了注入Si基晶片，在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光（PL）谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大，随退火条件的不同而改变。运用原子力显微镜（AFM）对样品的表面形貌进行了观察，结果显示，样品表面颗粒大小、粗糙度将影响其发光效率。表面颗粒大小均匀，均方根粗糙度小的样品发光效率较高。通过对样品的卢瑟福背散射（RBS）能谱测量，对样品的表面结构进行了探讨，并讨论了表面结构与光致发光特性之间的联系。对样品的发光机理作了初步探讨。     

流体饱和孔隙材料的Biot弹性常数的声学测量

本文研究用声学方法测量流体饱和孔隙介质的Biot4个弹性常数，4个弹性常数主要是通过测量水饱和的孔隙样品中的3种体波速度去计算的（流体压缩系数已知）。为了讨论和验证测量结果，我们还进行了两个实验，一是测量空气饱和样品的切变波速度和纵波速度，并求得框架的体积模量和切变模量；二是测量空气饱和样品中的慢纵波速度，并验证样品曲折度的大小。     

紫外分光法对混酸中硝酸浓度的测量

本文讨论了在混酸中用紫外分光法测量硝酸浓度的原理及其在测量中存在的干扰因素，样品的预处理方法以及对混酸溶液的稀释倍数的影响。     

超导材料Mg1-xAgxB2的比热和电阻率

我们对新型超导化合物MgB2进行了比热和电导性质测量，测量结果显示该材料的超导临界温度为38.9K。另外我们还对Mg1-xAgxB2（x=0,0.1,0.2)的系列样品进行了测量，发现随着Ag含量的增加，样品在超导相变温度附近的比热跳跃明显减小。这可能是由于Ag和g生成合金，而只有少量的Mg才和B化合成MgB2，故其超导成分很少，所以比热跳跃小。但由于Ag原子量比Mg要大得多，所以样品的单位质量比热比纯样品大。当Ag掺杂到0.3时，电阻率测量表明当温度的为4.2K时其电阻仍未到0，超导电性消失。另外我们分别对烧结一次和烧结两次的纯MgB2样品进行了比热测量，测量结果显示烧结过两次的样品的比热比烧结一次的样品的比热要小一些，这说明样品在烧结的过程中可能有部分Mg流失。从而导致其单位质量的比热减少。     

快速焓探针

传统焓探针测量系统采用质量流量计测量样品气体的流量，这种方法的缺点是强烈依赖于等离子体工作气体的组分以及在测量时必须等待在焓探头内样品气体流动达到稳定状态，因此测量时间较长.本文介绍的快速焓探针测量系统中，用一个已知体积的储气罐获得被抽样品气体的摩尔量，从而克服了传统焓探针的缺点，实现了在几秒之内完成对一点的焓值测量.本文从四个方面的实验验证了快速焓探针测量结果的准确性.     

光谱干涉及其在非透明样品厚度测量中的应用

针对金属带材等非透明样品厚度的高精度原位测量问题，本文基于光谱干涉绝对距离测量的基本原理，提出了一种结构紧凑、全光纤的非透明样品厚度非接触式差分测量方法.首先介绍了光谱干涉的基本原理及绝对距离测量的具体实现，然后设计、搭建了一套全光纤差分光谱干涉测量非透明样品厚度的原理验证光路，并开展了原理验证实验，实现了标准量块厚度的高精度测量，最后对该方法的测量误差进行了分析，分析结果表明，采用该方法可以达到亚微米级的厚度测量精度.     

用穿透场测量高Tc超导体样品有效钉扎势方法研究

在不同温度下测量了不同磁场扫描速率所对应的样品磁滞回线，据此定出样品的穿透场，利用穿透场与磁场扫描速率的关系得出了样品有效钉扎势，相对于其它方法而言，我们的方法具有数据处理的特点，用穿透场测量样品有效钉扎势，可能成为研究高温超导体的又一新方法。     

分段自相关动态光散射法测量亚微米粒度

介绍了动态光散射法测量微粒尺度的原理，通过对相关函数相对的分析，提出了分段自相关的方法，该方法解决了高速，大数据量采集的困难，又不显著影响相关函数的精度，给出了实验装置及实验结果，测量结果与标准样品的标称值相符。     

金属的冲击波温度测量（Ⅲ）：“基板／样品”界面间隙对辐射法测量冲击波温度

讨论了在利用辐射法测量金属的冲击波温度时，金属基板（靶板）与金属镀膜样品之间的间隙对“金属镀膜样品／窗口”界面上的温度的影响及其对冲击波温度测量的意义。“金属基板／间隙／镀膜样品／透明窗口”这样一种由四层介质组成的典型的靶－样品装置被广泛用于金属材料的冲击波温度测量中。利用拉普拉斯变换对上述“以介质模型”在经受冲击波压缩全盘香的热传导方程进行求解。结果表明：当冲击波扫过金属镀膜样品与窗口之间的界面     

霍尔效应测量中的不等位热扩散电势差

尽管常规换向直流法可消除已知副效应干扰并得到霍尔电压，但它掩盖了存在未知附加电势的实验事实。将4次换向测量归纳为磁场与样品电流同相组合和反相组合，根据在磁场中样品电流和热扩散电流具有相似物理行为，必须考虑不等位热扩散电势差的影响。这一方案不仅更清晰地解释4次换向测量平均的物理原理，还通过同相测量平均和反相测量平均之差与和得到不等位热扩散电势差与确定且可重复的霍尔电压。实验事实及分析结果表明，引入不等位热扩散电势差才能完整描述霍尔测量中所有副效应的贡献。     

光泵磁共振实验探讨

本文讨论了在光泵磁共振实验中，地磁场垂直分量的抵消、样品泡所在处恒定磁场的确定和实验中的干扰信号等问题。阐明了地磁场垂直分量不被抵消情况下，对实验结果的影响；在实验中采用利用一种元素测量样品所在处磁场的方法，准确确定样品泡所在处的恒定磁场；最后对实验中的干扰信号进行了分析。     

稳态交流加热法小样品低温比热的测量

本介绍了用稳态交流加热法测量小样品低温比热的原理，方法，装置和微机自控的测量系统。作为检测在３０－１５０Ｋ范围内分别测量了两个质量不同的纯铜样品的比热，与现有数据符合很好。估计精度在１％以内。     

光学材料光学不均匀性绝对测量误差分析

绝对测量技术去除了干涉仪参考面面形误差,可实现光学材料光学不均匀性的高精度测量。对现有主要光学材料光学不均匀性绝对检测技术进行了总结比较,针对像素错位、干涉图分辨率、干涉仪测量重复性、样品厚度以及折射率测量等因素对光学不均匀性绝对检测的影响进行了实验分析。实验结果表明:干涉仪重复性是光学不均匀性测量的主要误差。样品翻转测量法、样品直接透射测量法、平行平板样品测量法3种测量方法均可实现光学不均匀性（RMS）10-8检测精度。     

高分辨激光显微测量系统的应用

高分辨显微测量系统在观察样品表面细微结构和普通光学难以分辨的极限尺寸样品的测量中实现了高分辨、高精度和自动化的综合显微分析。文中采用激光光源提高显微测量精度,并消除了激光散斑的影响,采用高分辨CCD工业相机对光盘的道间距及表面参数进行了实时显微测量分析。     

非线性折射率测量的Z扫描方法

描述了利用会聚的单光束灵敏地测量各种非线性介质的非线性折射率和非线性吸收系数的方法。被测样品放置于会聚高斯光束的光轴上（ｚ轴），样品在焦点附近沿ｚ轴移动，在远场处放置带有小孔的屏。通过小孔测量光束通过样品后的透过率，根据透过率与样品位置的关系，即可得到非线性介质的非线性折射率和非线性吸收系数，并能确定非线性折射率的符号（自聚焦或自散焦）。给出了若干测量结果。     

样品电流模式下外磁场引起的X射线吸收谱强度变化

在用样品电流模式的测量过程中发现，磁场强度、磁场与样品表面的夹角以及光斑在样品表面的位置都会对吸收谱强度产生影响；在光斑、磁场和样品的不同几何配置下,测量并分析了表面均匀氧化的铝箔中氧的K边吸收谱，指出外磁场下吸收谱强度随各种条件变化的趋势，并对实验结果给出了合理解释；结果表明所用的模型分析与实验数据符合得很好；所得到的信息对于XMCD实验的设计安排、相应数据的分析以及物理信息的提取具有重要意义.