50—5000 eV电子被C4H8O,C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面

使用电子被C, H和O原子散射总截面的实验数据, 利用修正后的可加性规则计算了能量为50—5000eV的电子被4个复杂大分子C₄H₈O, C₅H₁₀O₂, C₆H₅CH₃和C₄H₈O₂散射的总截面, 并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 结果表明, 即 关键词： 电子散射 可加性规则 总截面 几何屏蔽效应     

使用发射光谱对感应耦合CF4/CH4等离子体中C2基团形成机理的研究

利用强度标定的发射光谱法，研究了感应耦合CF4₄/CH4₄等离 子体中空间基团的 相对密度随宏观条件（射频输入功率、气压和流量比）的变化情况. 研究表明：在所研究的 碳氟/碳氢混合气体放电等离子体中除了具有丰富的CF，CF2₂，CH，H和F等活 性基团外 ，还同时存在着C2₂基团，其相对密度随着放电功率的提高而增加；随着气压 的上升呈 现倒“U”型的变化. C2₂随流量比R（R=［CH4 _{关键词： 发射光谱 感应耦合等离子体 2}基团')" href="#">C2₂基团     

使用发射光谱对H2稀释情况下的感应耦合H2/C4F8等离子体中碳氟基团的研究

在射频输入功率为400W，气压为0.8Pa的条件下，使用光强标定的发射光谱方法研究了感应耦合H₂/C₄F₈等离子体中CF, CF₂, H和F基团的相对密度随流量比R=H₂/(H₂+C₄F₈)的变化情况，而HF基团相对密度的变化由四级质谱仪探测得到。结果表明等离子体活性先随着R的增加而升高，然后随着R的进一步增加而下降。在流量比从0逐渐上升到0.625的过程中，CF和CF₂基团的相对密度不断降低。实验中测得的CF基团的相对密度[CF]与理论计算得到的[CF]有很好的一致性说明了电子与CF2基团的碰撞反应是CF基团产生的主要原因。文中还讨论了HF基团。     

激光烧蚀Al热原子与CF4反应中C2的形成及其发光光谱研究

脉冲激光烧蚀金属平面铝靶产生的热原子与气相CF4碰撞反应中，在400—600nm之间观测到激发态C2分子的发光光谱，它们可归属为Swan带的d3Πg-a3Πu跃迁中Δv＝２，1，0，-1，-2五个振动序列（v'≤6）.光谱强度分析表明，C2激发态的振动温度达6340K左右.与激光烧蚀Al＋O2反应生成AlO的实验结果以及激光烧蚀Cu＋CF4的光谱比较，对比Al(2P1/2-2S1/2,3944nm）和C2的d—a跃迁（0—0）带带头（5165nm)的飞行时间轮廓，认为激发态的Al(2S1/2)原子通过 关键词： 激光烧蚀 发光光谱 C2分子     

自旋转换配合物[Fe（C4H4N2）｛Pt（CN4）｝]晶体结构及低温相的研究

本文对自旋转换配合物[Fe(C4H4N2){Pt(CN4)}]进行了晶体结构的理论研究,分析表明XRD测量给出的结构只是一个理想化的结构,不适用于理论计算.我们通过第一性原理计算给出的晶格结构空间群为P2/m,相比较XRD的理想结构的空间群P4/m,其对称性降低,该体系实际属于单斜晶系,而不是测量中所给出的四方晶系的结构.通过对比实验数据特别是对低温相的分析,看出对该配合物的理论计算得出的结构常数及键长与实验数据相吻合.用局域密度近似和广义梯度近似算得的低温相的能量分裂分别为2.7824eV和2.5617eV,故低自旋态为低温相的稳态,这也与实验结论很好的吻合.     

30-3000eV的正电子被O2、H2O及CH4散射的总截面计算

使用可加性规则，在Hartree-Fock水平上计算了30-3000eV的正电子被三个分子（O2、H2O及CH4）散射的总截面。计算正电子被三个分子散射的总截面时，首次使用了被束缚原子概念修正过的复光学势（这一复光学势考虑了分子中两个原子间的电子云重叠效应）。将正电子被这三个分子散射的总截面计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较，结果显示出在30-3000eV内，文中的计算结果与实验结果及其它理论计算结果具有较好的一致性。因此，可加性规则与修正后的复光学势相结合，完全适用于正电子被分子散射的总截面的计算。     

50-5000 eV电子被C4H8O, C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面

使用电子被C, H和O原子散射总截面的实验数据, 利用修正后的可加性规则计算了能量为50-5000 eV的电子被4个复杂大分子C4H8O, C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面, 并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 结果表明, 即使是在几十电子伏的入射能量下, 修正后的可加性规则计算出的总截面依然能与实验结果符合很好, 而使用未修正的可加性规则进行计算, 即使是在几百电子伏的入射能量下得到的总截面仍偏离实验值较远. 分析表明, 未修正的可加性规则计算得到的总截面在中低能区过大、随电子入射能量的增加而衰减太快的问题是由可加性规则本身引起的, 其实质是未考虑低能下分子内原子间的相互屏蔽对散射总截面的计算所带来的影响.     

应用扩展的2CJL模型确定微观势能参数

本文应用扩展的2CLJ势能模型优化了若干线型分子的微观势能参数.该模型包含了二分子间长程静电和诱导作用,同时也考虑了极性分子偶极矩与分子轴不平行的情况.通过第二维里系数的实验数据回归获得简单线型分子N2、O2、Cl2、F2、CO、NO、C2H6和C2F6的硬球直径σ和阱深ε.强极性分子CH3Cl、CH3F、CH3CF3、CF3CH2F和CH3CHF2的第二维里系数运用改进的混合规则计算得到,计算结果与实验数据符合很好.     

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采用分子动力学方法模拟200eV的CH3粒子轰击到不同基底温度的钨样品上,分析了C、H原子在钨表面的沉积、散射及溅射情况,结果表明C、H原子的沉降量均随入射剂量的增加而增加。在基底温度为100K时,相同入射剂量下沉积的C原子最多,而当基底温度为1200K,在入射剂量大于1.5X1016cm-2时,C原子的沉降量小于其它基底温度下的C的沉降量。CH3在轰击样品时发生了分解,各种分解情况随基底温度变化较小,其中不同基底温度下一级分解率在40%上下波动,二级分解在23%左右,而完全分解的CH3在9%左右。C、H原子的散射角主要分布在5°~85°间,散射C原子分布的最大值分布在40%~50°或50°~60°间,散射C原子分布的最小值分布在0°~10°或80°~90°间;而不同基底温度下散射H原子分布的最大值均在40°~50°间,最小值均在0°~10°间。散射C原子的能量在0~140eV之间,散射能量为0~120eV的C原子占散射总量的98%以上,散射C原子平均能量随基底温度的增加而增加,其变化从65.5eV增加到68.5eV;散射H原子的能量也在0~140eV之间,但大约70%的散射H原子能量在40eV以内,散射平均能量随基底温度的增加而减小,其变化从13.92eV减小到13.05eV。     

30-5000eV的电子被若干分子散射的总截面计算的一种修正势方法

利用可加性规则，使用Hartree-Fock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光学势，在30~5000eV这一较大的能域内对电子被N2、NO、NO2、CH4、CF4、CF3H、C2H2及C2H4散射的总截面进行了计算。束缚原子不同于自由原子之处，是束缚原子概念考虑了不同分子中的不同的电子云重叠情况，并根据电子云的重叠情况对复光学势进行修正。文中，将定量的计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较，结果显示出在30~5000eV内，计算结果与实验结果及其它理论计算结果间有较好的一致性。同时结果也表明，在较低的能量下，尤其是当入射电子的能量低于500eV时，利用被束缚原子概念修正过的复光学势进行计算得到的结果，要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势计算得到的结果更接近于实验值。因此，在复光学势中考虑电子云的重叠效应可改善电子被分子散射的总截面的计算精度。     

钙钛矿(C6H5CH2NH3)2PbBr4拉曼光谱研究

运用激光拉曼光谱实验和密度泛函理论计算研究了450～1 700 cm-1光谱范围内有机-无机杂化钙钛矿材料(C₆H₅CH₂NH₃)₂PbBr₄的振动模式特性。对比实验所得拉曼光谱和理论计算所得拉曼光谱,发现密度泛函理论计算可以很好的模拟(C₆H₅CH₂NH₃)₂PbBr₄有机部分的分子振动模式。同时通过比较分析密度泛函理论计算和参考文献,对450～1 700 cm-1光谱范围内的拉曼峰的分子振动模式进行了初步的归属,并发现该光谱范围内的拉曼峰主要是由(C₆H₅CH₂NH₃)₂PbBr₄分子中有机部分振动所产生的。     

中高能电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面

利用可加性规则，使用Roothaan-Hartree-Fock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光 学势，在300—1000eV内若干个能量点处计算了电子被O₂及CF₄分子 散射的微分截面、 弹性积分截面及动量转移截面，并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 比较的结果表明，利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得微分 散射截面的精度要比利用未修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果准确得多；同 时，计算得到的弹性积分截面及动量转移截面也比较接近实验值.因此，在复光学势中采用 束缚原子概念可提高电子被分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面的计算准确 度. 关键词： 电子散射 可加性规则 微分截面 弹性积分截面     

SrHfO3和SrTiO3光学特性的第一性原理研究

用全电势线性缀加平面波法(FLAPW)计算了SrTiO₃和SrHfO₃的光学特性，即介电函数虚部ε₂(ω)、光学吸收系数I(ω)和反射率R(ω).对它们光学特性进行了对比分析，给出了它们光学特性的差别，并进行了解释.计算的SrTiO₃光学谱分别在4.4，7.4，8.3和23.6eV处出现峰值，且其在4.4eV处的峰值比较高而尖.计算结果与实验值符合得很好. 关键词： 平面波法计算 光学常量和参数 铁电体     

PbWO4晶体电子结构的理论计算

采用相对论性的离散变分DV-Xα方法模拟计算了具有复杂晶体结构的PbWO₄晶体的本征能级结构,其价带顶主要由O 2p轨道组成,导带底主要由W 5d轨道构成;Pb 6s电子的绝大部分分布在距价带底～2eV处的窄带中,同时也有少量分布在价带;禁带宽度大约是4.4eV,计算结果与实验数据符合得较好. 关键词：     

β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构

采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)从头计算方法,研究了β-C₃N₄,β-Si₃N₄和β-Ge₃N₄的能带结构,得到了它们的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279eV。对于β-C₃N₄,由于N的部分2p电子占据了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si₃N_{4关键词：}     

Zr催化剂对NaAlH4和Na3AlH6可逆储氢性能的影响

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,分别计算纯净的以及掺杂Zr的NaAlH₄和Na₃AlH₆的晶格结构常数、能量、电子局域函数和电子态密度.结果表明：NaAlH₄和Na₃AlH₆分别是带隙为46和31 eV的绝缘体;NaAlH₄和Na₃AlH₆中Al—H键是共价键,Na—H键是离子键;Zr原子替代Na原子 关键词： 储氢 4')" href="#">NaAlH₄ 3AlH₆')" href="#">Na₃AlH₆ Zr掺杂     

Yb2.75C60同步辐射光电子能谱

在超高真空系统中制备了Yb275C60薄膜.对样品进行了同步辐射光电子能谱研究.在费米能级以下约5 eV范围内的谱数据由Yb275C60价带（C60分子轨道LUMO，HOMO和HOMO 1导出的能带）和芯态（Yb 4f7/2，4f5/2）能级构成.用紫外能区不同能量的入射光子，用C 2p和Yb 4f光电离截面随光子能量的不同变化规律，通过定量拟合，得到了对谱线有贡献的上述各个组分的峰位、峰宽和强度.结果表明，光子能量高于约300 eV时，芯态4f的贡献使得实验结果远远偏离价带的本征态密度分布.因此，研究Yb275C60价态时，应使用能量低于300 eV的光子.对实验和拟合结果分析，发现了类似纯C60的光电离截面振荡现象.振荡幅度相对于纯C60较小，反映了化合物中C60分子的化学环境对光电离截面振荡现象起着不可忽略的作用. 关键词： Yb275C60 同步辐射光电子能谱 光电离截面振荡     

H掺杂α-Fe2O3的第一性原理研究

α-Fe₂O₃是一种重要的磁性半导体材料, 在电子器件中应用广泛, 具有重要的研究意义. 本文基于密度泛函理论, 采用GGA+U方法, 应用第一性原理对间隙H掺杂前后的六方相α-Fe₂O₃的晶格常数、态密度、Bader 电荷分布进行了计算分析. 研究了U值对结果的影响, 发现U=6 eV时, 体相α-Fe₂O₃的晶胞平衡体积、Fe原子磁矩、带隙值与实验值最符合. 在选取合适U值后, 第一性原理计算结果表明, H掺杂后, 间隙H部分被氧化, 其最近邻的Fe 和O部分被还原, H和O有一定程度的成键. 在费米面附近, 出现了新的杂化能级, 杂化能级扩展了价带顶的宽度, 同时导带底下移, 引起带隙减小, 表明H掺杂是一种有效的能带结构调控方法.     

三元配合物H[Ni（C7H4O4）（C9H6NO）]·2.5H2O的合成与表征

以2,4-二羟基苯甲酸和8-羟基喹啉为配体,以Ni2+作为中心原子,合成了一种新的三元固体配合物H[Ni(C7H4O4)(C9H6NO)]·2.5H2O,并采用元素分析、IR光谱和TG-DSC分析对它的结构进行了表征。结果表明,在该配合物中,2,4-二羟基苯甲酸配体以羧基O原子和一个羟基O原子与中心原子配位,8-羟基喹啉配体以羟基O原子和喹啉N原子与中心原子配位,配合物的配位数为4。     

PuH2分子电子结构的DVM研究

关于钚的氢化物的分子结构和分子光谱公开解密的资料与数据甚少.基于密度泛函理论的全数值自洽场计算方法——离散变分方法(DVM)，数值解相对论的Dirac方程，在自由的钚原子和氢原子波函数的数值基及原子能级基础上计算了全电子的PuH2分子电子结构.得到PuH2分子基态最佳参数为键长Pu—H=0208617nm，键角θ°(H—H)=115.011°，轨道总能量为-19838.6630 a.u.，费米能级EF=-12.571eV. 比较了冻芯与非冻芯全电子计算结果.