从含铜废渣中制备碱式硫酸铜的研究

以含铜废渣为原料,采用氨浸、催化氧化、蒸馏、结晶的工艺制备碱式硫酸铜,探讨了氨浸机理,在正交试验的基础上得出了氨浸工艺条件,并对蒸氨等过程进行了研究。该工艺具有设备简单、投资少、成本低和经济效益好等特点。     

L-半胱胺酸自组装膜修饰电极的制备及电化学表征

用不同制备方法得到了L-半胱胺酸自组装膜修饰电极，并采用不同的电化学方法表征了L-半胱胺酸自组装膜修饰电极。     

利用碱熔融法生产高碳石墨废水制备碱式氯化铝的试验研究

本利用高碳石墨生产中产生的酸废水制备无机混凝剂－碱式氯化铝,取得较好效果,其产品各项指标均符合有标准,混凝效能与市售碱式氯化铝相比相关几,并且在相当宽的ＰＨ范围内均有较好除浊效果,由于产品本身含有Ｆｅ＾２＋、Ｆｅ＾３＋,其混凝效能高于同类低铁或无铁的混凝剂。     

膨润土负载ZnCl2固体酸的制备与表征

以膨润土为原料,采用无水浸渍法制备了ZnCl2固体酸催化剂,研究了其制备条件对乙酰水杨酸合成反应催化性能的影响,对催化剂进行了表征,同时对合成反应进行了优化实验.结果表明,当用10%HCl浸泡过夜、负载5.0 mmol/gZnCl2、550℃下焙烧活化3 h及固体酸用量5%时,水杨酸和乙酸酐投料量为1∶2,反应温度为80~90℃,乙酰水杨酸产率可达96.6%,催化剂可重复使用.     

钒酸钇原料制备

采用液相反应法合成钒酸钇原料 .为了寻求最佳合成点 ,测定了氧化钇 (Y2 O3)和偏钒酸铵 (NH4 VO3)在硝酸和氨水中的溶解度 -浓度曲线 ;分析了温度对溶解度的影响 .钒酸钇粉末在 10 0℃的条件下烘干 ,5 0 0℃条件下烧结4 8h.XRD粉末衍射表明 ,所得物质为四方相钒酸钇     

钒酸铋复合钼基氧化物的制备及降解有机染料废水性能研究

介绍了钒酸铋复合钼基氧化物。将稀硝酸、十六烷基三甲基溴化铵、钼酸钠、氢氧化钠和钒酸铋作为试剂对钒酸铋复合钼基氧化物进行制备,给出详细制备过程。通过样品结构表征结果,选择样品A对有机染料废水进行降解。分析了有机染料废水降解性能的评价方法,将酸性红B溶液看作有机染料废水进行实验,介绍了其紫外分光光度计曲线和标准曲线,对酸性红B溶液的降解率进行计算。在双氧水添加情况、催化剂使用量以及降解反应时间不同的情况下,采用制备的钒酸铋复合钼基氧化物对酸性红B溶液进行降解,分析降解性能。结果表明,钒酸铋复合钼基氧化物能够有效降解有机染料废水。     

咪唑啉酮-N-乙基膦酸的制备和表征

用乙二胺为原料经乙二胺乙基膦酸与尿素反应制备了咪唑啉酮－N－乙基膦酸,并用元素分析、红外光谱、核磁共振谱和电位滴定等进行了表征,制备过程pH值对产物的生成有显著影响。     

异质结构钒酸铋/氧化铋可见光催化材料的制备及性能研究

针对可见光催化材料大部分半导体光量子效率较低、光催化活性较差的问题,制备了一种新的异质结构钒酸铋/氧化铋可见光催化材料,并对其性能进行测试。通过制备钒酸铋-氧化铋复合光催化材料,分析制备材料表征分析方法,对可见光催化材料进行XDR分析、SEM分析、紫外-可见漫反射吸收光谱分析和荧光光谱分析,对制备材料降解性能和稳定性进行检测。结果表明XDR分析中,随着钒酸铋成分的逐渐升高,氧化铋衍射峰慢慢降低,钒酸铋衍射峰慢慢增强,图谱中没有出现其余衍射峰,钒酸铋和氧化铋间未出现显著的化学反应; SEM分析中,制备样本颗粒形貌与微观结构存在显著差异,晶粒形貌更加规则;紫外-可见漫反射吸收光谱分析中,异质结构钒酸铋/氧化铋可见光催化材料样本对可见光的吸收效果最优;荧光光谱分析中,随着添加钒酸铋质量分数的逐渐增加,荧光信号逐渐变弱;随着添加钒酸铋质量分数的逐渐增加,降解率逐渐升高,但添加质量分数是12%与20%钒酸铋的制备样本光催化活性相差不大;重复使用制备样本后其光催化性能基本没有发生改变,对光照反应后制备样本及纯钒酸铋样本进行XRD分析,发现无新衍射峰值出现。可见此时制备样本降解性能较强,稳定性较高。     

碱式钼酸铜的制备及其催化性质的研究

采用快速高效的超声化学法合成一种纳米片状的多金属氧酸盐(碱式钼酸铜).利用X-射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)等分析测试手段对所得产物的结构和形貌进行表征.并通过吸附-光催化联合作用研究了碱式钼酸铜对刚果红(CR)的降解效果.结果表明纳米片状的碱式钼酸铜对CR有很好的降解效率.     

碱式苯甲酸铜的流变相合成及其热分解研究

用流变相反应法由碱式碳酸铜和苯甲酸合成了碱式苯甲酸铜配合物，通过元素分析、红外光谱及X射线粉末衍射表征了它的结构，用热重分析研究了它在氩气气氛中的热分解过程，并探讨了其热解机理。     

Cu（I）（CH3COCHCOOEt）[P（NEt2）3]2配合物的电化学合成及表征

用牺牲金属阳极的电化学方法合成了一种新的价铜配合物Cu(I)(CH3COCHCOOEt)[P(NEt2)3]2，对配合物进行了元素分析、红外光谱、核磁共振测试及表征，并研究了反应的机理。     

微波-水热合成钛酸钡粉体及其表征

以钛酸丁酯和氯化钡为钛钡源,氢氧化钠为沉淀剂,采用微波和水热二者联用的方法合成钛酸钡。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对合成的钛酸钡粉体进行表征测试。     

超细氧化镁的直接沉淀法制备及其表征

通过正交实验法,研究了直接沉淀法合成超细氧化镁的诸因素对粒径和收率的影响,得到了最佳的工艺条件：反应物MgCl2浓度为1.2 mol/L,NH3·H2O浓度为0.2 mol/L,反应温度为45 ℃,反应配比MgCl2∶NH3·H2O为1∶10,表面活性剂量1.5‰,反应时间为25 min.用X-射线衍射、红外光谱、扫描电镜和粒度分析等对最佳条件下制得的MgO进行了表征.结果表明：该法得到的氧化镁分散性好、收率较高（60%）、平均粒径小（330 nm左右）且粒度分布均匀.     

激光气相热解制备超细硼粉工艺及粉体性能研究

CW CO_2激光引发化学气相热解,以BCl_3/H_2为原料体系制备超细硼粉。探讨了反应热力学及引发过程机理,测定了镜距f与火焰温度T及反应气体在激光束中停留时间τ_停的关系,IR光谱表明粉体杂质主要是H_3BO_3,XRD结果表明硼粉为无定形体,硼含量分析结果表明为88.9％(wt),TEM观察表明硼粉为无粘连、单分散、分布窄的球形颗粒,粒度分布范围0.03～0.12μm,与热化学还原法及热管炉法硼粉相比,颗粒具有极好的分散性和均一性。     

Cu微米晶的水热合成与表征

在三乙醇胺-水混合体系中,以硫酸铜为起始原料,亚磷酸钠为还原剂,采用水热处理的方法成功制备了不同形貌的铜微米晶.用X射线衍射和扫描电子显微镜对产品的形貌、结构进行了表征.同时考察了反应温度、V(三乙醇胺)/V(水)等反应条件对铜微米晶形貌的影响,并对铜八面体的形成机理进行了探讨.     

三氮唑铜配合物原位合成及结构表征

以2,6-吡啶二羧酸为原料通过Schiff碱缩合合成一种酰腙配体,采用溶液法自然挥发合成了一种单核铜配合物C18H21CuN5O8.50,通过X-射线单晶衍射对其结构进行了表征。     

一种碱性共聚酰胺的合成与表征

合成了一种碱性聚酰胺,产物用DSC、红外光谱等方法进行了表征,并从理论上对实验现象进行近似解释。结合理论探讨和实验现象,对聚合条件和物料配比的优化进行了讨论。     

针状碱式氯化镁的合成及形态分析

以氯化镁、氢氧化钙为原料合成了碱式氯化镁,利用TEM和XRD表征了固体产物的形态结构,分析了合成过程机理。在MgCl2/Ca(OH)2-CaCl2与MgCl2/NH4OH体系合成碱式氯化镁时,固体产物的形态结构主要取决于体系的pH值和熟化时间;在pH值小于9.5时利用MgCl2/NH4OH体系可以得到组成和结构良好的碱式氯化镁。对于MgCl2/Ca(OH)2-CaCl2体系,氢氧化钙含量增加或熟化时间延长,有利于得到针状碱式氯化镁。Ca(OH)2与MgCl2的反应历程不同于NH3·H2O,得到的碱式氯化镁在形貌和性质上存在很大差别。     

对苯二酚铜、钴(Ⅱ)配合物的合成及表征

采用半固相法合成一水合对苯二酚铜(Ⅱ)和一水合对苯二酚钴(Ⅱ),分别用碘量法和EDTA滴定法测定配合物中铜、钴的含量,通过元素分析、红外光谱、紫外吸收光谱、荧光光谱表征两种配合物的组成.结果表明:采用半固相反应法可以合成一水合对苯二酚铜(Ⅱ)和一水合对苯二酚钴(Ⅱ),在两种配合物的荧光光谱中都出现2个激发峰和1个荧光发射峰,说明过渡金属的对苯二酚配合物可用做潜在的发光材料.     

纳米HfO2粉体的制备工艺研究

该文以HfOCl2为原料，分别选用分子量为400、1000和6000的3种聚乙二醇(PEG)作分散剂，在70℃和25℃的反应温度条件下，采用反向滴定化学沉淀法制备出HfCh纳米粉体．X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)的分析结果表明：在70℃的反应温度条件下，加入3种分散剂制备的HfO2粉体的平均晶粒度均小于50nm；用高分子量的分散剂PEG6000所制得的粉体晶粒度更加细小；PEG6000的加入量在0．5％～2．5％质量分数范围内变化对最终的粉体晶粒度影响不大；在25℃的反应温度条件下，加入同样分散剂制备的HfO2粉体的平均晶粒度更加细小，平均晶粒度在30nm左右．用TG／DSC结合XRD对纳米HfO2粉体的研究结果表明：HfO2纳米粉体的晶型转变温度比微米HfO2材料降低了251℃左右(由891℃降低至640℃)，并且在焙烧温度大于660℃时，生成了只有在高温高压条件下才能存在的斜方相HfO2．