瞬态电阻法测量材料热导率

1介质中发热导体的电阻温度关系 导体电阻与温度的函数关系为：     

用闪光法测不良导体热导率

介绍了用闪光脉冲非稳态法测不良导体热导率的实验原理、装置及实验过程．给出了两种样品热导率的测量结果．     

稳态法测棉布的热导率

利用小型制冷装置测量了片状材料的热导率,实现了在低温条件下用稳态法对棉布热导率的测量．     

热导率的瞬态测量

本文介绍了一种瞬态测量材料热导率的方法。该方法是在原脉冲法测量的基础上改进而来。该方法有效地提高测量的准确性和重复性。     

热导率瞬态测量的数据处理

记述了瞬态法测量材料热导率、导温系数和定压比热容等热物理性质的数据处理方法要点,并给出了ｙ＾２－Ｂ（ｙ）函数关系的一种数值计算方法。     

单片机在稳态法测不良导体热导率中的应用

介绍了在稳态法测不良导体热导率中。使用单片机进行数据采集、显示、存贮及温度控制的方法。     

存在热耗散时动态法测良导体热导率的研究

通过分析热波传输过程中产生的谐波的振幅谱和相位谱,测量了存在热耗散情况铜棒的热导率.该方法可以简化实验装置,消除谐波引起的系统误差,实验中热对流和热辐射对测量结果的影响可以忽略.     

动态法测金属热导率实验的优化及误差分析

基于离散傅里叶变换以及延迟定理,本文对动态法测导体热导率实验提出了新的数据处理方法,分析了这一方法的稳定性.对该实验的几个误差原因进行了讨论,包括样品的非半无限长的影响,加工误差的影响等.误差分析表明只要能减低仪器加工误差,本方法可以达到将误差降到5%以下.并根据讨论结果给出仪器设计的改进建议.     

热线法测量材料热导率

讨论在SHT-20型热物性自动测量仪上,用热线法测量材料热导率的原理和方法,并给出了测量结果.     

热波法测良导体热导率实验中高频热波影响的分析与消除

在热波法测良导体热导率的实验中,由于高频热波的影响,使实验结果产生很大的误差.现提出一种可有效解决高频热波造成误差的方法,即利用计算机数字滤波滤去高频波,提取基波,从而提高了实验精度.     

热导率的动态热线法测量系统

介绍了我们研制的动态热线法测热导率系统的特点，原理和装置，通过对某些标准样品的测量结果表明，该系统的测量精度在２％以内，利用这一装置我们还测量了新型纳米多孔性材料ＳｉＯ２气凝胶的热导率与气压和温度的关系。     

单晶硅薄膜法向热导率分子动力学研究

采用非平衡分子动力学方法（NEMD）研究了平均温度为 500K、厚度为 2～32nm的单晶硅薄膜的法向热导率。模拟结果表明,薄膜热导率显著低于对应温度下的体硅单晶的实验值,并随膜厚度减小以接近线性的规律减小。用声子气动力论模型的分析结果与NEMD模拟相一致,表明纳米单晶硅薄膜中声子平均自由程显著减小。     

氩晶体薄膜法向热导率的分子动力学模拟

结合卫星“微型核”的特点，研究电介质薄膜中的导热机理以及薄膜厚度对导热系数的影响.以结构较为简单、具有可靠势能函数，实验数据较为丰富和可靠的氩的(fcc)晶体为模型,采用平衡分子动力学方法(EMD)和各向异性非平衡分子动力学方法(NEMD)计算了氩晶体及其法向薄膜的热导率,并与实验结果进行比较.模拟结果表明，氩晶体纳米薄膜的热导率显著小于对应大体积晶体的实验值，具有明显的尺寸效应.在氩薄膜厚度为2.124—5.310nm的模拟范围内,薄膜的法向热导率随着薄膜厚度的增加而呈近似线性增加. 关键词： 热导率 纳米薄膜 尺寸效应 平衡分子动力学 非平衡分子动力学     

硅纳米薄膜法向热导率的进一步分析

应用非平衡分子动力学方法进一步研究了平均温度为300K、厚度为2.715nm-43.44nm的单晶硅薄膜的法向热导率,模拟结果表明,薄膜热导率低于同温度下单晶硅的实验值,存在显著的尺寸效应,当膜厚度在20nm以下时,法向热导率随尺度减小而线性减小,当膜厚度大于20nm时法向热导率随尺度呈现二阶多项式变化。法向热导率的变化规律与面向热导率的变化规律类似,表明薄膜厚度和表面晶格结构对声子传热影响的复杂性。     

利用液体夹心法测量LiF单晶高压热导率

提出了液体夹心法热导率测量技术, 采用CHBr3液体作为夹心材料实现了样品/窗口界面的理想接触, 并将动载荷作用下的夹心法高压热导率实验测量压力下限拓展至40 GPa, 为绝缘介电晶体高温高压热导率测量提供了技术支持. 实验利用平面碰撞和DPS测试技术, 结合液体夹心法实测了LiF单晶高压热导率数据, 对现有热导率理论模型进行了研究和探讨, 结果显示, 在γ/γ0=(ρ0/ρ)2时, 修正后的Roufosse理论公式与实验数据符合较好, 这一研究结果为非透明材料冲击波温度测量中的热传导修正提供了实验数据和理论模型。