无电解镀镍磷—聚四氟乙烯复合层

本文研究了无电解镀Ｎｉ－Ｐ－ＰＴＦＥ工艺及镀层性能，工艺采用了ＰＴＦＥ分散乳液与无电解镀镍混合并使ＰＴＦＥ均匀地分散在镀液中。本文同时讨论二步热处理对镀层性能的影响。     

无电解Ni—P—（CF）n非晶复合层的研究

在无电解镍－磷溶液中分散一些特殊的微粒，如氟化石墨，可显著提高所得到的非晶复合层的性能，并能在一些特殊的工程应用。这种无电解复合镀层含Ｐ１０％左右，并通过加入特殊分散剂，使氟化石墨含量在９％ｖｏｌ，通过Ｎｉ－Ｐ合金与微粒在性能上的互补扩大了无电解镀层的应用前景。本文研究了无电解Ｎｉ－Ｐ－（ＣＦ）ｎ复合层和性能及这种无电解复合溶液的维护与管理，确定了最佳工艺体系及最佳工艺条件，研究了这种复合层的自润     

无电解镀镍工业生产的维护及管理

研究了无电解镀Ｎｉ－Ｐ及Ｎｉ－Ｐ－ＰＴＦＥ工业生产的维护及管理。研究探讨了生产中的管理问题，提出了科学的自动化管理及镀液的补加方法。研究探讨了无电解复合镀Ｎｉ－Ｐ－ＰＴＦＥ的工艺管理。     

无电解Ni－P－（CF）_n非晶复合层的研究

在无电解镍－磷溶液中分散一些特殊的微粒，如氟化石墨，可显著提高所得到的非晶复合层的性能，并能在一些特殊的工程应用。这种无电解复合镀层含Ｐ１０％左右，并通过加入特殊分散剂，使氟化石墨含量在９％ｖｏｌ，通过Ｎｉ－Ｐ合金与微粒在性能上的互补扩大了无电解镀层的应用前景。本文研究了无电解Ｎｉ－Ｐ－（ＣＦ）ｎ。复合层和性能及这种无电解复合溶液的维护与管理，确定了最佳工艺体系及最佳工艺条件，研究了这种复合层的自润滑等性能，论述了这种材料的应用前景。     

化学镀Ni—W—P合金功能特性的研究

本文研究化学镀Ｎｉ－Ｗ－ｐ合金的结构和性能，结果表明：由于Ｗ的引入，显著增加了镀层的硬度、耐磨性、耐蚀性和热稳定性。     

高可靠镀Ni／Au工艺及其在微波PTFE电路上的应用

介绍了高可靠电镀Ｎｉ／Ａｕ工艺在ＰＴＦＥ微波印制电路上的应用，并分析了氨基磺酸盐镀软镍和亚硫酸盐镀软金工艺的影响因素及提高Ｎｉ／Ａｕ镀层之间附着力的措施。通过实验及应用证明了与直接镀金工艺相比，在软基材ＰＴＦＥ敷铜箔板上镀Ｎｉ／Ａｕ工艺能大大提高微波电路的可焊性，高温稳定性和长期可靠性，并且用其所制作的微波器件的高频性能也优于直接镀金工业。     

化学沉积Ni—Cu—P合金镀层成分的研究

本文系统地研究了化学镀液主要组分及ｐＨ值、温度、时间等条件对化学沉积Ｎｉ Ｃｕ Ｐ合金镀层的成分的影响。材料与方法在 45 #钢基片上进行化学沉积Ｎｉ Ｃｕ Ｐ合金镀层。基片镀前经砂纸打磨、除油及活化处理。镀液基本组成为 :ＮｉＳＯ4 ·6Ｈ2 Ｏ 2 5ｇ Ｌ、ＮａＨ2 ＰＯ2 ·Ｈ2 Ｏ 2 5ｇ Ｌ、ＣｕＳＯ4 ·5Ｈ2 Ｏ 3ｇ Ｌ、Ｃ6Ｈ5Ｏ7Ｎａ3·2Ｈ2 Ｏ6 0ｇ Ｌ、ＣＨ3ＣＯＯＮａ 2 0ｇ Ｌ。镀液ｐＨ值用ＮａＯＨ溶液调整至 1 0 ,镀液温度控制在 90℃ ,时间为 6 0ｍｉｎ。每次试验以上述条件为基础 ,变化一项 ,研究其影响。其中各项组成的…     

化学镀镍合金在电子工业中的应用

对化学镀镍合金铁工艺和性能特性及其在电子工业中的应有委展现状作了评述。化学镀镍合金具有镀层均匀，适用基材广，结合力高，硬度高，优良的耐磨、耐蚀性，可焊性好和特殊的电磁性能等特性，在电子工业中获得了广泛的应用。文中着重介绍了化学镀镍合金在磁盘、电磁屏蔽、微电路、半导体、连接器及薄膜电阻上的应用情况。这些案例说明，合理应用化学镀镍合金技术，有利于提高电子元器件的质量，降低成本，促进技术进步。     

无电解镀Ni-P工业生产和废水处理

研究了化学镀镍的工艺问题以及络合剂和其他一些助剂的添加对于镀层质量和废液成分的影响。在考虑到镀层的质量和工业上实际应用的同时，还要考虑到废水处理和环保问题，因为大量的有机络合剂和添加剂的加入，使废镀液和废水的处理难度加大，研究了一个适合工业化生产和要求的化学镀工艺体系。     

玻璃、陶瓷表面Ni-P化学镀研究

在普通平板玻璃和空心陶瓷基材表面沉积Ni-P合金。对镀液成分及用量、温度、pH值、施镀时间等工艺参数用均匀设计进行组合筛选,获得可沉积光亮Ni-P镀层的中低温酸性玻璃基体Ni-P化学镀工艺:NiSO4.7H2O30gL-1,NaH2PO2.H2O22gL-1,琥珀酸36gL-1,添加剂A2mgL-1,温度48～50℃,pH值5.8～6.0;对玻璃表面化学镀镍进行改进获得了空心陶瓷表面高温酸性Ni-P化学镀工艺:NiSO4.7H2O29gL-1,NaH2PO2.H2O38gL-1,琥珀酸36gL-1,添加剂A2mgL-1;,温度90±1℃,pH值5.5～6.0。玻璃表面镀层表面质量良好、光亮、平整,有较好结合力;有效沉积时间达到15min时,空心陶瓷表面镀层表面质量良好,与陶瓷表面有较好结合力。     

电引发化学镀铜机理及应用

主要论述了印制电路板化学镀铜所采用的电引发起镀技术及其作用机理,同时给出其应用方法。     

AZ91D化学镀Ni-P结构耐蚀性研究

利用金相、SEM、TEM、XRD、盐雾、电化学测量系统研究了镁合金AZ91D的化学镀Ni-P镀层组织结构及耐蚀性能,结果表明,化学镀镍层为胞状致密结构,镀层厚度均匀,与基体结合良好.P的质量分数为6.68%,为中P镀层,镀层阻抗为0.6 Ω,镀层组织为非晶加少量微晶;镀层耐腐蚀性能良好,连续盐雾8 h未出现腐蚀斑点.盐雾腐蚀速率明显低于基体的腐蚀速率.化学镀镍磷层的最小腐蚀电流密度为4.52μA/cm2,腐蚀电位为-250 mV.低于200℃退火,镀层的耐腐蚀性能有所提高,而高于200℃退火,其耐腐蚀性能随温度提高而降低.     

Effects of phosphorus content on the reaction of electroless Ni-P with Sn and crystallization of Ni-P

The reaction between electroless Ni-P and Sn and the crystallization behavior of Ni-P were investigated to better understand the effect of P content on the Ni-P layer. Electroless Ni-P specimens with three different P contents, 4.6 wt.%, 9 wt.%, and 13 wt.%, were used to study the effect of the P content and the microstructure of Ni-P on the subsequent crystallization and intermetallic compound (IMC) formation during the reaction between Ni-P and electroplated Sn. Ni₃Sn₄ was the major phase formed in all samples heated up to 300°C, which totally transformed into Ni₃Sn₂ when samples were heated up to 450°C and the Sn layer was 0.5-μm thick. The IMC formed on the nanocrystalline Ni-P showed stronger texture compared to that formed on the amorphous Ni-P. Both the IMC thickness and density decreased with P content in the Ni-P layer, and Ni₃Sn₄ morphologies varied with P content. Dissolution of Ni into Sn increased with P content, which made IMC size in the bulk Sn increase with P content.     

铝合金化学镀Ni-P合金层退镀工艺探讨

介绍了一种化学镀Ni-P合金层的退镀溶液配方，对Ni-P合金层退镀液对金属基体的腐蚀量进行了测定，并对退镀反应的机理进行了初步的探讨。     

化学镀锡层可焊性研究

主要研究了氯化物法化学镀锡过程中次亚磷酸钠浓度、氯化亚锡浓度、温度、pH值、镀层厚度及热处理等因素对高锡镀层可焊性的影响，并用镀片所需的最短润湿时间测试了镀层的可焊性。实验结果表明：在最佳工艺条件下，获得的高锡镀层可焊性能好，易焊接，在电子工业等领域中应用广泛。     

pH对化学镀镍-磷法制作的埋嵌电阻方块电阻影响的研究

文章主要介绍了pH对通过化学镀镍-磷法制作埋嵌电阻时镍-磷合金层方块电阻的影响。在温度相同的条件下,当镀液的pH不同时,探究了两种基材表面上镍-磷合金层方块电阻与反应时间的关系,并分析了适合用于制作埋嵌电阻的镍-磷合金层方块电阻值,以及最佳的化学镀镍-磷反应pH值。从实验结果可知,当反应时间相同时,随着pH的减小两种基材表面上镍-磷合金层的方块电阻将会逐渐大;适合用于埋嵌电阻制作的化学镀镍-磷反应pH为3.4~3.7,反应时间为3min~8min,方块电阻为15Ω/□～200Ω/□。