单晶变角EPR谱的解释——I.掺Cr~(3 )铝铵矾单晶的EPR

对本征场的计算方法作了新的分析,提出了新的计算方案,根据这方案编写了程序,并应用这一程序对掺Cr~3 铝铵矾单晶变角的EPR谱作了解析,得到了更加可靠更为准确的自旋-Hamilton参数;D=0.04845cm~(-1),g_x=g_y=1.9761,g_x=1.9752.用上述参数,对各个离子不同角度下的广义本征场计算的共振磁场与实验数据拟合很好.充分说明采用此法处理EPR的优越性。     

卷积差方法在过渡金属离子EPR谱中的应用

用卷积差方法提高EPR谱的分辨率,可以从多种过渡金属离子的迭加谱中直接测量出不同离子的波谱参数a_R、a_⊥、g_R和g_⊥,该方法还可提高各向异性g因子的测量精度.     

单晶变角EPR谱的解释Ⅱ.掺Cr3+乙酰丙酮铝单晶的EPR

对掺Cr³⁺乙酰丙酮铝单晶的(001),(100)和(110)晶面进行晶面旋转EPR扫描,得到共振磁场随旋转角度变化的实验图形,根据本征插方法编写的程序,对实验谱图进行投合,得到下述顺磁参数,D=0.5870±O.005cm^-1,E=-0.00490±0.0001cm^-1,g_x=g_y=1.965±0.001,g₂=1.984±0.001.     

三角对称晶场下d8电子组态的EPR参量的普遍公式及其应用

本文考虑到d⁸电子组态中所有自旋三重态和自旋单态对基态的影响,用高阶微扰法导出了d⁸电子组态在三角对称晶场下光谱和基态EPR普遍公式。发现在三角对称晶场下,d⁸电子组态离子的g_⊥ > g_‖或g_⊥ < g_‖和D > 0或D < 0是以立方对称晶场为界,晶体中顺磁离子的配体沿C₃轴伸长或压缩所致。利用所得公式计算了NiCl₂和NiSiF₆·6H₂O晶体的EPR参量,其结果与实验吻合较好。     

Cu1-xHxZr2(PO4)3中Cu2+的EPR谱和局域结构研究

本文采用Cu²⁺斜方对称电子顺磁共振（EPR）参量的高阶微扰公式计算了晶体Cu_1-xH_xZr₂（PO₄）₃中Cu²⁺的EPR参量（g因子和超精细结构常数A因子）．计算结果表明,晶体Cu_1-xH_xZr₂（PO₄）₃中[CuO₆]^10-基团的Cu-O键长分别为R_||≈0.241 nm,R_⊥≈0.215 nm,平面键角τ≈80.1°;由于对称性降低,中心金属离子基态²A_1g（θ）和²A_1g（ε）有一定程度混合,混合系数α≈0.995．所得EPR谱图的理论计算值与实验数据符合得很好．     

CuGeO3晶体自旋-佩尔斯态的EPR

报道了CuGeO₃单晶在96GHz频率,1 4K温度下的电子顺磁共振(EPR)实验,测量了主轴g因子.导出了Cu²⁺离子在CuGeO₃自旋佩尔斯系统中的混合d轨道基态波函数.采用近似自洽场方法计算了CuGeO₃的主轴g因子.使实验结果得到了解释.     

KCdF3:Cr3+晶体EPR零场分裂参量与电荷补偿效应的研究

按照叠加模型与EPR零场分裂参量的三阶微扰理论,建立了KCdF₃:Cr³⁺晶体EPR零场分裂参量与四角对称Cr³⁺-Cd²⁺缺陷中心局域结构之间的定量关系.证实Cd²⁺空位与晶格畸变的存在,我们获得:围绕Cr³⁺离子的六个F^-配体分别向中心Cr³⁺移动Δ₁=0.00294nm,Δ₂=0.0010nm,Δ₃=0.0028nm (参见图2).EPR零场分裂参量与实验一致表明:Cd²⁺空位与晶格畸变的假设是合理的.尽管四角晶场主要来自Cd²⁺空位,但晶格畸变的贡献不可忽略.     

RbMgF3 ：Ni2+ 体系晶格局域结构的EPR理论研究

在考虑掺杂晶体局域畸变的影响后, 建立了联系RbMgF₃: Ni²⁺体系的局域畸变结构与EPR谱间的关系, 并计算了RbMgF₃: Ni²⁺晶体在C_3v和D_3d对称下的零场分裂参量和g 因数. EPR谱的理论计算值与实验值符合甚好.      

晶体NiF2的吸收光谱和电子顺磁共振谱的一种完全对角化计算

采用半自洽场(semi-SCF)自由Ni²⁺的d轨道波函数、点电荷-偶极子模型和Ni²⁺-6X^-(X=F,Cl,Br,I)络合物的μ-κ-α模型,建立结构参数与光谱、电子顺磁共振(EPR)谱(零场分裂D,E和顺磁g因子)之间的定量关系.利用能量矩阵完全对角化方法(CDP)和高阶微扰方法,统一解释NiF₂晶体的局部结构、吸收光谱和电子顺磁共振谱(EPR).比较两种方法计算得到的零场分裂D,E和顺磁g因子.结果表明:①高阶微扰方法算出的D,E值误差大;②能量矩阵完全对角化方法(CDP)算出的D,E值、光谱、顺磁g因子的值都与实验符合很好.     

掺Gd3+钼酸盐AMoO4 (A=Ca,Sr, Ba,Pb)自旋哈密顿参量的理论计算

采用基于单电子晶体场机制的对角化能量矩阵方法, 计算了Gd³⁺在钼酸盐AMoO₄ (A=Ca, Sr, Ba, Pb)晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g_//, g_⊥和零场分裂b₂⁰, b₄⁰, b₄⁴, b₆⁰, b₆⁴). 矩阵中的晶体场参量采用重叠模型计算. 计算结果显示, 应用三个合理的可调参量[即重叠模型中的内禀参量A₂ (R₀), A₄ (R₀)和A₆ (R₀)], 计算的七个自旋哈密顿参量与实验结果符合甚好, 表明该方法可用于计算或解释Gd³⁺在晶体中的自旋哈密顿参量. 关键词： AMoO₄ (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd³⁺晶体')" href="#">AMoO₄ (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd³⁺晶体 自旋哈密顿参量 晶体场理论 对角化能量矩阵     

ZnS:Co2+晶体顺磁g因子的理论研究

提出了一个计算二元半导体中过渡金属(TM)离子顺磁g因子的共价模型,并用以计算了ZnS:Co²⁺晶体的g因子,计算值与实验值吻合很好,从而解决了用经典方法得到的g因子值与实验值相比偏小的问题.同时,通过对ZnS:Co²⁺晶体晶场光谱和顺磁g因子的分析,本文建议,在ZnS:Co²⁺晶体中,Co²⁺离子的t_2g电子和e_g电子部分处于反键轨道部分处于成健轨道.     

β-二酮Gd(Ⅲ)配合物EPR谱解析及其零场分裂张量的计算

稀土Gd (Ⅲ)的电子组态为4f⁷,七个未偶电子之间较强的自旋自旋相互作用,以致于EPR波谱相互重叠呈一条简单的包络线,几乎得不出有用的信息,限制了EPR波谱在这一领域中的应用.本文用自编的一个模拟程序,先是对包络线进行分解剥离,确定各谱峰的g-值.然后用自编的另一个程序根据所得之g-值计算出零场分裂张量D和E.对五个不同的β-二酮类Gd (Ⅲ)配合物进行了解析和计算,得到了满意的结果.     

计算晶体CdCl2:Ni2+的电子顺磁共振谱的完全对角化和高阶微扰方法

采用半自洽场自由Ni²⁺的d轨道波函数和点电荷-偶极子模型,建立局部结构、光谱与电子顺磁共振(EPR)谱(零场分裂D和顺磁g因子)之间的定量关系.利用完全对角化方法(CDP)和高阶微扰方法,统一解释CdCl₂:Ni²⁺晶体的局部结构、光谱和电子顺磁共振谱(EPR),并比较两种计算方法得到的结果.     

镱掺杂钼酸铅的光谱和EPR谱的理论研究

该文表达了一个研究Yb³⁺掺杂PbMoO₄晶体的光谱和电子顺磁共振谱(EPR)的理论方法. 采用晶体场理论,推导了有关光谱和电子顺磁共振谱的公式. 基于这些理论公式,构建了4f¹³电子组态在D_2d晶体对称下包括Zeeman磁相互作用的14阶能量矩阵. 通过对角化这一能量矩阵,研究了Yb³⁺掺杂PbMoO₄晶体的光谱和电子顺磁共振谱. 所得的理论结果与实验值很好符合. 而且,相关的晶体场参量也在研究中确定.     

一类特殊单模压缩态的Wigner函数

本文运用IWOP技术推导出Wigner算符的相干态显式,计算出一类特殊单模压缩态 |z〉_f,g=exp[－(|z|²)/2 +(fz+gz^*)a⁺－fga⁺²]|0〉的Wigner函数解析式,通过数值计算可以看到,参数f和g的任一个取值固定时,另一个参数的旋转取值会使得特殊 关键词： IWOP技术 Wigner算符 Wigner函数     

一类相空间中的准几率分布函数系

定义了一类相空间中的准几率分布函数系，这个准几率分布函数系直接建立在具有更加广泛意义的量子相空间Schr?dinger方程解的基础之上，其中定义_α=αp-i?q和_α=(1-α)q+i?p.发现了两个有趣的关系.(1)建立的量子相空间Schr?dinger方程的解实际上是对函数φ(λ)exp［i(1-α)qp］做窗口Fourier变换.(2)这个窗口函数g(λ)起着选择窗口形式的作用，而且不同的窗口对应着不同的分布函数.当g(λ)是一个代表Gauss窗的Gauss函数的时候，准几率分布函数就是一个类似于Husimi的分布函数f^HL_α(q,p)；当g(λ)是一个表示椭圆的复函数时，准几率分布函数就是一个椭圆分布函数f^E_α(q,p)；再在g(λ)为复函数的基础上附加α=0，就可得到标准序分布函数f^S(q,p)、反标准序分布函数f^AS(q,p)和Wigner分布函数f^W(q,p)，此时g(λ)表示高度为1/12π?而长度为λ的矩形窗. 关键词： 窗口Fourier变换 相空间 Wigner分布函数     

稀土化合物RX的晶场参数分析

本文对NaCl型结构的稀土化合物RX(X=N,P,As,Sb,Bi)的晶场参数B₄⁰的实验值进行了分析。在此基础上我们提出一个新的利用简单点电荷模型计算RX晶场参数B₄⁰值的关系式:B₄⁰=k₃(B₄⁰)_p+c₃。用此关系式我们确定了一系列RX的晶场参数B₄⁰值,结果与实验值符合很好。对关系式的含义本文也作了充分讨论。 关键词：     

一类带扰动的Sine-Gordon方程的谱方法

研究一类具扰动的Sine-Gordon方程u_tt-u_xx+αsinu-βu_xxt=g(u),t>0,-∞< x< ∞的周期初值问题,提出了谱方法,并用先验估计方法作了误差估计,证明了近似方法的收敛性,并得到了该问题广义解的存在、唯一性。     

GaAs/AlGaAs多量子阱中载流子动力学的实验研究

利用瞬态光栅激光光谱技术测量了(110)方向生长的本征GaAs/AlGaAs多量子阱的双极扩散系数.室温下,光激发的载流子浓度n_ex=3.4×10¹⁰/cm²时,测得双极扩散系数D_a=13.0 cm²/s,载流子的寿命τ_R=1.9 ns.改变光激发的载流子浓度(n_{ex关键词： 瞬态光栅 量子阱 空穴输运}     

玻璃基质中ZnS纳米晶Mn2+的EPR谱

用融熔法制备分散有ZnS:Mn²⁺纳米晶的纳硼硅(Na₂O-B₂O₃-SiO₂)玻璃在不同温度、时间对样品进行退火处理,得到不同尺寸的纳米晶.研究了玻璃基质中ZnS:Mn²⁺纳米晶的EPR谱、微波功率饱和EPR谱及发射光谱,发现Mn²⁺有二种组态,即替位组态和间隙位组态.分析结果表明替位组态Mn²⁺及周围立方晶场的畸变程度直接影响光学发光特性.